一种侧面凹槽陶瓷电容器制造技术

技术编号:21068154 阅读:50 留言:0更新日期:2019-05-08 11:32
一种侧面凹槽陶瓷电容器,包括电容本体、引线和包封层。所述电容本体由陶瓷基体、电极、侧面凹槽组成,两个电极附着于基体上,电极上焊接引线,包封料包裹电容本体及部分引线。所述的侧面凹槽为陶瓷电容器侧面开出的环形空缺,经包封料包封后,侧面凹槽被绝缘的包封料填充,使陶瓷电容器通电后沿着陶瓷基体外表面的电场线被包封料截断,减小了表面跨弧放电风险,此外侧面凹槽可增大两电极间沿陶瓷表面的距离,进一步减小了表面爬电风险,可显著减小陶瓷电容器制程过程中因质量波动导致陶瓷电容器表面跨弧的风险,提升了陶瓷电容器安全性与可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种侧面凹槽陶瓷电容器
本技术涉及一种能够在电路中起滤波、振荡、耦合作用的陶瓷电容器,尤其指一种陶瓷基体侧面存在凹槽的陶瓷电容器。
技术介绍
陶瓷电容器是以陶瓷作为介质材料的电容器,其在电路中可起到隔直、旁路、耦合、滤波、温度补偿、瞬态电压抑制、调谐、储能、抑制电磁干扰等种种作用,是几乎所有电子设备必须的基础元器件。击穿电压是衡量陶瓷电容器性能的重要指标,陶瓷电容器一旦发生电击穿,一般会伴随电路失效,严重时会导致触电、火灾等危险,为保证陶瓷电容器的可靠工作,既要保证瞬时电压下不发生击穿,又要保证长期工作电压下不发生击穿,因此提升产品的耐击穿电压,一直是业内持续改善的目标。陶瓷电容器的瞬时电压击穿一般分为两种,一种是电容器实际承受电压超出陶瓷基体耐电压限度,强电场导致陶瓷基体内自由电子撞击中性分子,使之电离后形成雪崩式电子流,导致击穿,此类击穿一般由陶瓷微观结构,介质厚度,电极面积等因素决定,此类击穿发生在陶瓷介质内部,属正常失效击穿模式。另一种击穿模式为跨弧击穿,在陶瓷介质烧结时,其外表面位于陶瓷与空气的界面,其表面张力及自由能等均与陶瓷内部的烧结环境有所差异,导致烧结后外表面缺陷态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种侧面凹槽陶瓷电容器,其特征在于,包括有电容本体、第一引线、第二引线、包封层,所述电容本体由陶瓷介电材料构成的圆柱体陶瓷基体、陶瓷基体侧面的凹槽及附着于陶瓷基体上的第一电极、第二电极组成,第一引线焊接在第一电极上,第二引线焊接在第二电极上,包封层包裹电容本体及部分引线,陶瓷基体侧面的凹槽是沿着陶瓷基体侧面向陶瓷基体内部开出的环形空缺,陶瓷基体侧面为平滑的环形面、带有波纹状起伏的环形面的一种。

【技术特征摘要】
1.一种侧面凹槽陶瓷电容器,其特征在于,包括有电容本体、第一引线、第二引线、包封层,所述电容本体由陶瓷介电材料构成的圆柱体陶瓷基体、陶瓷基体侧面的凹槽及附着于陶瓷基体上的第一电极、第二电极组成,第一引线焊接在第一电极上,第二引线焊接在第二电极上,包封层包裹电容本体及部分引线,陶瓷基体侧面的凹槽是沿着陶瓷基体侧面向陶瓷基体内部开出的环形空缺,陶瓷基体侧面为平滑的环形面、带有波纹状起伏的环形面的一种。2....

【专利技术属性】
技术研发人员:李国正阙华昌褚平顺
申请(专利权)人:昆山万丰电子有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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