A Q-switched laser source with variable wavelength includes a pump focusing system consisting of a laser diode LD and a fiber output focusing mirror FOFM. The resonator consists of a pump mirror DM, a first concave mirror M1, a coupled output mirror OC, a second concave mirror M2 and a semiconductor saturable absorber SESAM. The resonator is equipped with laser disordered crystals Nd:LMA and a prism Prism. The output of Q-switched laser pulse with variable wavelength is realized in Nd: LMA laser disordered crystal. The central wavelength of Q-switched laser can be adjusted to single wavelength and dual wavelength. The laser source of the invention has compact structure, low cost and variable wavelength, and has potential application value in laser ranging and lidar.
【技术实现步骤摘要】
一种波长可变换的调Q激光源
本专利技术属于激光
,尤其涉及一种波长可变换的调Q激光源。
技术介绍
激光二极管泵浦的全固态调Q激光器具有结构紧凑、成本低廉等优点,并且输出的脉冲激光具有峰值功率高、光束质量优异等特性,因此在激光加工、激光测距、激光雷达等领域都有广泛的应用前景和商业价值。一般情况下,一台激光二极管泵浦的全固态调Q激光器输出的激光只能工作在某一个波长,不能实现变换到其他波长,或者同时工作在双波长或者多波长。所以,开发一种波长可变换调Q激光器有很有意义。Nd:LaMgAl11O19激光无序晶体的发射谱在近红外范围内有两个较强的发射峰,即1055nm和1082nm。这为开发波长可变换调Q激光器提供了一种可能。目前尚无基于SESAM调Q的Nd:LaMgAl11O19激光无序晶体调Q激光,更没有基于三棱镜波长可变换和SESAM调Q的Nd:LaMgAl11O19激光源。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种波长可变换的调Q激光源,旨在解决目前尚无基于三棱镜波长可变换和SESAM调Q的Nd:LaMgAl11O19激光源的现状。本专利技术采用如下技术方案:一种波长可变换的调Q激光源,包括由激光二极管LD和光纤输出聚焦镜FOFM组成的泵浦聚焦系统,由泵浦镜DM、第一凹面镜M1、耦合输出镜OC、第二凹面镜M2以及半导体可饱和吸收镜SESAM构成的谐振腔,用于将增益激光在谐振腔内多次反射,在所述谐振腔内设有激光无序晶体Nd:LaMgAl11O19(简称Nd:LMA,下同)和三棱镜Prism。进一步的,激光无序晶体Nd:LMA同时放置于光纤输出聚焦镜FOFM和 ...
【技术保护点】
1.一种波长可变换的调Q激光源,其特征在于,包括由激光二极管LD(1)和光纤输出聚焦镜FOFM(2)组成的泵浦聚焦系统,由泵浦镜DM(3)、第一凹面镜M1(5)、耦合输出镜OC(7)、第二凹面镜M2(8)以及半导体可饱和吸收镜SESAM(9)构成的谐振腔,在所述谐振腔内设有激光无序晶体Nd:LaMgAl11O19(4)和三棱镜Prism(6)。
【技术特征摘要】
1.一种波长可变换的调Q激光源,其特征在于,包括由激光二极管LD(1)和光纤输出聚焦镜FOFM(2)组成的泵浦聚焦系统,由泵浦镜DM(3)、第一凹面镜M1(5)、耦合输出镜OC(7)、第二凹面镜M2(8)以及半导体可饱和吸收镜SESAM(9)构成的谐振腔,在所述谐振腔内设有激光无序晶体Nd:LaMgAl11O19(4)和三棱镜Prism(6)。2.如权利要求1所述的一种波长可变换的调Q激光源,其特征在于,激光无序晶体Nd:LMA(4)同时放置于光纤输出聚焦镜FOFM(2)和第一凹面镜M1(5)的焦点处,光纤输出聚焦镜FOFM(2)与激光无序晶体Nd:LMA(4)之间的距离为55mm,且在二者之间设置泵浦镜DM(3),Nd:LMA(4)与泵浦镜DM(3)之间的距离小于2mm,第一凹面镜M1(5)与泵浦镜DM(3)之间的距离为105mm;三棱镜Prism(6)放置于第一凹面镜M1(5)和耦合输出镜OC(7)之间,与第一凹面镜M1(5)相距310mm、与耦合输出镜OC(7)相距200mm;耦合输出镜OC(7)与第二凹面镜M2(8)之间的距离为400mm,半导体可饱和吸收镜SESAM(9)放置于第二凹面镜M2(8)的焦点处,二者相距155mm;谐振腔总腔长为1170mm。3.如权利要求1所述的一种波长可变换的调Q激光源,其特征在于,所述激光二...
【专利技术属性】
技术研发人员:高子叶,吴正茂,夏光琼,邓涛,唐曦,林晓东,樊利,
申请(专利权)人:西南大学,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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