一种BMS正端断路的保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种BMS正端断路的保护电路，包括：MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极依次通过二极管D1、电阻R1接地，通过电阻R2连接BMS正极，漏极连接BMS正极，源极电源电压为VGD。本实用新型专利技术提供的一种BMS正端断路的保护电路，通过简单而且成本低廉的方式解决了在BMS保护电路中正端断路时出现继续输出电流的问题，增加电路的可靠性和稳定性，对目前主流的BMS控制方案的广泛应用起到一定的促进作用，系统各项技术指标均达到设计要求，工作可靠，同时外围电路的设计非常简洁，元件少而且能量损耗小，本实用新型专利技术误差较小，功率MOSFET驱动电压不需要调整，通过稳定的电路设计，其稳定性与准确性得到很大的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种BMS正端断路的保护电路
本技术涉及BMS检测电路
，尤其涉及一种BMS正端断路的保护电路。
技术介绍
近年来，可充电锂电池运用的越来越多，由于锂电池的容量与大小的限制，如果要用在大电压与大电流的场合就必须多个锂电池串联或者并联在一起使用。为了保证每个电池的均衡和监视每个电池的状态就引入了BMS保护电路，正端控制的BMS保护电路可以快速切断电池包与外界的联系，因此比负端保护电路更加优秀。BMS保护电路基本上都是运用多个功率MOSFET并联来增大输出电流，在BMS的正端断路的保护电路中，如果对BMS保护突然断路，由于充电端(负载端)的输出端是处于高压状态，由于N沟道MOSFET突然断开，这样在N沟道MOSFET的漏极突然变成0，这样就会在连接漏极的电路形成电感，这样的话充电端(负载端)就会形成负电压就会迫使N沟道MOSFET打开，这样的话就会很危险。因此，现有技术需要改进。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术公开了一种BMS正端断路的保护电路，以解决现有技术中存在的问题。所述BMS正端断路的保护电路包括：MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极依次通过二极管D1、电阻R1接地，通过电阻R2连接BMS正极，漏极连接BMS正极，源极电源电压为VGD；当所述BMS正极因故障变为负压时，MOS管Q1导通，MOS管Q1的栅极电压拉低到与漏极电压，BMS正极不会存在继续输出电流的情况。基于上述BMS正端断路的保护电路的另一个实施例中，所述MOS管Q1为N沟道MOS管。与现有技术相比，本技术包括以下优点：本技术提供的一种BMS正端断路的保护电路，通过简单而且成本低廉的方式解决了在BMS保护电路中正端断路时出现继续输出电流的问题，增加电路的可靠性和稳定性，对目前主流的BMS控制方案的广泛应用起到一定的促进作用，系统各项技术指标均达到设计要求，工作可靠，同时外围电路的设计非常简洁，元件少而且能量损耗小，本技术误差较小，功率MOSFET驱动电压不需要调整，通过稳定的电路设计，其稳定性与准确性得到很大的提高。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术的BMS正端断路的保护电路的一个实施例的电路图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。下面结合附图和实施例对本技术提供的一种BMS正端断路的保护电路及检测方法进行更详细地说明。图1是本技术的BMS正端断路的保护电路的一个实施例的电路图，如图1所示，该BMS正端断路的保护电路包括：MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极依次通过二极管D1、电阻R1接地，通过电阻R2连接BMS正极，漏极连接BMS正极，源极电源电压为VGD；当所述BMS正极因故障变为负压时，MOS管Q1导通，MOS管Q1的栅极电压拉低到与漏极电压，BMS正极不会存在继续输出电流的情况。所述MOS管Q1为N沟道MOS管。以上对本技术所提供的一种BMS正端断路的保护电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BMS正端断路的保护电路，其特征在于，包括：MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极依次通过二极管D1、电阻R1接地，通过电阻R2连接BMS正极，漏极连接BMS正极，源极电源电压为VGD；当所述BMS正极因故障变为负压时，MOS管Q1导通，MOS管Q1的栅极电压拉低到与漏极电压，BMS正极不会存在继续输出电流的情况。

【技术特征摘要】
1.一种BMS正端断路的保护电路，其特征在于，包括：MOS管Q1，所述MOS管Q1的栅极依次通过二极管D1、电阻R1接地，通过电阻R2连接BMS正极，漏极连接BMS正极，源极电源电压为VGD；当所述BMS正极...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴伟，李梓立，徐俊成，秦友强，
申请(专利权)人：东莞博力威电池有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44