半导体装置的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体装置的制作方法，其包括下列步骤，在半导体基底的第一区与第二区上分别形成多个第一栅极结构与多个第二栅极结构。第二栅极结构之间的间距大于第一栅极结构之间的间距。进行第一离子注入制作工艺，用以于第一栅极结构之间形成第一掺杂区。进行第二离子注入制作工艺，用以于第二栅极结构之间形成第二掺杂区。第二离子注入制作工艺的倾斜角度大于第一离子注入制作工艺的倾斜角度。第二离子注入制作工艺的注入剂量低于第一离子注入制作工艺的注入剂量。进行蚀刻制作工艺，用以移除至少部分的第一掺杂区而形成第一凹陷，且用以移除至少部分的第二掺杂区而形成第二凹陷。

Fabrication Method of Semiconductor Device

The invention discloses a method for fabricating a semiconductor device, which comprises the following steps: forming a plurality of first gate structures and a plurality of second gate structures on the first and second regions of a semiconductor substrate, respectively. The spacing between the second grid structure is larger than that between the first grid structure. The first ion implantation process is used to form the first doping region between the first gate structures. A second ion implantation process is carried out to form a second doping region between the second gate structures. The tilt angle of the second ion implantation process is larger than that of the first ion implantation process. The implantation dose of the second ion implantation process is lower than that of the first ion implantation process. The etching process is carried out to remove at least part of the first doping region to form the first depression, and to remove at least part of the second doping region to form the second depression.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制作方法
本专利技术涉及一种半导体装置的制作方法，尤其是涉及一种包括离子注入制作工艺的半导体装置的制作方法。
技术介绍
随着半导体集成电路工业的技术发展，越来越多的半导体装置可被整合于一半导体集成电路(integratedcircuit，IC)中，而个别半导体装置的体积则变得越来越小。场效晶体管(field-effecttransistor，FET)为半导体IC中当作基础单元的典型半导体装置。一个场效晶体管可包括一栅极结构形成于一半导体基底上以及一源极与一漏极形成于半导体基底中且与栅极结构相邻。在现有技术中，源极与漏极以对半导体基底进行掺杂而形成。随着集成电路的集成度越来越高且集成电路中的场效晶体管越来越小，许多不同的制作工艺被开发来形成源极与漏极，而其中一种制作工艺是利用外延技术来形成源极与漏极。在此制作工艺中，半导体基底被蚀刻而形成凹陷，并接着于凹陷中以外延方式形成半导体材料而由此形成源极与漏极。在凹陷中所形成的半导体材料可视不同种类的场效晶体管而有所变化。举例来说，若要形成P型通道场效晶体管，可于凹陷中形成硅锗(SiGe)材料以形成源极与漏极。由于硅锗具有比硅更大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制作方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底上定义有一第一区与一第二区；在该半导体基底的该第一区上形成多个第一栅极结构；在该半导体基底的该第二区上形成多个第二栅极结构，其中该多个第二栅极结构之间的间距大于该多个第一栅极结构之间的间距；进行一第一离子注入制作工艺，用以于该多个第一栅极结构之间的该半导体基底中形成一第一掺杂区；进行一第二离子注入制作工艺，用以于该多个第二栅极结构之间的该半导体基底中形成一第二掺杂区，其中该第二离子注入制作工艺的倾斜角度大于该第一离子注入制作工艺的倾斜角度，且该第二离子注入制作工艺的注入剂量低于该第一离子注入制作工艺的注入剂量；以及进行一蚀刻制作...

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制作方法，包括：提供一半导体基底，该半导体基底上定义有一第一区与一第二区；在该半导体基底的该第一区上形成多个第一栅极结构；在该半导体基底的该第二区上形成多个第二栅极结构，其中该多个第二栅极结构之间的间距大于该多个第一栅极结构之间的间距；进行一第一离子注入制作工艺，用以于该多个第一栅极结构之间的该半导体基底中形成一第一掺杂区；进行一第二离子注入制作工艺，用以于该多个第二栅极结构之间的该半导体基底中形成一第二掺杂区，其中该第二离子注入制作工艺的倾斜角度大于该第一离子注入制作工艺的倾斜角度，且该第二离子注入制作工艺的注入剂量低于该第一离子注入制作工艺的注入剂量；以及进行一蚀刻制作工艺，用以移除至少部分的该第一掺杂区而于该半导体基底中形成一第一凹陷，且用以移除至少部分的该第二掺杂区而于该半导体基底中形成一第二凹陷。2.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该多个第二栅极结构之间的该间距大于100纳米。3.如权利要求2所述的半导体装置的制作方法，其中该多个第二栅极结构之间的该间距大于120纳米。4.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二离子注入制作工艺的该倾斜角度介于20度至30度之间。5.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第二离子注入制作工艺的该注入剂量介于120E13离子/平方厘米至180E13离子/平方厘米之间。6.如权利要求5所述的半导体装置的制作方法，其中该第二离子注入制作工艺的该注入剂量介于135E13离子/平方厘米至165E13离子/平方厘米之间。7.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一离子注入制作工艺中使用的掺杂质与该第二离子注入制作工艺中使用的掺杂质相同。8.如权利要求1所述的半导体装置的制作方法，其中该第一离子注入制作工艺中使用的该掺杂质与该第二离子注入制作工艺中使用的该掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶俊麟，曾学志，蔡佳真，罗大刚，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71