A temperature-controlled adhesive micro-LED huge transfer method includes the following steps: A. Setting up self-assembled structure, one side of the wafer is processed with positive and negative pins, the other side is processed with self-assembled micro-structure, the transfer substrate is processed with self-sustained micro-structure, self-assembled micro-structure and self-sustained micro-structure are assembled with each other, the surface of self-sustained micro-structure is coated with temperature-controlled adhesive layer, B. Starting to self-assemble; In loading, the wafer is filled with water in a container, the wafer is dispersed into water, the transfer substrate is immersed in water, the water temperature is raised by heating device, and the water is stirred by agitator at the same time. C. Start the transfer work, stop the heating and stirring of water, take out the transfer substrate, soak the target substrate in high temperature water, and then put the transfer substrate in high temperature water to align with the target substrate to reduce the water. The temperature makes the micro-LED chip detach from the transfer substrate and fall on the target substrate. This method uses the physical principle to transfer, and does not affect the chip itself.
【技术实现步骤摘要】
一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法
本专利技术涉及领域半导体光电
,特别是一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法。
技术介绍
LED(发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件,具有能量转换效率高,反应时间短,使用寿命长等优点;Micro-LED(微发光二极管)是将传统的LED结构进行薄膜化、微小化、阵列化所得,尺寸仅在1-10μm。由于LED显示技术的优点,Micro-LED越来越多地被用到显示的场合,如:微型投影(虚拟现实设备)、小屏显示(智能可穿戴设备)、中大屏显示(电视)、超大屏显示(户外显示屏)等。但是,超高分辨率的Micro-LED显示屏制造工艺难题仍制约着Micro-LED应用到上述用途。相比OLED(有机发光二极管)可以采用印刷等廉价的生产方法轻易制造出大面积的发光面,制成一块大尺寸、高分辨率的Micro-LED显示屏需要对百万或千万片微米级尺寸的Micro-LED晶片排列组装(巨量转移),因此带来巨大的制造成本消耗。巨量转移要求把微米级大小的Micro-LED晶片从施主晶圆上精准抓取,扩大阵列距离,妥善安放固定到目标衬底(如显示器背板)上,以现有的主流LED固晶速度,往往需要花费数十天时间对一块电视屏幕进行贴装,远远不能满足产业化的要求,因此,亟需提出新方法来提高抓取速度、抓取精度,扩大晶片阵列距离,准确安放晶片,以加快Micro-LED显示技术的产业化步伐。针对从施主晶圆上剥离晶片、拾取晶片并转移贴装到目标衬底(如显示器背板)这一工艺过程,目前主流方案为磁力拾取。在Micro-LED晶片表面加工有异名磁极,转运基板上 ...
【技术保护点】
1.一种温控粘附式Micro‑LED巨量转移方法,其特征在于,包括如下步骤:A、设置自装结构,Micro‑LED晶片一面加工有正极引脚和负极引脚,另一面加工有自组装微结构,转移基板加工有自承接微结构,自组装微结构和自承接微结构相互装配,自承接微结构表面涂覆有温控粘附层;温控粘附层在高于40℃的情况下具有粘性,在低于25℃的情况下粘性消失,且实现多次粘性可逆转化;B、开始自装工作,使用容器盛水,将Micro‑LED晶片分散到水中,转移基板浸泡在水中,使得转移基板上的自承接微结构表面的温控粘附层出现粘性;同时,使用搅拌器搅拌水,使得Micro‑LED晶片与自承接微结构相互装配,并在温控粘附层的作用下固定;C、开始转移工作,停止对水的加热和搅拌,取出转移基板,将目标衬底浸泡在高温的水中,再将转移基板放入高温水与目标衬底对齐,降低水的温度,转移基板上的自承接微结构表面的温控粘附层的粘性消失,使Micro‑LED晶片脱离转移基板,落到目标衬底上;D、完成转移动作,从水中取出转移基板。
【技术特征摘要】
1.一种温控粘附式Micro-LED巨量转移方法,其特征在于,包括如下步骤:A、设置自装结构,Micro-LED晶片一面加工有正极引脚和负极引脚,另一面加工有自组装微结构,转移基板加工有自承接微结构,自组装微结构和自承接微结构相互装配,自承接微结构表面涂覆有温控粘附层;温控粘附层在高于40℃的情况下具有粘性,在低于25℃的情况下粘性消失,且实现多次粘性可逆转化;B、开始自装工作,使用容器盛水,将Micro-LED晶片分散到水中,转移基板浸泡在水中,使得转移基板上的自承接微结构表面的温控粘附层出现粘性;同时,使用搅拌器搅拌水,使得Micro-LED晶片与自承接微结构相互装配,并在温控粘附层的作用下固定;C、开始转移工作,停止对水的加热和搅拌,取出转移基板,将目标衬底浸泡在高温的水中,再将转移基板放入高温水与目标衬底对齐,降低水的温度,转移基板上的自承接微结构表面的温控粘附层的粘性消失,使Micro-LED晶片脱离转移...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈云,施达创,陈新,刘强,高健,汪正平,
申请(专利权)人:广东工业大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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