一种检测环境因素的传感装置及其使用方法制造方法及图纸

技术编号:21086314 阅读:26 留言:0更新日期:2019-05-11 08:50
本发明专利技术公开了一种检测环境因素的传感装置及其使用方法,所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流,所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;所述传感装置包括:检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流的第一传感器;检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流的第二传感器;根据第一电流和第二电流,计算得到反映待测光强度的待测光电流的读取电路。排除掉其他因素的干扰,测定到待测光的准确的光照强度。

A Sensing Device for Detecting Environmental Factors and Its Application

【技术实现步骤摘要】
一种检测环境因素的传感装置及其使用方法
本专利技术涉及传感器
,尤其涉及一种检测环境因素的传感装置及其使用方法。
技术介绍
光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化或者直接检测环境中的光信号,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件,它是把光信号(可见、红外及紫外镭射光)转变成为电信号的器件;光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器。它可用于检测直接引起光量变化的非电物理量,如光强、光照度、辐射测温等;但是在使用光电传感器检测环境中的待测光信号时,容易受到其他环境因素的影响,测量精度不高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种检测环境因素的传感装置及其使用方法,排除掉其他因素的干扰,测定到待测光的准确的光照强度。本专利技术公开了一种检测环境因素的传感装置,所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流,所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;所述传感装置包括:检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流的第一传感器;检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流的第二传感器;所述第一电流和第二电流的大小受到环境因素的影响;所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;读取电路,根据第一电流和第二电流,计算得到反映待测光强度的待测光电流。可选的,所述第一传感器检测并根据待测光和环境温度生成第一电流;所述第二传感器检测并根据环境温度生成第二电流;所述待测光引起的待测光电流由第一电流减去第二电流得到。可选的,所述第一传感器包括第一阻挡结构,以透过所述待测光;所述第二传感器包括第二阻挡结构,以阻挡所述待测光透过。可选的,所述待测光包括红外光,所述其他光包括紫外光;所述第一阻挡结构采用非晶硅制成,以透过所述红外光;所述第二阻挡结构采用微晶硅、多晶硅和金属中的至少一种制成,以阻挡所述红外光透过。可选的,所述第一传感器包括与第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用微晶硅或者多晶硅或者氧化锗硅制成,在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z;其中,0.1≤x≤0.3,1.0≤y≤1.5,0.1≤z≤0.3;所述第二传感器包括与第二阻挡结构相对设置的第二检测结构,以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同。可选的,所述待测光包括紫外光,其他光包括红外光,所述第一阻挡结构采用非晶硅制成,以透过所述紫外光;所述第二阻挡结构采用色阻或者金属中的至少一种制成,以阻挡所述紫外光透过。可选的,所述第一传感器包括与第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用氧化物半导体或者氧化锗硅制成,在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z,其中,1.0≤x≤2.0,0.1≤y≤0.5,0.5≤z≤1.0。所述第二传感器包括与第二阻挡结构相对设置的第二检测结构,以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同。本专利技术还公开了一种检测环境因素的传感装置,所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流,所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;所述传感装置包括:检测并根据待测光和环境温度生成第一电流的第一传感器,检测并根据环境温度生成第二电流的第二传感器;使用第一电流减去第二电流得到由待测光引起的待测光电流的读取电路;当所述待测光包括红外光,所述其他光包括紫外光时;所述第一传感器包括第一阻挡结构,所述第一检测结构采用非晶硅制成,以透过所述红外光;所述第二传感器包括第二阻挡结构,所述第二阻挡结构采用微晶硅或者多晶硅或者金属中的至少一种制成,以阻挡所述红外光透过;所述第一传感器包括与第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用微晶硅或者多晶硅或者氧化锗硅制成,在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z;其中,0.1≤x≤0.3,1.0≤y≤1.5,0.1≤z≤0.3;所述第二传感器包括与第二阻挡结构相对设置的第二检测结构;以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同;当所述待测光包括紫外光,其他光包括红外光时,所述第一传感器包括第一阻挡结构,所述第一检测结构采用非晶硅制成,以透过所述紫外光;所述第二传感器包括第二阻挡结构,以阻挡所述紫外光透过,所述第二阻挡结构采用色阻或者金属中的至少一种制成;所述第一传感器包括与第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用氧化物半导体或者氧化锗硅制成,在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z,其中,1.0≤x≤2.0,0.1≤y≤0.5,0.5≤z≤1.0;所述第二传感器包括与第二阻挡结构相对设置的第二检测结构,以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同。本专利技术还公开了一种使用上述的检测环境因素的传感装置的方法,包括步骤:第一传感器检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流;第二传感器检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流;以及根据第一电流和第二电流计算得到反映待测光强度的待测光电流。可选的,所述待测光包括红外光,所述其他光包括紫外光;所述第一阻挡结构采用非晶硅制成,以透过所述红外光;所述第二阻挡结构采用微晶硅、多晶硅和金属中的至少一种制成,以阻挡所述红外光透过;所述第一传感器包括与第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用微晶硅或者多晶硅或者氧化锗硅制成,在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z,其中,0.1≤x≤0.3,1.0≤y≤1.5,0.1≤z≤0.3;所述第二传感器包括与第二阻挡结构相对设置的第二检测结构,以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同;所述第一传感器检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流;第二传感器检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流;所述根据第一电流和第二电流计算得到反映待测光强度的待测光电流的步骤包括:使用第一检测结构配合第一阻挡结构检测并根据红外光和环境温度生成第一电流;使用第一检测结构配合第一阻挡结构检测并根据环境温度生成第二电流;以及根据第一电流和第二电流计算得到反映待测光强度的待测光电流。相对于仅有一个传感器的传感装置来说,仅有一个传感器的传感装置检测到待测光电流受到了其他环境因素的影响,检测精度不高;本申请的传感装置包括第一传感器和第二传感器,分别检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流,以及检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流,通过对第一电流和第二电流的计算,可以排除掉其他环境因素的干扰,从而得到对应待测光的准确的待测光电流大小,以精确的判断待测光的准确的光照强度,避免由于检测到的待测光信息不准确而造成的不利的影响。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解,其构成了说明书的一部分,用于例示本申请的实施方式,并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流,所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;所述传感装置包括:第一传感器,检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流;第二传感器,检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流;以及读取电路,根据第一电流和第二电流,计算得到反映待测光强度的待测光电流。

【技术特征摘要】
1.一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流,所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;所述传感装置包括:第一传感器,检测并根据包括待测光在内的环境因素生成第一电流;第二传感器,检测并根据排除待测光在内的环境因素生成第二电流;以及读取电路,根据第一电流和第二电流,计算得到反映待测光强度的待测光电流。2.如权利要求1所述的一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述第一传感器检测并根据待测光和环境温度生成第一电流;所述第二传感器检测并根据环境温度生成第二电流;所述待测光引起的待测光电流由第一电流减去第二电流得到。3.如权利要求1所述的一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述第一传感器包括第一阻挡结构,以透过所述待测光;所述第二传感器包括第二阻挡结构,以阻挡所述待测光透过。4.如权利要求3所述的一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述待测光包括红外光,所述其他光包括紫外光;所述第一阻挡结构采用非晶硅制成,以透过所述红外光;所述第二阻挡结构采用微晶硅、多晶硅和金属中的至少一种制成,以阻挡所述红外光透过。5.如权利要求4所述的一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述第一传感器包括与所述第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用微晶硅或者多晶硅或者氧化锗硅制成;在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z;其中,0.1≤x≤0.3,1.0≤y≤1.5,0.1≤z≤0.3;所述第二传感器包括与所述第二阻挡结构相对设置的第二检测结构,以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同。6.如权利要求3所述的一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述待测光包括紫外光,其他光包括红外光,所述第一阻挡结构采用非晶硅制成,以透过所述紫外光;所述第二阻挡结构采用色阻或者金属中的至少一种制成,以阻挡所述紫外光透过。7.如权利要求6所述的一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述第一传感器包括与所述第一阻挡结构相对设置的第一检测结构,以检测所述第一电流;所述第一检测结构采用氧化物半导体或者氧化锗硅制成;在氧化锗硅中,设硅的摩尔量为x,锗的摩尔量为y,氧的摩尔量为z,其中,1.0≤x≤2.0,0.1≤y≤0.5,0.5≤z≤1.0;所述第二传感器包括与所述第二阻挡结构相对设置的第二检测结构,以检测所述第二电流;所述第二检测结构与所述第一检测结构的结构相同。8.一种检测环境因素的传感装置,其特征在于,所述传感装置检测环境因素并根据环境因素产生电流,所述环境因素包括可见光、待测光、其他光和环境温度;所述传感装置包括:第一传感器,检测并根据待测光和环境温度生成第一电流;第二传感器,检测并根据环境温度生成第二电流;以及读取电路,使用第一电流减去第二电流得到由待测光引起的待测光电流;其中,当所述待测光包括红外光,所述其他光包括紫外光时;所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:卓恩宗杨凤云
申请(专利权)人:惠科股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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