The invention discloses a method for connecting a large area base plate and a heat sink device with low voltage assisted nano silver solder paste, which is specially designed for a base plate area larger than 800mm.
【技术实现步骤摘要】
低压辅助纳米银焊膏连接大面积基板和散热装置的方法
本专利技术涉及一种低压(压力低于5MPa)辅助纳米银焊膏连接大面积(粘接面积大于800mm2)基板和散热底板、热沉等的烧结方法，属于将新型热界面材料纳米银焊膏应用于大功率电子电力封装系统的新型封装方法。
技术介绍
半导体器件在工作过程中局部区域会产生大量的热量，这些热量需要及时有效的传导出去，以保证半导体器件的正常工作。对于高温大功率电子电力封装系统中，散热是决定整个系统工作效率和可靠性的关键问题。热界面材料能够有效填补基板和冷却装置(散热底板、热沉等)接触面的空气间隙，起到连接和辅助散热的作用。目前广泛研究的热界面材料有；热油脂，凝胶，相变材料和粘合剂。热油脂和凝胶工艺简单，但是热传导性能不佳；凝胶在高温长时间工作时性能会不断下降；采用焊料作为热界面材料可以有效的减小热阻，但界面处会形成脆性的金属间化合物，导致界面层易发生疲劳失效。纳米银焊膏是一种新型绿色的热界面材料。银具有优异的导热性能，采用纳米银颗粒添加有机溶剂充当分散剂、粘接剂和稀释剂辅助烧结。分散剂主要用来防止烧结过程中，由于纳米粒子的团聚和聚合现象导致...
【技术保护点】
1.一种低压辅助纳米银焊膏连接大面积基板和散热装置的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)基板预处理后，采用钢网印刷控制厚度的方式，利用刮刀将80μm厚的纳米银焊膏均匀预涂覆在基板表面，然后在120℃下干燥90min；(2)再次采用钢网印刷控制厚度的方式，在已干燥的纳米银焊膏上印刷第二层纳米银焊膏，第二层纳米银焊膏的厚度为15‑25μm；(3)将另一块基板对接在涂有纳米银焊膏的基板上；(4)将对接好的两块基板放在预热好的热压机上，以65℃‑85℃/min的升温速率迅速从室温升至160℃‑200℃后，立即施加1MPa‑5MPa压力，然后再以5℃/min升温至275℃，在275...
【技术特征摘要】
1.一种低压辅助纳米银焊膏连接大面积基板和散热装置的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)基板预处理后，采用钢网印刷控制厚度的方式，利用刮刀将80μm厚的纳米银焊膏均匀预涂覆在基板表面，然后在120℃下干燥90min；(2)再次采用钢网印刷控制厚度的方式，在已干燥的纳米银焊膏上印刷第二层纳米银焊膏，第二层纳米银焊膏的厚度为15-25μm；(3)将另一块基板对接在涂有纳米银焊膏的基板上；(4)将对接好的两块基板放在预热好的热压机上，以65℃-85℃/min的升温速率迅速从室温升至160℃-200℃后，立即施加1MPa-5MPa压力，然后再以5℃/min升温至275℃，在275℃下加压烧结60min，最终制得烧结连接试样。2.根据权利要求1所述的低压辅助纳米银焊膏连接大面积基板和...
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