The utility model provides a wafer heat dissipation structure. The wafer heat dissipation structure consists of a first metal structure, a second metal structure and a radiator. The first metal structure is located at a spare position outside the wafer on the surface of the substrate, and the second metal structure is located on the lower surface of the substrate. The wafer is connected with the wafer through a wire inside the substrate, and the radiator is connected with the wafer. The superconducting layer is attached to the surface of the wafer. The utility model makes full use of the free space on the surface of the substrate, sets metal structure on the upper surface of the substrate to increase the heat dissipation area, improves the heat dissipation efficiency, and meets the heat dissipation demand of the high power chip.
【技术实现步骤摘要】
散热结构
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种散热结构。
技术介绍
随着电子技术的发展，为了满足高性能和便携式的需求，计算设备的计算和处理能力越来越强，晶片的集成度也越来越高，其在运行过程中产生的热量越来越大。为了使晶片能够正常工作，其必须工作于适宜的工作温度下，以避免温度过高造成晶片性能下降或损坏。现有的散热技术都是采用基板下表面或者晶片背面散热技术，如图1所示，晶片的背面通过导热界面材料(TIM)粘接散热器，晶片正面通过基板内部走线连接到基板的下表面来散热。现有散热技术对于大多数芯片来说能够满足散热的需求，但对于大功耗芯片，需要利用更多的散热手段来满足散热需求。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题鉴于上述技术问题，本技术提供了一种散热结构。本技术通过在基板上表面设置金属材料的结构以增加散热面积，提升散热效率。(二)技术方案根据本技术的一个方面，提供了一种晶片散热结构，晶片倒装在基板的上表面，晶片散热结构包括：第一金属结构，设置在基板上表面晶片以外的空余位置；第二金属结构，设置在基板的下表面，其通过基板内部的导线与晶片连接；散热器，通过导热层贴附于晶片的表面上。在本...
【技术保护点】
1.一种晶片散热结构，晶片倒装在基板的上表面，其特征在于，所述晶片散热结构包括：第一金属结构，设置在基板上表面晶片以外的空余位置；第二金属结构，设置在基板的下表面，其通过基板内部的导线与晶片连接；散热器，通过导热层贴附于晶片的表面上。
【技术特征摘要】
1.一种晶片散热结构，晶片倒装在基板的上表面，其特征在于，所述晶片散热结构包括：第一金属结构，设置在基板上表面晶片以外的空余位置；第二金属结构，设置在基板的下表面，其通过基板内部的导线与晶片连接；散热器，通过导热层贴附于晶片的表面上。2.根据权利要求1所述的晶片散热结构，其特征在于，所述第一金属结构悬空或者引接到电源地。3.根据权利要求1所述的晶片散热结构，其特征在于，所述第一金属结构与基板内部的导线连接，并在第一金属结构外表面涂覆防导电材料。4.根据权利要求2或3所述的晶片散热结构，其特征在于，所述第一金属结构为金属球或者金属柱。5.根据权利要求2或3所述的晶片散热结构...
【专利技术属性】
技术研发人员：王光长，张楠赓，
申请(专利权)人：北京嘉楠捷思信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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