一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法，涉及电子封装材料，具体包括以下步骤：首先采用四氯化钛、六水合硝酸铈复合水解制得复合氧化物；然后采用原位聚合的方法制备聚氨酯/复合氧化物材料；最后将上述制得的聚氨酯/复合氧化物材料、环氧大豆油、硬脂酸锌混合搅拌均匀，然后由双螺杆挤出机挤出造粒，制得电子封装材料。本发明专利技术制得的电子封装材料导热性能好，热膨胀系数低，力学性能好。

Preparation of an Electronic Packaging Material with High Thermal Conductivity and Low Thermal Expansion

\u672c\u53d1\u660e\u516c\u5f00\u4e86\u4e00\u79cd\u9ad8\u5bfc\u70ed\u4f4e\u70ed\u81a8\u80c0\u7684\u7535\u5b50\u5c01\u88c5\u6750\u6599\u7684\u5236\u5907\u65b9\u6cd5\uff0c\u6d89\u53ca\u7535\u5b50\u5c01\u88c5\u6750\u6599\uff0c\u5177\u4f53\u5305\u62ec\u4ee5\u4e0b\u6b65\u9aa4\uff1a\u9996\u5148\u91c7\u7528\u56db\u6c2f\u5316\u949b\u3001\u516d\u6c34\u5408\u785d\u9178\u94c8\u590d\u5408\u6c34\u89e3\u5236\u5f97\u590d\u5408\u6c27\u5316\u7269\uff1b\u7136\u540e\u91c7\u7528\u539f\u4f4d\u805a\u5408\u7684\u65b9\u6cd5\u5236\u5907\u805a\u6c28\u916f/\u590d\u5408\u6c27\u5316\u7269\u6750\u6599\uff1b\u6700\u540e\u5c06\u4e0a\u8ff0\u5236\u5f97\u7684\u805a\u6c28\u916f/\u590d\u5408\u6c27\u5316\u7269\u6750\u6599 Epoxy soybean oil and zinc stearate were mixed and stirred evenly, then the electronic packaging materials were prepared by extrusion and granulation with twin screw extruder. The electronic packaging material prepared by the invention has good thermal conductivity, low thermal expansion coefficient and good mechanical properties.

【技术实现步骤摘要】
一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法
：本专利技术涉及电子封装材料，具体的涉及一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法。
技术介绍
：基于封装机械支撑、散热、信号传递、芯片保护的主要功能,对封装材料性能的总体要求是：良好的化学稳定性、高热导性、低热膨胀系数、较好的机械强度和低成本。一二级封装中，导热系数(TC)是个非常重要的性能指标，以保证高集成度IC在工作中产生的热量及时释放。同时要兼顾热膨胀系数(CTE)，使所用个材料CTE相近为宜，最好与芯片材料保持一致，以免相邻部件间焊接点处产生热应力或发生蠕变，疲劳以至断裂。对三级封装，则主要要求材料有良好的加工性能和可成型能力，再兼顾对磁场的屏蔽效应。在军事通讯及航空工业中，除要求封装材料高CT和低CTE外，还希望它具有低密度。而真空微电子元件则要求材料有极高的气密性。但是目前的电子封装材料导热性能以及力学性能较差，不能满足目前电子器件的要求。
技术实现思路
：本专利技术的目的是提供一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法，该方法制得的电子封装材料导热性能优异，热膨胀系数低，力学性能优异。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将四氯化钛溶于无水乙醇中搅拌混合均匀制得溶液A；将六水合硝酸铈溶于去离子水中制得溶液B；将柠檬酸溶于去离子水中制得柠檬酸溶液；(2)将溶液B和柠檬酸溶液混合搅拌均匀制得混合溶液，然后同时向混合溶液中滴加氨水溶液以及溶液A，边滴加边搅拌，滴加结束后继续搅拌30‑50min，沉淀结束后过滤，将沉淀干燥，得到的固体在600‑800℃下烧结处理1‑3h，制得复合氧化物；(4)将上述制得的复合氧化物分散在无水乙醇中，然后加入琥珀酸酐，40‑50℃下搅拌混合20‑40min，然后加入异氰酸酯类单体，搅拌混合均匀，制得溶液C；(...

【技术特征摘要】
1.一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将四氯化钛溶于无水乙醇中搅拌混合均匀制得溶液A；将六水合硝酸铈溶于去离子水中制得溶液B；将柠檬酸溶于去离子水中制得柠檬酸溶液；(2)将溶液B和柠檬酸溶液混合搅拌均匀制得混合溶液，然后同时向混合溶液中滴加氨水溶液以及溶液A，边滴加边搅拌，滴加结束后继续搅拌30-50min，沉淀结束后过滤，将沉淀干燥，得到的固体在600-800℃下烧结处理1-3h，制得复合氧化物；(4)将上述制得的复合氧化物分散在无水乙醇中，然后加入琥珀酸酐，40-50℃下搅拌混合20-40min，然后加入异氰酸酯类单体，搅拌混合均匀，制得溶液C；(5)将多元醇溶于DMF中制得溶液D，并将溶液D加入到溶液C中，搅拌混合均匀，继续加入催化剂，在60-80℃下反应2-6h，反应结束后冷却至室温，过滤，并将固体干燥，制得聚氨酯/复合氧化物材料；(6)将上述制得的聚氨酯/复合氧化物材料、环氧大豆油、硬脂酸锌混合搅拌均匀，然后由双螺杆挤出机挤出造粒，制得电子封装材料。2.如权利要求1所述的一种高导热低热膨胀的电子封装材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述四氯化钛、六水合硝酸铈、柠檬酸的质量比为(1.5-2)：3:0.05。3.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：许文强，
申请(专利权)人：许文强，
类型：发明
国别省市：浙江,33