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本发明涉及一种超低衰减低串扰弱耦合三阶OAM光纤，包括有芯层和包层，其特征在于的芯层为三层，第一芯层的Δ1为‑0.7％～‑0.2％，R1为3.5μm～7μm，第二芯层的Δ2为0.0％～0.5％，R2为5.5μm～9μm，第三芯层的Δ3为‑0...
该专利属于长飞光纤光缆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长飞光纤光缆股份有限公司授权不得商用。

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