一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法技术

本发明专利技术涉及一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法，所述方法包括如下步骤：1)将瓷砖坯体在850‑1000℃下进行第一次烧结；2)对步骤1)烧结后的坯体布施底釉，所述底釉包括8‑14％的有机粘接剂；3)对布施底釉后的坯体在Tf+150℃至T1‑50℃范围内进行第二次烧结，其中所述Tf为所述有机粘结剂的分解温度，所述T1为第一次烧结温度；4)对步骤3)所得坯体进行喷墨，墨水颜料的边界控制在距坯体对应纹理边界内150‑200微米处，喷墨量为50‑80g/m2·mm，所述m2为坯体表面面积，所述mm为底釉厚度；5)对喷墨完成的坯体进行助渗处理。根据本发明专利技术技术方案进行喷墨能够有效地控制墨水颜料渗透的程度，坯体与底釉纵向剖面上纹理吻合度高，极大提高了瓷砖的立体感和仿真度。

An Inkjet Method for High Simulation of Marble Tiles

The invention relates to an inkjet method for high simulation marble tile, which comprises the following steps: 1) first sintering ceramic tile body at 850 1000 C; 2) applying bottom glaze to the sintered body, the bottom glaze includes 8 14% organic adhesive; 3) second sintering of the body after applying bottom glaze in the range of Tf+150 C to T1 50 C. Tf is the decomposition temperature of the organic binder. The T1 is the first sintering temperature. 4) Ink-jet is carried out on the green body obtained in step 3. The boundary of ink pigments is controlled at 150 to 200 microns from the corresponding texture boundary of the green body. The amount of ink-jet is 50 to 80 g/m2.mm. The M2 is the surface area of the green body, and the MM is the thickness of the bottom glaze. 5) The green body completed by ink-jet is treated with a penetration aid. According to the technical scheme of the invention, ink-jet can effectively control the penetration degree of ink pigments, and the texture of the green body and the bottom glaze on the longitudinal section is highly consistent, which greatly improves the stereo sense and simulation degree of the ceramic tile.

【技术实现步骤摘要】
一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法
本专利技术涉及一种瓷砖的喷墨方法，具体涉及一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法。
技术介绍
天然大理石因其高贵典雅的外观一直是人们追捧的石材装饰材料，然而天然大理石作为一种不可再生资源，开采和制作成本越来越高，为了满足人们日益增长得天然大理石需求同时合理控制制作成本，目前市面上出现了越来越多的人造大理石。然而由于技术欠佳，制备得到的人造大理石仿真度和立体感均不理想，极大地影响了大理石的逼真度。申请号为CN201110187245.6中国专利通过研发得到适用于喷墨打印的陶瓷渗透釉，具体而言，改技术方案是是将一种或几种可发色的可溶性金属盐溶于去离子水为主要溶剂、乙二醇、丙三醇有机溶剂按一定比例配制好的溶液中，完全溶解好后，加入表面活性剂、粘度调节剂、渗透剂、PH值调节剂，还可加入着色剂及防腐剂以改善性能，调和为粘度为1-10mpa·s、导电率大于100ms/m、PH值7-8.5具有渗透性质的水性釉料，该水性釉料可在陶瓷喷墨打印设备上使用，通过喷墨打印设计图案后的瓷砖经辊道窑1080℃～1200℃高温烧制后，呈现出不同的纹理及颜色装饰效果。然而，由于缺乏特定的控制工艺，上述方法得到的渗透釉仍然存在渗透效果不理想，纹理不清晰等问题，严重影响了瓷砖的立体感和逼真度。申请号为CN201210331440.6的中国专利技术专利公开了一种渗花瓷质砖的制备方法，该方法通过选用包括含有Fe的水溶性金属盐、含有Au的水溶性金属盐、含有Cr的水溶性金属盐、含有Co的水溶性金属盐中的一种以上的墨水以及选用含有SiO2：60％～70％，Al2O3：15％～25％，MgO+CaO：0～3％，K2O+Na2O：3.5％～8％，ZnO：0.2％～5％，TiO2：0.2％～5％，余量为杂质，面浆的细度为325目筛余量在0.5％以内，比重为1.60～1.90g/cm3的面浆，采用喷墨印刷的方式将墨水喷涂在生坯上。由于该方法仅对油墨及底釉的组成进行了优化，并未涉及控制工艺上的匹配，因此仍然会存在油墨渗透不可控，逼真度不够的问题。专利申请号为CN201810587557.8的中国专利技术专利一种具有立体装饰效果的陶瓷砖的制造方法，其包括如下步骤：A、将表面具有凹凸纹理的泥坯在600-1050℃下进行第一次烧成；B、在第一次烧成后的坯体上布施有机渗透釉墨水和有机助渗剂墨水；C、在1150-1250℃下进行第二次烧成；D、进行抛光、磨边加工获得陶瓷砖产品。虽然在600-1050℃进行第一低温烧成，能让砖坯中的气孔充分打开并且在气孔打开后再进行渗透，渗透釉墨水会以气孔问扩散通道，扩散作用会加强，减少有机墨水的用量，并且可以使扩散更为均匀。但该方法为能考虑布施底釉后对墨水渗透的影响，显然上述方法制备的大理石瓷砖逼真度也不够理想。上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
针对目前存在的墨水渗透不可控制、瓷砖逼真度不够立体感不强的技术问题，本专利技术提供了一种具有立体感仿真瓷砖的制备方法，旨在解决上述问题，提高瓷砖的逼真度和立体感。本专利技术提供的技术方案如下：一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法，所述方法包括如下步骤：1)将瓷砖坯体在850-1000℃下进行第一次烧结；2)对步骤1)烧结后的坯体布施底釉，所述底釉包括8-14％的有机粘接剂；3)对布施底釉后的坯体在Tf+150℃至T1-50℃范围内进行第二次烧结，其中所述Tf为所述有机粘结剂的分解温度，所述T1为第一次烧结温度；4)对步骤3)所得坯体进行喷墨，墨水颜料的边界控制在距坯体对应纹理边界内150-200微米处，喷墨量为50-80g/m2·mm，所述m2为坯体表面面积，所述mm为底釉厚度；5)对喷墨完成的坯体进行助渗处理。优选的，所述有机粘接剂包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚乙烯醇缩醛中的一种以上。优选的，所述底釉的组分还包括SiO255～65％、Al3O210-15％、Fe2O30.05～0.1％、K2O1.5-3.5％、Na2O2～3％、MgO1-4％。优选的，所述助渗处理为对墨层表面进行纵向电场处理，所述纵向电场处理的电压为2-5V，处理时间为20-40分钟。进一步优选的，所述第二次烧结温度控制在700-800℃。进一步优选的，所述墨水颜料的边界控制在距坯体对应纹理边界内180-200微米处。本专利技术通过在底釉中添加少量的有机粘接剂，一方面粘接剂能够很好地使底釉布施在砖坯上，另一方面经过二次烧结后，底釉中的有机粘接剂经过分解挥发形成孔洞，有助于后续墨水颜料的渗透。此外，对于有机粘接剂的用量也需要进行合理的控制，当用量过低时形成的通孔率过低对墨水颜料的渗透促进作用不明显，如果用量过高则通孔率过高且孔径过大，由此会导致墨水颜料的渗透方向和深度均难以控制因此造成底釉纹理失真，基于本专利技术的底釉组分，将有机粘接剂的含量控制在8-14％范围内，经过后续烧结底釉中的通孔率为35-42％，平均孔径在15-20μm，为后续墨水颜料的渗透控制提供了良好的基础条件。本专利技术通过对布施底釉后的砖坯进行二次烧结并将烧结温度控制在高于有机粘接剂分解温度150℃以上低于一次烧结温度50℃以上，一方面良好地促进了有机粘接剂的分解使底釉中存在合理的空隙率为后续墨水颜料的渗透提供良好地条件，另一方面，将温度控制在上述范围可以有效避免生坯体与底釉之间发生互渗从而导致剖面上纹理失真。本专利技术通过对喷墨的区域进行合理的控制并配合后续的助渗处理工艺，能够有效地控制墨水颜料纵向渗透到合理位置的同时横向上的扩散能有效抵达坯体对应纹理边界处，从而使瓷砖具备理想的立体感和高的逼真度，喷墨量的以及喷墨边界的确定方式则是根据前述布施底釉烧结后底釉的孔隙率和平均孔径测算得到的，基于前述的布施底釉及二次烧结工艺，本专利技术所确定的喷墨边界为距坯体对应纹理边界内150-200微米处，喷墨量为50-80g/m2·mm。本专利技术通过采用纵向电场处理的助渗工艺能够有效促进墨水颜料在纵向上的渗透，而电场处理的相关参数应当与所需的渗透效果相适应，若电场强度过低处理时间过短，则墨水颜料渗透达不到理想的位置导致失真；若电场强度过大处理时间过长，则墨水颜料的深度和宽度超出了理想范围，由此造成底釉和坯体的纹理不像适应，瓷砖纵向剖面纹理失真明显。基于上述原因，本专利技术通过大量的实验最终确定的适宜助渗工艺条件为纵向电场处理的电压控制在2-5V，处理时间控制在20-40分钟。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：根据本专利技术技术方案进行喷墨能够有效地控制墨水颜料渗透的程度，坯体与底釉纵向剖面上纹理吻合度高，极大提高了瓷砖的立体感和仿真度。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法，所述方法包括如下步骤：1)将瓷砖坯体在850℃下进行第一次烧结；2)对步骤1)烧结后的坯体布施底釉，所述底釉厚度为2mm，所述底釉包括丙烯酸树脂8％、SiO260％、Al3O210％、Fe2O30.05％、K2O1.5％、Na2O2％、MgO2％；3)对布施底釉后的坯体在680℃范围内进行第二次烧结；4)对步骤3)所得坯体进行喷墨，墨水颜料的边界控制在距坯体对应纹理边界内150微米本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：1)将瓷砖坯体在850‑1000℃下进行第一次烧结；2)对步骤1)烧结后的坯体布施底釉，所述底釉包括8‑14％的有机粘接剂；3)对布施底釉后的坯体在Tf+150℃至T1‑50℃范围内进行第二次烧结，其中所述Tf为所述有机粘结剂的分解温度，所述T1为第一次烧结温度；4)对步骤3)所得坯体进行喷墨，墨水颜料的边界控制在距坯体对应纹理边界内150‑200微米处，喷墨量为50‑80g/m2·mm，所述m2为坯体表面面积，所述mm为底釉厚度；5)对喷墨完成的坯体进行助渗处理。

【技术特征摘要】
1.一种高仿真大理石瓷砖的喷墨方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：1)将瓷砖坯体在850-1000℃下进行第一次烧结；2)对步骤1)烧结后的坯体布施底釉，所述底釉包括8-14％的有机粘接剂；3)对布施底釉后的坯体在Tf+150℃至T1-50℃范围内进行第二次烧结，其中所述Tf为所述有机粘结剂的分解温度，所述T1为第一次烧结温度；4)对步骤3)所得坯体进行喷墨，墨水颜料的边界控制在距坯体对应纹理边界内150-200微米处，喷墨量为50-80g/m2·mm，所述m2为坯体表面面积，所述mm为底釉厚度；5)对喷墨完成的坯体进行助渗处理。2.根据权利要求1所述的喷墨方法，其特征在于：所述有机粘接剂包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈贤伟，林伟，范新晖，吴则昌，廖花妹，
申请(专利权)人：河源市东源鹰牌陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44