一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路、方法及应用技术

本发明专利技术提供一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路、方法及应用，包括处理器、MRAM存储器、电压检测电路、反向器、逻辑门电路、接口芯片和电源；电源与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电阻R2一端和电压检测电路的PFI端连接，电阻R2另一端接地；电压检测电路的PFO端与反向器输入端连接，反向器输出信号和处理器写信号在逻辑门电路中进行或操作，使逻辑门电路输出保持为高，输出信号作为MRAM存储器的写信号。电压检测电路在检测到掉电后，电压检测电路的PFO端输出低电平，经逻辑门电路转换后，MRAM的写信号在掉电过程中可保持高电平，防止数据被意外改写。

A Data Protection Circuit, Method and Application for Power-off of RAM Memory Based on Voltage Monitoring

The invention provides a power-down data protection circuit, method and application of RAM memory based on voltage monitoring, including processor, MRAM memory, voltage detection circuit, reverser, logic gate circuit, interface chip and power supply; power supply is connected with resistance R1 one end, resistance R1 another end is connected with resistance R2 one end and PFI end of voltage detection circuit, and resistance R2 another end is grounded; The PFO end of the test circuit is connected with the input end of the reverser. The output signal of the reverser and the write signal of the processor are operated in the logic gate circuit to keep the output of the logic gate circuit high and the output signal is used as the write signal of the MRAM memory. After the voltage detection circuit detects power failure, the PFO terminal of the voltage detection circuit outputs a low level. After the logic gate circuit conversion, the write signal of MRAM can maintain a high level in the process of power failure, so as to prevent the data from being accidentally rewritten.

【技术实现步骤摘要】
一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路、方法及应用
本专利技术属于电子信息
，具体涉及一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路、方法及应用。
技术介绍
MRAM是一种非易失性磁性随机存储器，具有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，又因其可以无限次地重复写入，同时兼具功耗低、寿命长和抗辐照能力强等优点，在军事和宇航领域应用广泛。星载大容量固态存储器的文件信息(FAT表)是设备中的关键信息，描述了固态存储器文件系统内存储单元的分配状态及文件内容的前后链接关系，若文件信息发生改写或丢失，存储的数据就无法使用，直接影响固态存储器的基本功能。星载大容量固态存储器嵌入式系统采用80C32单片机，FAT表存储器件采用MRAM存储器。MRAM存储器使用方法与SRAM类似，处理器的读写信号逻辑上可与其直接连接。目前MRAM存储器和80C32单片机的硬件连接方式是数据、地址和控制总线通过电平转换接口芯片直连，无上下电保护措施。80C32单片机正常工作电压4.5V～5.5V，MRAM正常工作电压3.0V～3.6V，在掉电过程中，8本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路，其特征在于，包括处理器、MRAM存储器、电压检测电路、反向器、逻辑门电路、接口芯片和电源；电源与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电阻R2一端和电压检测电路的PFI端分别连接，电阻R2另一端接地；电压检测电路的PFO端与反向器的输入端连接，反向器的输出信号和处理器的写信号均输入逻辑门电路并在逻辑门电路中进行或操作，使逻辑门电路输出保持为高，输出信号作为MRAM存储器的写信号写入MRAM存储器；电压检测电路在检测到掉电后，电压检测电路的PFO端输出低电平。

【技术特征摘要】
1.一种基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路，其特征在于，包括处理器、MRAM存储器、电压检测电路、反向器、逻辑门电路、接口芯片和电源；电源与电阻R1一端连接，电阻R1另一端与电阻R2一端和电压检测电路的PFI端分别连接，电阻R2另一端接地；电压检测电路的PFO端与反向器的输入端连接，反向器的输出信号和处理器的写信号均输入逻辑门电路并在逻辑门电路中进行或操作，使逻辑门电路输出保持为高，输出信号作为MRAM存储器的写信号写入MRAM存储器；电压检测电路在检测到掉电后，电压检测电路的PFO端输出低电平。2.根据权利要求1所述的基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路，其特征在于，处理器为80C32处理器。3.根据权利要求1所述的基于电压监测的MRAM存储器掉电数据保护电路，其特征在于，电压检测电路采用MAX706T。4.根据权利要求1所述的基于电压监测的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓飞，杨丽，邵明强，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西,61