The utility model discloses a circuit for reducing dv/dt of bridge circuit, which is formed by overlapping two or four or six controllable switching tubes of the bridge circuit. A bus capacitor is connected in parallel at both ends of the bus at the input end of the bridge circuit. The circuit for reducing dv/dt of bridge circuit is connected with the inductance composition between the points in each arm of the bridge circuit. At the moment when the switch tube of the bridge circuit is on or off, the inductance connected between the arms of the bridge can effectively reduce the dv/dt of the bridge circuit in the switching process, and avoid a series of secondary hazards caused by the higher dv/dt, such as EMC, through the upper and lower tubes, over-voltage, overheating and so on.
【技术实现步骤摘要】
一种降低桥式电路dv/dt的电路
本技术涉及一种降低桥式电路dv/dt的电路。
技术介绍
随着半导体技术的进步，半导体开关器件的开关速度越来越快。在一些由可控开关管(如IGBT、MOS管等)构成的半桥或全桥电路中，由于空载或负载很小，经常会出现可控开关管在数十纳秒甚至数纳秒的时间内被开通的现象，如果供电电源电压较高，可控开关管在开关过程中会出现较高的dv/dt，过高的dv/dt除产生EMC问题外，还会因弥勒效应和结电容的影响，使得同一桥臂上原本关断的开关管触发极或门极电位被抬升到较高水平，出现同一桥臂上、下两个开关管瞬时直通。如果这种直通现象得不到有效控制，上、下两个开关管直通产生的直通电流不仅会使EMC问题更加严峻，还会导致同一桥臂上、下两个开关管严重发热或过压击穿，最终导致整个电路的提前失效。为降低由可控开关管构成的桥式电路(如H桥电路、半桥电路、全桥电路)在开关过程中可能出现的过高的dv/dt，以及避免由于较高的dv/dt引起的一系列次生危害，如：EMC、上下管直通、过压、过热等问题，传统的方法是：增大开通或关断电阻的阻值，增大开关管门极电容的容值，以此来降...
【技术保护点】
1.一种降低桥式电路dv/dt的电路，所述桥式电路由两个或四个或六个可控开关管搭接而成，在桥式电路输入端母线两端并联有一个母线电容，其特征在于：该降低桥式电路dv/dt的电路由连接在所述桥式电路各桥臂中点之间的电感构成；所述电感的一端与一个桥臂的中点相连，另一端与另一个桥臂的中点相连。
【技术特征摘要】
1.一种降低桥式电路dv/dt的电路，所述桥式电路由两个或四个或六个可控开关管搭接而成，在桥式电路输入端母线两端并联有一个母线电容，其特征在于：该降低桥式电路dv/dt的电路由连接在所述桥式电路各桥臂中点之间的电感构成；所述电感的一端与一个桥臂的中点相连，另一端与另一个桥臂的中点相连。2.根据权利要求1所述的降低桥式电路dv/dt的电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：祝祥林，唐伟祥，谷跃学，
申请(专利权)人：北京利德华福电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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