一种耐高温双面异质复合电极芯片电容制造技术

本发明专利技术涉及一种耐高温双面异质复合电极芯片电容，所述芯片电容包括电容陶瓷基片、表面电极和底面电极，所述表面电极和底面电极分别设于所述电容陶瓷基片的两表面上，所述表面电极为银层，所述底面电极由银层、钛钨层、铜层和金层从内向外依次在电容陶瓷基片上层叠而成。本发明专利技术所述的耐高温双面异质复合电极芯片电容的底面适合回流焊工艺要求，同时表面适合打线键合，其具有邦定效果好、耐高温、可靠性高、稳定性高的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温双面异质复合电极芯片电容
本专利技术涉及电子元件
，特别是涉及一种耐高温双面异质复合电极芯片电容及其制备方法。
技术介绍
单层陶瓷芯片电容(Single-layercapacitors,SLC)具有尺寸小、厚度薄、等效串联电阻低、损耗低等优点，其适用频率可达100MHz-100GHz，在高频、微波、小型、微型化的场合有广阔的应用前景。单层陶瓷芯片电容广泛应用于微波通讯线路、微波功率放大器、模块(蓝牙模块、集成电路外贴元件、混合集成电路模块、无线电微波通讯模块)、振荡电路、定时延时电路、耦合电路、抑制高频噪音电路、射频旁路以及微波集成电路中，是军用和民用高可靠、高稳定性产品。单层陶瓷芯片电容的大部分产品用于通讯电子和军事武器中，在日常生活和国家战略中发挥重要作用。如图1所示，现有的芯片电容包括电容陶瓷基片1’、表面电极2’和底面电极3’，所述表面电极2’和底面电极3’分别设于所述电容陶瓷基片1’的两表面上，表面电极2’和底面电极3’都采用同一种金属制作，例如都采用银或都采用金制作。由于芯片电容的电容陶瓷基片1’、表面电极2’和底面电极3’都是经过800℃以上温度烧结而成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耐高温双面异质复合电极芯片电容，包括电容陶瓷基片、表面电极和底面电极，所述表面电极和底面电极分别设于所述电容陶瓷基片的两表面上，其特征在于：所述表面电极为银层，所述底面电极由银层、钛钨层、铜层和金层从内向外依次在电容陶瓷基片上层叠而成。

【技术特征摘要】
1.一种耐高温双面异质复合电极芯片电容，包括电容陶瓷基片、表面电极和底面电极，所述表面电极和底面电极分别设于所述电容陶瓷基片的两表面上，其特征在于：所述表面电极为银层，所述底面电极由银层、钛钨层、铜层和金层从内向外依次在电容陶瓷基片上层叠而成。2.根据权利要求1所述的耐高温双面异质复合电极芯片电容，其特征在于：所述底面电极中，所述银层的厚度为5～7微米，所述钛钨层的厚度为0.1～0.15微米，所述铜层的厚度为0.1～0.2微米，所述金层的厚度为0.25～0.55微米。3.根据权利要求1所述的耐高温双面异质复合电极芯片电容，其特征在于：所述底面电极的钛钨层中，钛与钨的质量比为1:9。4.根据权利要求1所述的耐高温双面异质复合电极芯片电容，其特征在于：所述表面电极的银层厚度为5～7微米。5.根据权利要求1所述的耐高温双面异质复合电极芯片电容，其特征在于：所述表面电极的银层和底面电极的银层均是通过在所述电容陶瓷基片上印刷银浆并高温烧结的方式形成；所述底面电极的钛钨层、铜层和金层都是采用溅射法形成的。6.权利要求1-5任一项的耐高温双面异质复合电极芯片电容的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：在片状的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈刘鑫，段兆祥，杨俊，唐黎民，柏琪星，
申请(专利权)人：广东爱晟电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44