在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品技术

技术编号:20966652 阅读:29 留言:0更新日期:2019-04-29 16:36
本发明专利技术提供一种在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,包括:将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,

Method of Forming a Protective Layer on the Surface of an Object and Products with a Protective Layer on the Surface

The invention provides a method for forming a protective layer on the surface of an object, which is characterized by exposing at least a part of the surface of the object to a plasma, and the gas forming the plasma includes at least compounds represented by chemical formula (I).

【技术实现步骤摘要】
在物体表面形成保护层的方法及表面形成有保护层的产品
本专利技术涉及一种在物体表面形成保护层的方法以及表面形成有保护层的产品。
技术介绍
在人们生产和日常生活中,经常需要其使用的物体免于被液体(水、油、水溶液或者其他含有水、油的混合液体等等)接触其表面,引起物体被污染、浸湿,或者因为这些液体作用而引起物体损坏。这里,人们使用的物体是产品。例如,产品包括电气设备、电子设备、过滤膜、手表和穿戴产品。在现有的防止物体被液体接触的技术中,公开了一种通过利用含有聚合物的等离子体在物体表面形成防护聚合物层,例如,中国专利申请号CN200780002557公开了一种在物体表面形成防护聚合物层,以防止物体被液体污染或浸湿。又例如,中国专利申请号CN2013100842664公开了一种电气或者电子设备或者其部件的表面形成有防护聚合物层的产品和一种在电气或者电子设备或者其部件的表面形成防护聚合物层的方法。又例如,中国专利申请号CN200880114449公开了一种表面形成有聚合物层的过滤膜。然而,在现有的通过利用含有聚合物的等离子体在物体表面形成防护聚合物层的技术中,存在防止物体被液体接触表面的能力弱,且防护聚合物层与物体表面的结合力差等问题。
技术实现思路
为了解决上述问题,本专利技术提出一种在物体表面形成保护层的方法,通过本专利技术提出的在物体表面形成保护层的方法,能够提高防止物体被液体接触表面的能力,同时,能够提高保护层与物体表面的结合力。本专利技术还提出一种表面形成有保护层的产品,该产品的保护层能够提高防止产品被液体接触表面的能力,且提高保护层与产品表面的结合力。本专利技术包括以下技术方案。1.一种在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,包括:将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,其中,R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至20的烷基或卤代烷基、碳原子数2至20的烯基或卤代烯基、碳原子数1至20的烷氧基、碳原子数2至18的硅烷基、碳原子数3至18的硅氧基以及碳原子数6至12的芳基或卤代芳基。2.根据上述1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至10的烷基或卤代烷基、碳原子数2至10的烯基或卤代烯基、碳原子数1至10的烷氧基、碳原子数2至12的硅烷基、碳原子数3至12的硅氧基以及碳原子数6至10的芳基或卤代芳基。3.根据上述1或2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至6的烷基或卤代烷基、碳原子数2至6的烯基或卤代烯基、碳原子数1、2或3的烷氧基、三甲基硅基、三甲基硅氧基以及碳原子数6至8的芳基或卤代芳基。4.根据上述1或2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,化学式(I)表示的化合物选自四甲基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、二甲基二氯硅烷中的一种以上。5.根据上述1或2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,形成等离子体的气体还包括载气,载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。6.根据上述1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:包括由化学式(I)表示的化合物的形成所述等离子体的气体在等离子体设备的等离子体腔体中形成所述等离子体;所述等离子体设备包括成对设置的电极,所述成对设置的电极容纳在所述等离子体腔体中。7.根据上述6所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:所述成对设置的电极与连续射频电源相连接,施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为0.0001-5000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.0001-10000毫托。8.根据上述7所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为100-3000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.1-1000毫托。9.根据上述8所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为600-2000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为5-15分钟;等离子体腔体中的压强为0.1-200毫托。10.根据上述6所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:所述成对的电极与脉冲射频电源相连接,施加到所述成对的电极的脉冲电功率密度范围为0.0001-5000w/m3;等离子体腔体中的压强为0.0001-1000毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-80分钟;施加到所述成对的电极的脉冲频率为10-5000Hz。占空比为1%-95%。11.根据上述10所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:施加到所述成对的电极的脉冲电功率密度范围为10-2000w/m3;等离子体腔体中的压强为0.1-500毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为1-55分钟。12.根据上述10所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:施加到所述成对的电极的脉冲电功率密度范围为50-1200w/m3;等离子体腔体中的压强为0.1-300毫托;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为2-30分钟。13.一种表面形成有保护层的产品,其特征在于:所述保护层通过如上述1-12中任何一项所述的在物体表面形成保护层的方法形成于所述产品的表面。14.根据上述13所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:所述产品包括:电气设备、电子设备、手表、布匹、渗透膜和穿戴产品中的至少一种。15.根据上述14所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:所述电气设备包括:通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具、室外照明设备中的任何一种和/或通信基站、变电设备、数据切换设备、交通工具、室外照明设备中的任何一种的任意部件。16.根据上述14所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:所述电子设备包括:手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的任何一种和/或手持通信设备、电子游戏设备、可穿戴电子设备中的任何一种的任意部件。17.根据上述14所述的表面形成有保护层的产品,其特征在于:所述穿戴产品包括服装、鞋帽和/或饰品。技术效果根据本专利技术所提供的在物体表面形成保护层的方法,能够提高防止物体被液体接触表面的能力,同时,能够提高保护层与物体表面的结合力,而且在高温高湿、低温等极端条件下也具有良好的环境稳定性。本专利技术的表面形成有保护层的产品,其保护层能够提高防止产品被液体接触表面的能力,且与产品表面的结合牢固,具有良好的环境稳定性。具体实施方式下面对本专利技术的一个以上的实施例的技术方案进行描述。显然,这里所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。需要说明的是,基于本专利技术中的这些实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是,在本专利技术中,“气体”的表述是指单独的或者混合物形式的气体或蒸汽以及气溶胶。在本专利技术的一个实施例中,提供一种在物体表面形成保护层的方法,包括:本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,包括:将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,

【技术特征摘要】
1.一种在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,包括:将所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中,形成所述等离子体的气体至少包括由化学式(I)表示的化合物,其中,R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至20的烷基或卤代烷基、碳原子数2至20的烯基或卤代烯基、碳原子数1至20的烷氧基、碳原子数2至18的硅烷基、碳原子数3至18的硅氧基以及碳原子数6至12的芳基或卤代芳基。2.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至10的烷基或卤代烷基、碳原子数2至10的烯基或卤代烯基、碳原子数1至10的烷氧基、碳原子数2至12的硅烷基、碳原子数3至12的硅氧基以及碳原子数6至10的芳基或卤代芳基。3.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,R1、R2、R3、R4分别独立地选自氢、氯、溴、碘、碳原子数1至6的烷基或卤代烷基、碳原子数2至6的烯基或卤代烯基、碳原子数1、2或3的烷氧基、三甲基硅基、三甲基硅氧基以及碳原子数6至8的芳基或卤代芳基。4.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,化学式(I)表示的化合物选自四甲基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、二甲基二氯硅烷中的一种以上。5.根据权利要求1或2所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于,形成等离子体的气体还包括载气,载气选自惰性气体、CF4、C3F8、N2、H2中的至少一种。6.根据权利要求1所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:包括由化学式(I)表示的化合物的形成所述等离子体的气体在等离子体设备的等离子体腔体中形成所述等离子体;所述等离子体设备包括成对设置的电极,所述成对设置的电极容纳在所述等离子体腔体中。7.根据权利要求6所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:所述成对设置的电极与连续射频电源相连接,施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为0.0001-5000w/m3;所述物体的至少一部分表面暴露于等离子体中的时间为0.001秒-60分钟;等离子体腔体中的压强为0.0001-10000毫托。8.根据权利要求7所述的在物体表面形成保护层的方法,其特征在于:施加到所述成对的电极的连续电功率密度范围为100-3000w/m3;所述物体的至少一部分表面...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙溯杨平张志强
申请(专利权)人:上海稷以科技有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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