The utility model discloses an ultra-low static power consumption LDO circuit, which includes: a voltage output terminal for output stable voltage after modulation; a power transistor circuit module connected to the power supply, and a power transistor circuit module connected to the voltage output terminal; a grounded resistance feedback circuit module, and a resistance feedback circuit module connected to the power transistor circuit module; The gain amplifier module of reference voltage is also connected with resistance feedback circuit module and power transistor module, and the leakage current absorption module of grounding is also connected with power transistor circuit module. The LDO circuit disclosed by the utility model can absorb the leakage current generated by the circuit when the load current is zero, so that the static current can be released, and the output voltage caused by the resistance feedback circuit module with high resistance can be prevented from rising, which can not only prolong the service life of the load circuit, but also ensure the stability of the output voltage.
【技术实现步骤摘要】
一种超低静态功耗的LDO电路及驱动大负载的超低静态功耗的LDO电路
本技术涉及DC-DC装置领域,特别是超低静态功耗的LDO电路。
技术介绍
随着科技的发展,越来越多的电子产品成为了我们生活中不可或缺的东西,常用的如手机、数码相机等手持电子设备都广泛的使用了LDO电路,即低压差线性稳定器,其能够为负载提供安全稳定的直流稳压电源,随着节能环保要求的提高,低静态功耗LDO需求量日益增长;在一些超低功耗的应用比如物联网,手持设备等的系统中,系统需要nA级别静态功耗的LDO才能提高能量的使用效率;而现有工艺下,器件本身的漏电流就是nA级别,它会使LDO空载时产生一个非常大的直流电压,从而影响后续电路的使用寿命。同样的,对于一些LDO,空载时的高电压甚至会导致LDO电路无法正常运行。
技术实现思路
为了解决上述问题,本技术提供了一种超低静态功耗的LDO电路,既能实现nA级别静态功耗的LDO,又能很好的解决漏电流带来的后续电路寿命问题,可广泛应用于物联网,手持设备等低功耗领域。一种超低静态功耗的LDO电路,包括:电压输出端,用于输出调制后的稳定电压;接入电源的功率晶体管回路模块,并且功率晶体管回路模块与电压输出端相连;接地的电阻反馈回路模块,并且电阻反馈回路模块还与功率晶体管回路模块相连;接入基准电压的增益放大级模块,并且增益放大级模块还与电阻反馈回路模块、功率晶体管模块相连;接地的漏电流吸收模块,并且漏电流吸收模块还与功率晶体管回路模块相连。进一步的,漏电流吸收模块包括一个以上的反向二极管。进一步的,各反向二极管为并联结构关系。进一步的,反向二极管的正极与功率晶体管回路模块 ...
【技术保护点】
1.一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,包括:电压输出端,用于输出调制后的稳定电压;接入电源的功率晶体管回路模块,并且功率晶体管回路模块与电压输出端相连;接地的电阻反馈回路模块,并且电阻反馈回路模块还与功率晶体管回路模块相连;接入基准电压的增益放大级模块,并且增益放大级模块还与电阻反馈回路模块、功率晶体管模块相连;接地的漏电流吸收模块,并且漏电流吸收模块还与功率晶体管回路模块相连。
【技术特征摘要】
1.一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,包括:电压输出端,用于输出调制后的稳定电压;接入电源的功率晶体管回路模块,并且功率晶体管回路模块与电压输出端相连;接地的电阻反馈回路模块,并且电阻反馈回路模块还与功率晶体管回路模块相连;接入基准电压的增益放大级模块,并且增益放大级模块还与电阻反馈回路模块、功率晶体管模块相连;接地的漏电流吸收模块,并且漏电流吸收模块还与功率晶体管回路模块相连。2.根据权利要求1所述的一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,漏电流吸收模块包括一个以上的反向二极管。3.根据权利要求2所述的一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,各反向二极管为并联电路结构。4.根据权利要求3所述的一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,反向二极管的正极与功率晶体管回路模块相连,负极接地。5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,增益放大级模块为比较放大器,其中一个输入端连接基准电压,另一个输入端连接反馈回路模块,比较放大器的输出端与漏电流吸收模块相连。6.根据权利要求1-4任意一项所述的一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,功率晶体管回路模块为串联的调整管或者金氧半场效晶体管。7.根据权利要求1-4任意一项所述的一种超低静态功耗的LDO电路,其特征在于,电阻反馈回路模块包括串联的电阻Rf1和Rf2,其中,Rf1与功率晶体管回路模块相连,Rf...
【专利技术属性】
技术研发人员:虞海燕,
申请(专利权)人:上海毅栈半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。