【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低成本且非矩形触摸传感器矩阵的均匀性校正方法相关申请本申请为于2017年9月20日提交的申请号为15/710,488的美国专利申请的国际申请,本申请要求于2016年12月14日提交的申请号为62/434,003的美国临时专利申请的优先权,以上所有申请通过引用以其整体并入本文。
本公开涉及用户接口设备领域,尤其涉及感测设备。背景触摸阵列可以用来代替机械按钮、旋钮和其他类似的机械用户接口控件,在恶劣条件下提供可靠的操作。触摸面板(例如,触摸感测表面)的触摸阵列广泛用于现代客户的应用中,在现有产品中提供了新的用户接口选项。触摸控制器可以从触摸阵列接收信号。信号可以与值(例如,电容值、电阻值、触摸感测值等)对应。例如,当没有物体与触摸面板接触或非常接近时,触摸控制器可以接收与触摸阵列的基线值相对应的信号。当诸如手指之类的物体与触摸面板接触或非常接近时,触摸控制器可以接收对应于第二值(例如电容值、电阻值、触摸感应值等)的信号,该第二值不同于触摸阵列的基线值。触摸控制器可以将信号转换为数字值(例如,触摸控制器可以处理信号并将其数字化以生成测量值),这些数字值作为测量值存储在电子设备的存储器中。传统的触摸控制器可以通过使用标准固件(例如,通用可配置固件)来处理从矩形触摸阵列接收的信号。传统的触摸控制器不能使用通用可配置固件处理从非矩形触摸阵列接收的信号。附图简述在附图的图中,本专利技术通过示例而非限制的方式被示出,在附图中:图1A是示出根据一个实施例的具有用于修改与触摸面板的触摸阵列的单位单元相对应的值的校正矩阵的示例性系统的框图。图1B示出了根据一个实施例的包括触 ...
【技术保护点】
1.一种感测设备,包括:存储器,其存储:与非矩形触摸阵列的多个单位单元中的至少一个单位单元的测量特征相对应的一组触摸感测值;以及校正矩阵,所述校正矩阵限定所述非矩形触摸阵列的活动区和非活动区;以及耦合到所述存储器的处理元件,所述处理元件修改所述多个单位单元的子集的触摸感测值,其中所述多个单位单元的所述子集没有完全在由所述校正矩阵的校正值限定的所述活动区内。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.14 US 62/434,003;2017.09.20 US 15/710,4881.一种感测设备,包括:存储器,其存储:与非矩形触摸阵列的多个单位单元中的至少一个单位单元的测量特征相对应的一组触摸感测值;以及校正矩阵,所述校正矩阵限定所述非矩形触摸阵列的活动区和非活动区;以及耦合到所述存储器的处理元件,所述处理元件修改所述多个单位单元的子集的触摸感测值,其中所述多个单位单元的所述子集没有完全在由所述校正矩阵的校正值限定的所述活动区内。2.根据权利要求1所述的感测设备,其中:所述非矩形触摸阵列包括多个行感测元件和多个列感测元件;所述多个行感测元件中的每一个行感测元件设置在与第一轴平行的相应的行轴的附近;所述多个列感测元件中的每一个列感测元件设置在与第二轴平行的相应的列轴的附近;所述多个单位单元中的每一个单位单元由所述多个行感测元件中的相应的行感测元件和所述多个列感测元件中的相应列感测元件的相交所限定;所述活动区由所述多个行感测元件和所述多个列感测元件限定;以及所述非矩形触摸阵列的活动区的一个或更多个边缘与所述第一轴和所述第二轴不平行。3.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述感测设备是电容感测设备,并且所述非矩形触摸阵列是电容传感器阵列。4.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述感测设备是电阻感测设备,并且所述非矩形触摸阵列是电阻传感器阵列。5.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述感测设备是红外感测设备,并且所述非矩形触摸阵列是红外传感器阵列。6.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述感测设备是光学感测设备,并且所述非矩形触摸阵列是光学传感器阵列。7.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述感测设备是声感测设备,并且所述非矩形触摸阵列是声传感器阵列。8.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述非矩形触摸阵列包括从所述非矩形触摸阵列的上表面到所述非矩形触摸阵列的下表面的一个或更多个开口。9.根据权利要求1所述的感测设备,其中,所述校正值包括单位增益校正值、掩码校正值或非单位增益校正值中的至少一个。10.根据权利要求9所述的感测设备,其中,所述校正矩阵限定边缘区域,其中,所述处理元件用于以下中的至少一项:通过所述单位增益校正值提供用于所述活动区的单位增益功能、通过所述掩码校正值提供用于所述非活动区的掩码功能或者通过所述非单位增益校正值提供用于所述边缘区域的增益功能。11.一种方法,包括:存储与非矩形触摸阵列的多个单位单元中的至少一个单位单元的测量特征相对应的一组触摸感测值;以及访问限定所述非矩形触摸阵列的活动区和非活动区的校正矩阵;以及修改所述多个单位单元的第一子集的触摸感测值,所述多个单位单元的所述第一子集部分地在由所述校正矩阵的校正值限定的所述活动区内。12.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:安德理·亚欧旭,延斯·韦伯,
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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