一种半模基片集成波导放大模块制造技术

本发明专利技术涉及微波电路技术，具体涉及一种半模基片集成波导(HMSIW)放大模块。本发明专利技术实现在半模基片集成波导本体中，在与电磁场传播的垂直方向的HMSIW本体中线处开一条槽线，并在虚拟磁壁一侧安装放大器，通过金丝跳线输入放大器，经过放大器放大后，再通过金丝跳线输出到另一边的HMSIW传输线。本发明专利技术在一定频段内，可以使HMSIW特性阻抗与放大器输入输出阻抗匹配，从而可以省去HMSIW与放大器之间的匹配网络，进而简化电路的结构，减小电路的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种半模基片集成波导放大模块
本专利技术涉及微波放大器，具体涉及一种半模基片集成波导(HalfModeSubstrateIntegratedWaveguide,HMSIW)放大模块。
技术介绍
微波放大器常用来将输入小功率信号放大到预定的功率值，其输入输出传输线一般为微带线、共面波导或接地共面波导等。基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide，SIW)作为一种新型的传输线结构已经被广泛地用于微波与毫米波电路，其具有损耗低、微波性能优良、易于集成等优点。另一方面，为了进一步减少电路的面积，半模基片集成波导(HMSIW)传输结构被提出。与基片集成波导相比，半模基片集成波导传输TE0.5,0模，其在保留基片集成波导优点的同时，电路尺寸上缩小近一半。与SIW的性能类似，HMSIW同时也具备了传统金属波导和微带线的优点，能够在平面电路中很方便的实现高性能微波毫米波电路结构。根据工程实践经验和现有的文献报道，已有对小信号功率的放大实现在SIW/HMSIW中。另一方面，如果传输信号的结构形式是SIW/HMSIW，常规方法需要引入两个SIW/HMSIW到微带线的过渡结构来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半模基片集成波导放大模块，包括微带线、渐变线、HMSIW本体和放大器，其特征在于：放大器输入输出端通过金丝跳线与HMSIW本体相连，HMSIW本体的两条宽边分别通过两条渐变线与两条微带线相连；HMSIW放大模块的底部，还有一个金属腔体用于印制板和放大器的安装；HMSIW本体宽边长度为Ws，即金属化通孔行与HMSIW本体虚拟磁壁面的距离；HMSIW本体长边的长度为Ls，渐变线与HMSIW本体宽边的衔接边长度为Wt；在渐变线与HMSIW本体的两条衔接边的金属化通孔一侧，各自引入一个匹配用的共计2个金属化通孔，且2个匹配用金属化通孔关于HMSIW中的中间槽线成轴对称；所述中间槽线设置于HMS...

【技术特征摘要】
1.一种半模基片集成波导放大模块，包括微带线、渐变线、HMSIW本体和放大器，其特征在于：放大器输入输出端通过金丝跳线与HMSIW本体相连，HMSIW本体的两条宽边分别通过两条渐变线与两条微带线相连；HMSIW放大模块的底部，还有一个金属腔体用于印制板和放大器的安装；HMSIW本体宽边长度为Ws，即金属化通孔行与HMSIW本体虚拟磁壁面的距离；HMSIW本体长边的长度为Ls，渐变线与HMSIW本体宽边的衔接边长度为Wt；在渐变线与HMSIW本体的两条衔接边的金属化通孔一侧，各自引入一个匹配用的共计2个金属化通孔，且2个匹配用金属化通孔关于HMSIW中的中间槽线成轴对称；所述中间槽线设置于HMSIW本体两长边的中垂线上，其垂直于电磁波传播方向，中间槽线长度Lc有Ws-Dvp/2≤Lc≤Ws，宽度Gap有Gap≥0.5mm，Dvp为金属化通孔的直径；在印制电路板上距离HMSIW本体虚拟磁壁距离为D1的地方，设有一个长宽分别为Amp_L、Amp_W的矩形方孔，Amp_L和Amp_W大于等于放大器的外围尺寸，矩形方孔的中心线与中间槽线的中心线对齐，在金属腔体上与矩形方孔处对应设置有一个凸台，凸台用于支撑安装在矩形方孔内的放大器；放大器的输入输出端通过金丝跳线与中间槽线两侧的HMSIW本体相连接，连接处为离放大器最近...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭浩，赵发举，周翼鸿，刘宇，杨涛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51