过压保护电路、集成高压电路及集成低压电路制造技术

一种过压保护电路、集成高压电路及集成低压电路，所述过压保护电路包括：PWM信号产生模块、电阻分压模块、上电清零模块、开关控制模块、比较器模块和逻辑处理模块，其中：所述PWM信号产生模块，输出端分别与所述电阻分压模块和所述上电清零模块耦接；所述电阻分压模块，与所述开关控制模块耦接；所述上电清零模块，与所述开关控制模块耦接；所述开关控制模块，与所述比较器模块的第一输入端耦接；所述比较器模块，第二输入端适于输入参考电压信号；所述逻辑处理模块，与所述比较器模块的输出端耦接，用于对所述比较器模块输出的过压保护信号进行逻辑处理。应用上述过压保护电路，可以降低功耗和电阻面积。

【技术实现步骤摘要】
过压保护电路、集成高压电路及集成低压电路
本技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种过压保护电路、集成高压电路及集成低压电路。
技术介绍
随着电动汽车、电动自行车等应用的飞速发展，集成电路的应用变得越来越广泛。在模拟集成电路中，尤其对于高压电源电路，当芯片输入电压波动过大，例如输入电压超出预设值时，容易造成芯片内部器件的损坏，继而损毁芯片。故需要引入过压保护电路，避免输入电压波动过大导致的芯片损坏问题。现有的过压保护电路，直接使用电阻分压，其分压支路一直导通，功耗大。对于低压电源，将电阻阻值做大，即电阻面积做大可以适当地降低功耗。对于高压电源(如40V或者更高的电源电压)，为了保证较低的电路功耗，例如微安(μA)级别的电路功耗，需要非常大的电阻面积，导致正常面积的芯片难以实现。故现有的过压保护电路功耗较大，或者电阻面积较大。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是如何降低过压保护电路的功耗和电阻面积。为解决上述技术问题，本技术实施例提供一种过压保护电路，包括PWM信号产生模块、电阻分压模块、上电清零模块、开关控制模块、比较器模块和逻辑处理模块，其中：所述PWM信号产生模块，输出端分别与所述电阻分压模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：PWM信号产生模块、电阻分压模块、上电清零模块、开关控制模块、比较器模块和逻辑处理模块，其中：所述PWM信号产生模块，输出端分别与所述电阻分压模块和所述上电清零模块耦接；所述电阻分压模块，与所述开关控制模块耦接，用于接收所述PWM信号产生模块输出的PWM信号，并产生采样电压信号输出至所述开关控制模块；所述上电清零模块，与所述开关控制模块耦接，用于产生高电平清零信号并输出至所述开关控制模块，以使所述采样电压信号降低；所述开关控制模块，与所述比较器模块的第一输入端耦接，用于接收所述采样电压信号和所述清零信号，产生开关信号并输出至所述比较器模块的第一输入端；所...

【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：PWM信号产生模块、电阻分压模块、上电清零模块、开关控制模块、比较器模块和逻辑处理模块，其中：所述PWM信号产生模块，输出端分别与所述电阻分压模块和所述上电清零模块耦接；所述电阻分压模块，与所述开关控制模块耦接，用于接收所述PWM信号产生模块输出的PWM信号，并产生采样电压信号输出至所述开关控制模块；所述上电清零模块，与所述开关控制模块耦接，用于产生高电平清零信号并输出至所述开关控制模块，以使所述采样电压信号降低；所述开关控制模块，与所述比较器模块的第一输入端耦接，用于接收所述采样电压信号和所述清零信号，产生开关信号并输出至所述比较器模块的第一输入端；所述比较器模块，第二输入端适于输入参考电压信号，用于产生过压保护信号；所述逻辑处理模块，与所述比较器模块的输出端耦接，用于对所述比较器模块输出的过压保护信号进行逻辑处理。2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述电阻分压模块包括以下任意一种电路:第一分压电路和第二分压电路，其中：所述第一分压电路包括：第一NMOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻，其中：所述第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接，接入所述PWM信号，所述第一NMOS管的源极接地，所述第一NMOS管的漏极与所述第一电阻的第二端口耦接；所述第一电阻，所述第一电阻的第一端口与所述第二电阻的第二端口、所述开关控制模块耦接；所述第二电阻，所述第二电阻的第一端口与所述第三电阻的第二端口耦接；所述第三电阻，所述第三电阻的第一端口接电源电压；所述第二分压电路包括：第九PMOS管、第五电阻和第六电阻，其中：所述第九PMOS管，所述第九PMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接，接入所述PWM信号，所述第九PMOS管的源极接入电源电压，所述第九PMOS管的漏极与所述第六电阻的第一端口耦接；所述第六电阻，所述第六电阻的第二端口与所述第五电阻的第一端口、所述开关控制模块耦接；所述第五电阻，所述第五电阻的第二端口接地。3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述开关控制模块包括：第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第四电阻，其中：所述第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与所述上电清零模块的输出端耦接，接入所述清零信号，所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的漏极与所述第四电阻的第二端口耦接；所述第四电阻，所述第四电阻的第一端口与所述第三NMOS管的漏极、所述电阻分压模块耦接；所述第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极与所述PWM信号产生模块耦接，接入所述PWM信号，所述第三NMOS管的源极与所述第四NMOS管的漏极耦接；所述第四NMOS管，所述第四NMOS管的栅极与所述上电清零模块的第一端口耦接，所述第四NMOS管的源极与所述第五NMOS管的漏极、所述比较器模块的第一输入端耦接；所述第五NMOS管，所述第五NMOS管的栅极与所述上电清零模块的第二端口耦接，所述第五NMOS管的源极接地。4.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述上电清零模块包括：第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、与非门和第一MOS管，其中：所述第一反相器，所述第一反相器的输入端与所述与非门的第一输入端、所述PWM信号产生模块耦接，所述第一反相器的输出端与所述第二反相器的输入端耦接；所述第二反相器，所述第二反相器的输出端与所述第三反相器的输入端、第一MOS管的栅极耦接；所述第一MOS管，所述第一MOS管的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，刘勇江，袁俊，陈光胜，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31