GaN HEMT毫米波可重构天线及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaN HEMT毫米波可重构天线及其制备方法，所述天线包括衬底，所述衬底上外延生长有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层上生长有GaN层，所述GaN层的左右两侧设置有中间不相接触的AlGaN层，左右两侧的AlGaN层上设置有欧姆接触金属电极，所述欧姆接触金属电极的下表面与所述GaN层相接触，所述AlGaN层的上表面以及两个AlGaN层之间的GaN层的上表面设置有不规则周期结构的金属条，所述不规则周期结构的金属条形成啁啾布拉格光栅，左右两侧AlGaN层的上表面的所述布拉格光栅结构通过金属层连接到一起，形成整体的栅金属层。所述天线可重构，工作方式简单，且制作工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
GaNHEMT毫米波可重构天线及其制备方法
本专利技术涉及毫米波天线
，尤其涉及一种GaNHEMT毫米波可重构天线及其制备方法。
技术介绍
随着现代雷达和通信系统的迅速发展，为实现通信、导航、制导、警戒、武器寻的等目的，飞机、轮船、卫星等所需的天线数量越来越多。这使得平台上所负载的重量不断增加，而且搭建天线所需的费用也不断上升，同时，各天线之间的电磁下扰也非常大，严重影响天线的正常工作。为减轻平台上所负载的天线重量、降低成本、减小平台的雷达散射截面实现良好的电磁兼容特性，希望能用一个天线来实现多个天线的功能。通过动态改变其物理结构或尺寸或其性质，使其具有多种功能，这种天线就称为可重构天线。毫米波是指频率处于26.5GHz-300GHz的一段电磁波，毫米波和太赫兹波在高速无线通信，雷达，人体安全检测等领域具有广阔的应用前景，要实现毫米波频段信号的发射和接收，离不开各种毫米波天线。在毫米波的高端，例如100GHz以上的毫米波频段，即进入了太赫兹频率，太赫兹频率指100GHz-10THz的电磁波，1THz=1000GHz，在毫米波和太赫兹重叠频率100GHz-300GHz在未来通信、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种GaN HEMT毫米波可重构天线，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）上外延生长有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）上生长有GaN层（3），所述GaN层（3）的左右两侧设置有中间不相接触的AlGaN层（4），左右两侧的AlGaN层（4）上设置有欧姆接触金属电极（5），所述欧姆接触金属电极（5）的下表面与所述GaN层（3）相接触，所述AlGaN层（4）的上表面以及两个AlGaN层（4）之间的GaN层（3）的上表面设置有不规则周期结构的金属条（6），所述不规则周期结构的金属条形成啁啾布拉格光栅，左右两侧AlGaN层（4）的上表面的所述布拉格光栅结构通过金属层连接到一起，形成整...

【技术特征摘要】
1.一种GaNHEMT毫米波可重构天线，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）上外延生长有AlN缓冲层（2），所述AlN缓冲层（2）上生长有GaN层（3），所述GaN层（3）的左右两侧设置有中间不相接触的AlGaN层（4），左右两侧的AlGaN层（4）上设置有欧姆接触金属电极（5），所述欧姆接触金属电极（5）的下表面与所述GaN层（3）相接触，所述AlGaN层（4）的上表面以及两个AlGaN层（4）之间的GaN层（3）的上表面设置有不规则周期结构的金属条（6），所述不规则周期结构的金属条形成啁啾布拉格光栅，左右两侧AlGaN层（4）的上表面的所述布拉格光栅结构通过金属层连接到一起，形成整体的栅金属层（7）；通过AlGaN层（4）和GaN层（3）之间的电压控制，控制AlGaN层自发压电极化产生的二维电子气浓度，使天线工作在四种状态：1）天线沿啁啾布拉格光栅向左、向右双向辐射；2）天线仅向左辐射；3）天线仅向右辐射；4）天线处于关闭状态。2.如权利要求1所述的GaNHEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述衬底（1）为SiC衬底。3.如权利要求1所述的GaNHEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述欧姆接触金属电极（5）的制作材料使用Ti、Au、Ge、Ni和/或Au。4.如权利要求1所述的GaNHEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述栅金属层（7）的制作材料使用Ti、Al、Ni和/或Au。5.如权利要求1所述的GaNHEMT毫米波可重构天线，其特征在于：所述天线工作于100GHz-300GHz，其中心频率为200GHz，对应波长为1.5mm，所述天线中AlGaN层上方的金属条间距为0.15mm到1....

【专利技术属性】
技术研发人员：胡南，谢文青，刘建睿，赵丽新，刘爽，袁昌勇，
申请(专利权)人：北京星英联微波科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11