平坦化机台及其平坦化方法技术

技术编号:21047097 阅读:34 留言:0更新日期:2019-05-07 23:51
本发明专利技术实施例提供一种平坦化机台及平坦化方法。所述平坦化机台包含台板及磨轮。所述台板经配置以支撑晶片。所述磨轮位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片。所述磨轮包含底环及安装于所述底环上的多个磨齿。所述多个磨齿包含多个磨粒,且所述多个磨粒呈球形。

Flattening Platform and Its Flattening Method

The embodiment of the invention provides a flattening machine and a flattening method. The flattening machine table comprises a table plate and a grinding wheel. The table plate is configured to support the wafer. The grinding wheel is located on the table plate and is configured to grind the wafer. The grinding wheel comprises a bottom ring and a plurality of grinding teeth mounted on the bottom ring. The plurality of grinding teeth comprises a plurality of abrasive grains, and the plurality of abrasive grains are spherical.

【技术实现步骤摘要】
平坦化机台及其平坦化方法
本专利技术实施例涉及平坦化机台及其平坦化方法。
技术介绍
通常通过研磨操作来将一硅晶片的背面薄化到一特定厚度。此研磨操作可使硅晶片的厚度快速变薄,但其会因具有菱形砂粒的磨轮而诱发严重损坏表面。在研磨操作之后,硅晶片具有高泄漏或边缘破裂风险。因此,需要修改一平坦化操作以提高装置性能以及减少制造成本及处理时间。
技术实现思路
本专利技术的一实施例涉及一种平坦化机台,其包括:台板,其经配置以支撑晶片;及磨轮,其位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片,所述磨轮包括底环及多个磨齿,所述多个磨齿安装于所述底环上,所述多个磨齿包括多个磨粒,其中所述多个磨粒呈球形。本专利技术的一实施例涉及一种平坦化机台,其包括:台板,其经配置以支撑晶片;框架,其安置于所述台板上,其中所述框架包围所述晶片以在所述台板上界定用于容纳研浆的贮槽;及磨轮,其位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片。本专利技术的一实施例涉及一种平坦化方法,其包括:将晶片安置于贮槽中;将研浆供给到所述贮槽中,其中所述研浆包括电解质及多个磨光剂;将电压电位施加于所述电解质与所述晶片之间以电化学蚀刻所述晶片;及使用磨轮来研磨所述晶片。附图说明从结合附图来解读的以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应强调,根据行业标准惯例,各种装置未按比例绘制。事实上,为使讨论清楚,可任意增大或减小各种装置的尺寸。图1绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。图1A是根据本揭露的一些实施例的磨轮的放大剖面图。图1B是根据本揭露的一些实施例的磨轮的放大俯视图。图2绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。图3是绘示根据本揭露的各种方面的用于平坦化晶片的方法的流程图。图4绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。图4A绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。图4B绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。图5是绘示根据本揭露的各种方面的用于平坦化晶片的方法的流程图。图6是绘示根据本揭露的各种方面的用于将电压电位施加于电解质与晶片之间的方法的流程图。图7绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台40的示意剖面图。图8绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。图9绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台的示意剖面图。具体实施方式以下揭露提供用于实施所提供主题的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文将描述组件及布置的特定实例以简化本揭露。当然,这些仅为实例且不意在限制。例如,在以下描述中,“使第一装置形成于第二装置上方或第二装置上”可包含其中形成直接接触的所述第一装置及所述第二装置的实施例,且还可包含其中额外装置可形成于所述第一装置与所述第二装置之间使得所述第一装置及所述第二装置可不直接接触的实施例。此外,本揭露可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简化及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。如本文所使用,除非内文另有明确指示,否则单数形式“一”及“所述”意图还包含复数形式。应进一步了解,本说明书中所使用的术语“包括”或“包含”或“具有”特指存在所述装置、区域、整体、操作、元件及/或组件,但不排除存在或新增一或多个其它装置、区域、整体、操作、元件、组件及/或其等的群组。此外,为便于描述,例如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”、“在…上”等空间相对术语在本文中可用于描述一元件或装置与另一(些)元件或装置的关系,如图中所绘示。空间相对术语除涵盖图中所描绘的定向之外,还意图涵盖装置在使用或操作中的不同定向。机台可依其它方式定向(旋转90度或依其它定向)且还可因此解译本文所使用的空间相对描述词。如本文所使用,例如“第一”及“第二”的术语描述各种元件、复合物、区域、层及/或区段,这些元件、组件、区域、层及/或区段不应受限于这些术语。这些术语可仅用于使元件、组件、区域、层或区段彼此区分。除非内文明确指示,否则本文所使用的例如“第一”及“第二”的术语不隐含一序列或顺序。如本文所使用,术语“大体上”是指一动作、特性、性质、状态、结构、项目或结果的完全或几乎完全范围或程度。例如,“大体上”与另一表面共面的一表面将意味着这两个表面完全位于相同平面中或几乎完全位于相同平面中。在一些情况中,从绝对完全性的准确可允许偏离程度可取决于特定背景。然而,一般来说,接近完成将具有相同于实现绝对及全部完成的总体结果。在本揭露的一些实施例中,将具有大体上磨圆外围的球形磨粒整合到平坦化机台的磨轮的磨齿中。因此,可减少在研磨操作期间损坏晶片的表面且可达成较薄厚度的性能。可归因于达成较少损坏而跳过边缘修整操作。在本揭露的一些实施例中,将电化学蚀刻贮槽并入到平坦化机台中以在研磨操作期间实施电化学蚀刻。电化学蚀刻可有助于在研磨操作期间加速晶片的去除速率。图1绘示根据本揭露的一些实施例的平坦化机台10的示意剖面图。如图1中所展示,平坦化机台10包含台板100及安置于台板100上的磨轮210。在一些实施例中,台板100经配置以支撑一或多个晶片102。在一些实施例中,平坦化机台10可包含位于台板100上且经配置以固定(若干)晶片102的一或多个卡盘台101。晶片102及卡盘台101的数目可相同,使得卡盘台101可用于固定对应晶片102。在研磨操作期间,晶片102可放置于卡盘台101上。在一些实施例中,卡盘台101可通过真空、静电电荷(ESC)等来固持晶片102。在一些实施例中,在研磨操作期间,台板100可围绕第一轴线104旋转,而磨轮210可围绕第二轴线204旋转。台板100及磨轮210可在相同方向或不同方向上旋转。在一些实施例中,卡盘台101也可(但不限于)围绕第一轴线104旋转。在一些其它实施例中,台板100及卡盘台101可围绕不同轴线旋转。在一些实施例中,台板100可相对于磨轮210垂直移动,使得磨轮210可与用于研磨的晶片102接触。在一些实施例中,如图1中所展示,晶片102包含例如块状半导体衬底的半导体衬底102a。块状半导体衬底可包含:元素半导体,例如硅;化合物半导体,例如硅锗、碳化硅;或其等的组合。在一些实施例中,晶片102包含安置于晶片102上或晶片102中的若干装置102b,例如电路、晶体管等等。在一些实施例中,形成于晶片102上或晶片102中的电路可为适合于一特定应用的任何电路类型。在一些实施例中,晶片102可包含CMOS衬底。在一些实施例中,晶片102可包含堆叠晶片。在一些实施例中,如图1中所展示,晶片102可由磨轮210从背面102c研磨以减小厚度且平坦化晶片102的背面102c。在一些实施例中,可由马达(图中未展示)驱动磨轮210旋转。在一些实施例中,磨轮210包含底环201及多个磨齿202。底环201可包含具有用于散热及去除碎屑的中空区域的环形结构。在一些实施例中,磨齿202安装于底环201上且面向晶片102。多个磨齿202可包含多个磨粒202b。图1A是根据本揭露的一些实施例的磨轮210的放大剖面图,且图1B是根据本揭露的一些实施例的磨轮210的放大俯视图。如图1A及图1B中所展示,磨轮210包含底环201及连接到底环201的多个磨齿202。在一些实施例中,磨齿202可包含基材202a及施配于基材202a中的多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平坦化机台,其包括:台板,其经配置以支撑晶片;及磨轮,其位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片,所述磨轮包括:底环;及多个磨齿,其安装于所述底环上,所述多个磨齿包括多个磨粒,其中所述多个磨粒呈球形。

【技术特征摘要】
2017.10.30 US 62/578,822;2018.08.16 US 16/104,0941.一种平坦化机台,其包括:台板,其经配置以支撑晶片;及磨轮,其位于所述台板上且经配置以研磨所述晶片,所述磨轮包括:底环;及多个磨齿,其安装于所述底环上,所述多个磨齿包括多个磨粒,其中所述多个磨粒呈球形。2.根据权利要求1所述的平坦化机台,其中所述多个磨粒的莫氏硬度大体上等于或大于9。3.根据权利要求1所述的平坦化机台,其进一步包括位于所述台板上且经配置以固定所述晶片的卡盘台。4.根据权利要求3所述的平坦化机台,其中所述台板及所述卡盘台能够围绕不同轴线旋转。5.一种平坦化机台,其包括:台板,其经配置以支撑晶片;框架,其安置于所述台板上,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴铭栋蓝浚恺周东和匡训沖
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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