The invention belongs to the field of nano-grating fabrication, and specifically relates to a method for etching nano-gratings of group III and V materials, including dry etching of group III and V material wafers to transfer grating patterns on mask to group III and V material wafers; dry etching of wafer surface with oxygen; judging whether the target size has been achieved, repeating the steps mentioned above, otherwise the etching will be finished. In the process of grating etching, the method divides the grating etching process into sections, inhibits the accumulation of group III and V elements on the etched surface, reduces the formation of polymer, and does not increase the substrate temperature significantly; and introduces surface cleaning technology in the period of section, uses oxygen dry etching to etch the grating surface, and reacts with organic polymer to produce volatile products. The polymer produced in the etching process can be effectively removed to make the grating surface smooth.
【技术实现步骤摘要】
一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法
本专利技术属于纳米光栅制作领域，具体涉及一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法。
技术介绍
现有技术中Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅制作过程中的材料刻蚀主要采用湿法腐蚀工艺和干法刻蚀工艺。湿法腐蚀工艺由于材料腐蚀过程中会产生严重的横向钻蚀而使Ⅲ-Ⅴ族材料的光栅深宽比无法满足设计要求；而干法刻蚀工艺在常温时由于材料刻蚀速率过快，无法精确控制光栅深度；并且会使用甲烷(CH4),大量的甲烷在材料界面处与材料中所含的Ⅲ、Ⅴ族元素在一定的浓度和较高的温度下会产生难以去除的聚合物，造成后续光栅表面外延生长困难；同时，材料界面处生成的非均匀分布聚合物会阻挡光栅刻蚀，造成刻蚀图形坑洼不平，图形尺寸可控性差。现有光栅刻蚀方法制备的光栅表面光洁度不佳，光栅尺寸误差大。激光器芯片的生产要求制备的Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅尺寸精确，同时光栅表面光洁度满足材料生长的要求。
技术实现思路
为了解决解决目前Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅表面光洁度不佳，光栅尺寸误差大的问题，本专利技术提出一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅低温刻蚀方法，包括：S1、采用干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ-...
【技术保护点】
1.一种Ⅲ‑Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，包括：S1、采用干法刻蚀Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ‑Ⅴ族材料晶圆上；S2、使用氧气干法刻蚀晶圆表面；S3、判断是否达到目标尺寸，若没达到则重复步骤S1～S2，否则结束刻蚀。
【技术特征摘要】
1.一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，包括：S1、采用干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆上；S2、使用氧气干法刻蚀晶圆表面；S3、判断是否达到目标尺寸，若没达到则重复步骤S1～S2，否则结束刻蚀。2.根据权利要求1所述的一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，在采用干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆的过程...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘昆，叶嗣荣，田坤，段利华，黄茂，莫才平，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆,50
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