一种有源矩阵有机发光二极管面板制造技术

本发明专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极管面板，可避免显示区域边缘处产生色偏现象的AMOLED面板，使非常规像素结构处不以固定规律方式排列的RGB像素单元与相应的阳极材料层处于浮接状态，避免非常规像素结构的像素单位在接收到图像显示控制信号时，因无法对应图像显示控制信号正常显示相应的图像，而产生色偏现象的问题，从而使屏幕正常显示，改善色偏现象的问题。

An Active Matrix Organic Light Emitting Diode Panel

The invention provides an active matrix organic light emitting diode panel, which can avoid the color deviation phenomenon at the edge of the display area, make the RGB pixel units not arranged in a fixed pattern at the unconventional pixel structure float to the corresponding anode material layer, and avoid the pixel units of unconventional pixel structure being unable to pair when receiving the image display control signal. The image display control signal should normally display the corresponding image, resulting in the problem of color deviation, so as to make the screen display normally and improve the problem of color deviation.

【技术实现步骤摘要】
一种有源矩阵有机发光二极管面板
本专利技术涉及有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,以下简称AMOLED)显示
，尤其是涉及一种避免显示区域边缘处产生色偏现象的AMOLED面板。
技术介绍
相较于传统液晶显示(LiquidCrystalDisplay)屏幕，有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,以下简称AMOLED)屏幕具有响应速度快、自发光、广视角、显示效果好以及较低电能消耗等优点。AMOLED也适于应用在柔性曲面面板上。为了使面板更美观，屏占比更大，柔性曲面面板又引入了圆角设计。然而，柔性曲面面板在引入圆角设计时，随之而来的是圆角边缘处产生色偏(colorshift)现象的问题。当红色(Red,R)、绿色(Green,G)、蓝色(Blue,B)像素单元以RGBG钻石排列方式(RGBGDiamondlayout)呈现规律排列时，现有采用直边边缘设计的AMOLED面板在直边边缘处可以利用图像演算来改善色偏现象的问题。但当AMOLED面板使用圆角设计时，由于圆角半径和圆角弧度的问题，位在圆角边缘的RGB像素单元排列不必然具有一定的规律，从而导致产生色偏现象时，不易仅利用图像算法来改善色偏现象。因此，需要提出一种新的AMOLED面板以解决现有AMOLED面板在使用圆角设计时产生色偏现象的缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供一种避免显示区域边缘处产生色偏现象的AMOLED面板，能够解决现有技术的缺陷。本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种避免显示区域边缘处产生色偏现象的AMOLED面板，所述AMOLED面板包括：基板、常规像素结构与非常规像素结构。所述常规像素结构包括：第一多晶和栅极层制作于所述基板上；第一间绝缘层制作于所述第一多晶和栅极层上，并且在所述第一间绝缘层及所述第一多晶和栅极层上与第一源极层和第一漏极层的相应位置处形成第一过孔，所述第一源极层和所述第一漏极层分别制作于所述第一间绝缘层上相应位置处的所述第一过孔内并延伸至所述第一过孔外；第一平坦化层制作于所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层上，所述第一平坦化层覆盖所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层，并在所述第一平坦化层上与所述第一漏极层相应的位置处形成第二过孔；第一阳极材料层制作于所述第一平坦化层上，并使所述第一阳极材料层经由所述第二过孔延伸并与所述第一漏极层电连接；第一像素定义层制作于所述第一阳极材料层，所述第一像表定义层仅覆盖部份所述第一阳极材料层。所述非常规像素结构包括：第二多晶和栅极层制作于所述基板上；第二间绝缘层制作于所述第二多晶和栅极层上，并且在所述第二间绝缘层上及所述第二多晶和栅极层上与第二源极层和第二漏极层的相应位置处形成第三过孔，所述第二源极层和所述第二漏极层分别制作于所述第二间绝缘层上相应位置处的所述第三过孔内并延伸至所述第三过孔外；第二平坦化层制作于所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所述第二漏极层上，所述第二平坦化层覆盖所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所述第二漏极层；第二阳极材料层制作于所述第二平坦化层上；第二像素定义层制作于所述第二阳极材料层上，所述第二像表定义层仅覆盖部份所述第二阳极材料层。本专利技术实施例中的所述常规像素结构中的红色(Red,R)、绿色(Green,G)、蓝色(Blue,B)像素单元是采用固定规律方式排列。本专利技术实施例中的所述非常规像素结构中的R、G、B像素单元的排列方式是非固定规律排列。本专利技术实施例中的所述非常规像素结构中的所述像素单元至少缺少所述R、G、B像素单元中的其中一个。本专利技术实施例中的所述AMOLED面板的显示区域具有非直边边缘，且所述非常规像素结构是位于所述非直边边缘处。本专利技术实施例中的所述非直边边缘为圆角边缘。本专利技术实施例中的所述基板是以聚酰亚胺(Polyimide,PI)材料制成。本专利技术实施例中的所述第一过孔、所述第二过孔与所述第三过孔是以刻蚀制程制作形成。本专利技术实施例中的所述第一阳极材料层与所述第二阳极材料层是以氧化铟锡(IndiumTinoxide，ITO)材料制成。本专利技术实施例带来的有益效果为：本专利技术实施例所提供的避免显示区域边缘处产生色偏现象的AMOLED面板，使非常规像素结构处不以固定规律方式排列的RGB像素单元与相应的阳极材料层处于浮接状态，避免非常规像素结构的像素单位在接收到图像显示控制信号时，因无法对应图像显示控制信号正常显示相应的图像，而产生色偏现象的问题，从而使屏幕正常显示，改善色偏现象的问题。并且，本专利技术实施例所提供结构在设计上简单有效，不需增加生产成本，符合工业化生产需求。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种AMOLED显示面板的结构示意图。图2为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板的圆角边缘像素结构示意图。图3为图2中的圆角边缘像素产生色偏现象的示意图。图4为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板的常规像素结构示意图。图5为本专利技术实施例提供的AMOLED显示面板的非常规像素结构示意图。具体实施方式在具体实施方式中提及“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的不同位置出现的相同用语并非必然被限制为相同的实施方式，而应当理解为与其它实施例互为独立的或备选的实施方式。在本专利技术提供的实施例所公开的技术方案启示下，本领域的普通技术人员应理解本专利技术所描述的实施例可具有其他符合本专利技术构思的技术方案结合或变化。以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]、[竖直]、[水平]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。图1为本专利技术实施例提供的一种有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,以下简称AMOLED)显示面板的结构示意图，图2为AMOLED显示面板的圆角边缘像素结构示意图。所述AMOLED显示面板的基板10具有有源区20，有源区20具有复数个成组排列的红色(Red,R)、绿色(Green,G)、蓝色(Blue,B)像素单元用以接受有源矩阵电路控制来显示相应的图像。本实施例的AMOLED显示面板是采用圆角边缘设计，因为在圆角边缘的像素结构由于圆角半径和圆角弧度的因素，不必然能与不位在圆角边缘的RGB像素单元一样具有规律的排列。因此，为便于说明本实施例，将不位在圆角边缘的RGB像素单元定义为常规像素单元，将位在圆角边缘的RGB像素单元定义为非常规像素单元。圆角边缘像素单元30因为圆角边缘半径和弧度的原因，没有固定规律的排列方式，因此在显示画面图像时，可能会在圆角边缘像素单元30处产生如图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种避免显示区域边缘处产生色偏现象的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)面板，其特征在于，所述AMOLED面板包括：基板；常规像素结构，所述常规像素结构包括：第一多晶和栅极层制作于所述基板上；第一间绝缘层制作于所述第一多晶和栅极层上，并且在所述第一间绝缘层及所述第一多晶和栅极层上与第一源极层和第一漏极层的相应位置处形成第一过孔，所述第一源极层和所述第一漏极层分别制作于所述第一间绝缘层上相应位置处的所述第一过孔内并延伸至所述第一过孔外；第一平坦化层制作于所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层上，所述第一平坦化层覆盖所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层，并在所述第一平坦化层上与所述第一漏极层相应的位置处形成第二过孔；第一阳极材料层制作于所述第一平坦化层上，并使所述第一阳极材料层经由所述第二过孔延伸并与所述第一漏极层电连接；第一像素定义层制作于所述第一阳极材料层，所述第一像表定义层仅覆盖部份所述第一阳极材料层；及非常规像素结构，所述非常规像素结构包括：第二多晶和栅极层制作于所述基板上；第二间绝缘层制作于所述第二多晶和栅极层上，并且在所述第二间绝缘层上及所述第二多晶和栅极层上与第二源极层和第二漏极层的相应位置处形成第三过孔，所述第二源极层和所述第二漏极层分别制作于所述第二间绝缘层上相应位置处的所述第三过孔内并延伸至所述第三过孔外；第二平坦化层制作于所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所述第二漏极层上，所述第二平坦化层覆盖所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所述第二漏极层；第二阳极材料层制作于所述第二平坦化层上；第二像素定义层制作于所述第二阳极材料层上，所述第二像表定义层仅覆盖部份所述第二阳极材料层。...

【技术特征摘要】
1.一种避免显示区域边缘处产生色偏现象的有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED)面板，其特征在于，所述AMOLED面板包括：基板；常规像素结构，所述常规像素结构包括：第一多晶和栅极层制作于所述基板上；第一间绝缘层制作于所述第一多晶和栅极层上，并且在所述第一间绝缘层及所述第一多晶和栅极层上与第一源极层和第一漏极层的相应位置处形成第一过孔，所述第一源极层和所述第一漏极层分别制作于所述第一间绝缘层上相应位置处的所述第一过孔内并延伸至所述第一过孔外；第一平坦化层制作于所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层上，所述第一平坦化层覆盖所述第一间绝缘层、所述第一源极层与所述第一漏极层，并在所述第一平坦化层上与所述第一漏极层相应的位置处形成第二过孔；第一阳极材料层制作于所述第一平坦化层上，并使所述第一阳极材料层经由所述第二过孔延伸并与所述第一漏极层电连接；第一像素定义层制作于所述第一阳极材料层，所述第一像表定义层仅覆盖部份所述第一阳极材料层；及非常规像素结构，所述非常规像素结构包括：第二多晶和栅极层制作于所述基板上；第二间绝缘层制作于所述第二多晶和栅极层上，并且在所述第二间绝缘层上及所述第二多晶和栅极层上与第二源极层和第二漏极层的相应位置处形成第三过孔，所述第二源极层和所述第二漏极层分别制作于所述第二间绝缘层上相应位置处的所述第三过孔内并延伸至所述第三过孔外；第二平坦化层制作于所述第二间绝缘层、所述第二源极层与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟杰，李鹏，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42