一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤制造技术

本发明专利技术涉及一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于的芯层为三层，第一芯层的Δ1为‑0.7％～‑0.2％，R1为3.5μm～7μm，第二芯层的Δ2为0.0％～0.5％，R2为5.5μm～9μm，第三芯层的Δ3为‑0.6％～0.1％，R3为7.5μm～11.5μm，且Δ2＞Δ3＞Δ1，3μm≤R3‑R1≤6μm，芯层外包覆有包层，包层由一层下陷包层构成，或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成，下陷包层为紧密围绕芯层的包层，其Δ4为‑0.9％～‑0.6％，R4为38μm～62.5μm。本发明专利技术在1550nm通信波段最高支持三个阶数的OAM模式，不同阶数的非简并OAM模式之间具有较大的有效折射率差和较低的串扰，相同阶数的简并模之间具有较小的有效折射率差和较低的DGD。

【技术实现步骤摘要】
一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤
本专利技术涉及一种用于光通信系统的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM(轨道角动量)光纤，属于光纤通信

技术介绍
单模光纤由于其传输速率快，携带信息容量大，传输距离远等优点，被广泛地应用于光纤通信网络之中。在传统的光传输网络中，时分复用、波分复用、偏振复用以及相位正交调制等技术都已被充分地应用于光通信系统中来提高单根光纤的传输容量。而近年来，随着通信、视频、大数据等业务对容量的需求与日俱增，网络带宽快速扩张，光传输网络的容量正逐步接近单根光纤的香农极限：100Tb/s。空分复用和模分复用技术是唯一还未被充分开发和使用的技术，该技术可以为单根光纤传输容量带来数量级的提升，可以打破传统的香农极限，实现更高带宽的传输。实验表明，基于少模光纤的模分复用技术能够在一个以上的空间传播模式下传输信号，通过多输入多输出(MIMO)数字信号处理技术将所有的模式解调出来，从而实现更高带宽更高频谱效率的传输，因此受到了广泛的关注。然而，随着系统容量的扩展和传输距离的增加，模分复用系统中多输入多输出算法的复杂度也不断升高，MIMO技术的复杂度和信道数的平方以及DG本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层为三层，由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层，所述第一芯层的相对折射率差Δ1为‑0.7％～‑0.2％，半径R1为3.5μm～7μm，所述第二芯层的相对折射率差Δ2为0.0％～0.5％，半径R2为5.5μm～9μm，所述第三芯层的相对折射率差Δ3为‑0.6％～0.1％，半径R3为7.5μm～11.5μm，且Δ2＞Δ3＞Δ1，3μm≤R3‑R1≤6μm，芯层外包覆有包层，所述的包层由一层下陷包层构成，或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成，所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层，其相对折射率差Δ4为‑0.9...

【技术特征摘要】
1.一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层为三层，由内向外依次为第一芯层、第二芯层和第三芯层，所述第一芯层的相对折射率差Δ1为-0.7％～-0.2％，半径R1为3.5μm～7μm，所述第二芯层的相对折射率差Δ2为0.0％～0.5％，半径R2为5.5μm～9μm，所述第三芯层的相对折射率差Δ3为-0.6％～0.1％，半径R3为7.5μm～11.5μm，且Δ2＞Δ3＞Δ1，3μm≤R3-R1≤6μm，芯层外包覆有包层，所述的包层由一层下陷包层构成，或由下陷包层和纯二氧化硅玻璃外包层两层包层构成，所述的下陷包层为紧密围绕芯层的包层，其相对折射率差Δ4为-0.9％～-0.6％，半径R4为38μm～62.5μm。2.按权利要求1所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述的下陷包层相对折射率差Δ4小于第一芯层的相对折射率差Δ1，即Δ4＜Δ1，且Δ2-Δ4≥0.8％。3.按权利要求1或2所述的超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，其特征在于所述的包层为两层包层，第一包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张睿，沈磊，周红燕，刘亚萍，张磊，罗杰，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42