一种开关器件及其采用的控制方法技术

本发明专利技术涉及一种开关器件，包括并联的MOSFET管和IGBT管，MOSFET管的漏极与IGBT管的集电极相连接，MOSFET管的源极与IGBT管的发射极相连接。MOSFET管为碳化硅MOSFET管。本发明专利技术解决了高电压大电流应用场合半导体开关器件高频化后效率低和成本高等缺陷，能大幅降低产品成本和提高产品效率。

A Switching Device and Its Control Method

【技术实现步骤摘要】
一种开关器件及其采用的控制方法
本专利技术属于电力电子、电源行业，具体涉及一种开关器件。
技术介绍
碳化硅MOSFET开关速度快，开通与关断能量损失少，特别适用于高电压应用下的高频率工作。但碳化硅MOSFET存在生产工艺复杂导致的成本高昂，且在大电流情况下导通损耗大等缺点。虽然IGBT能够同时工作在大电流和高电压应用场合，但IGBT的开关能量损失大，不适合工作频率高的场合。因此，需要设计一种适用于工作频率高的场合，且开关损耗较低的开关器件。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种适用于工作频率高的场合，且开关损耗较低的开关器件。为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种开关器件，包括并联的MOSFET管和IGBT管，所述MOSFET管的漏极与所述IGBT管的集电极相连接，所述MOSFET管的源极与所述IGBT管的发射极相连接。所述MOSFET管为碳化硅MOSFET管。本专利技术还提供一种上述开关器件采用的控制方法，所述控制方法为：采用控制方式1或控制方式2实现对所述开关器件的开关控制；所述控制方式1为：当开通所述开关器件时，对所述MOSFET管的栅极对源极以及所述IGBT管的基极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种开关器件，其特征在于：所述开关器件包括并联的MOSFET管和IGBT管，所述MOSFET管的漏极与所述IGBT管的集电极相连接，所述MOSFET管的源极与所述IGBT管的发射极相连接。

【技术特征摘要】
1.一种开关器件，其特征在于：所述开关器件包括并联的MOSFET管和IGBT管，所述MOSFET管的漏极与所述IGBT管的集电极相连接，所述MOSFET管的源极与所述IGBT管的发射极相连接。2.根据权利要求1所述的一种开关器件，其特征在于：所述MOSFET管为碳化硅MOSFET管。3.一种如权利要求1所述的一种开关器件采用的控制方法，其特征在于：所述控制方法为：采用控制方式1或控制方式2实现对所述开关器件的开关控制；所述控制方式1为：当开通所述开关器件时，对所述MOSFET管的栅极对源极以及所述IGBT管的基极对发射极同时施加高电位，直至所述MOSFET管完全进入导通状态以及所述IGBT管进入饱和导通状态；当关断所述开关器件时，先对所述IGBT管的基极对发射极施加低电位或者负电位使所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：何晓东，黄敏，方刚，卢进军，黄榜福，
申请(专利权)人：江苏固德威电源科技股份有限公司，江苏固德威电源科技股份有限公司深圳分公司，固德威电源科技广德有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32