一种推挽输出电路制造技术

本发明专利技术公开了一种推挽输出电路，包括：第一模块和第二模块；所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的信号，且所述第一模块将该两个相同的信号分别输入至所述第二模块；所述第二模块为推挽输出电路，包括两个不同极性的晶体管，用于实现轨到轨输出。本发明专利技术适用于输入驱动电流小，输出要求轨到轨，工作电压较宽，输出驱动电流大的场合。且对本发明专利技术的一种推挽输出电路单独进行集成，可以生成输出驱动芯片。

A Push-Pull Output Circuit

The invention discloses a push-pull output circuit, comprising: the first module and the second module; the first module includes two identical NOMS field effect transistors, the input signals are input to the two identical NOMS field effect transistors of the first module respectively, for separating the input signals into two identical signals, and the first module inputs the two identical signals separately. To the second module, the second module is a push-pull output circuit comprising two transistors with different polarities for realizing rail-to-rail output. The invention is suitable for the occasions of small input driving current, rail-to-rail output requirement, wide working voltage and large output driving current. The push-pull output circuit of the invention can be integrated separately to generate an output driver chip.

【技术实现步骤摘要】
一种推挽输出电路
本专利技术涉及推挽电路
，尤其是一种推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。
技术介绍
常用的推挽输出电压为供电电源的电压减去一个PN结电压，而轨到轨输出为供电电源的电压减去一个大约不到100mV的电压，因此，常用的推挽输出电路不能实现轨到轨输出，且目前还没有单独的实现轨到轨输出的集成输出驱动芯片。
技术实现思路
为了克服上述现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种推挽输出电路，适用于输入驱动电流小，输出要求轨到轨，工作电压较宽，输出驱动电流大的场合。且对本专利技术的一种推挽输出电路单独进行集成，可以生成输出驱动芯片。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案，包括：一种推挽输出电路，所述推挽电路包括：第一模块和第二模块；所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的输出信号，且所述第一模块将该两个相同的输出信号分别输入至所述第二模块；所述第二模块为推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。所述第一模块的元器件包括：电阻R1、电阻R2，以及两个相同的NOMS场效应管即Q1:A和Q1:B，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种推挽输出电路，其特征在于，所述推挽电路包括：第一模块和第二模块；所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的输出信号，且所述第一模块将该两个相同的输出信号分别输入至所述第二模块；所述第二模块为推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。

【技术特征摘要】
1.一种推挽输出电路，其特征在于，所述推挽电路包括：第一模块和第二模块；所述第一模块包括两个相同的NOMS场效应管，输入信号分别输入至所述第一模块的该两个相同的NOMS场效应管，用于将所述输入信号分离为两个相同的输出信号，且所述第一模块将该两个相同的输出信号分别输入至所述第二模块；所述第二模块为推挽输出电路，用于实现轨到轨输出。2.根据权利要求1所述的一种推挽输出电路，其特征在于，所述第一模块的元器件包括：电阻R1、电阻R2，以及两个相同的NOMS场效应管即Q1:A和Q1:B，其中，所述Q1:A的栅极G与所述输入端Vin相连接；所述Q1:A的源极S接地；所述Q1:A的漏极与所述电阻R1相连接；所述电阻R1的一端与所述Q1:A的漏极D相连接，另一端与电源Vcc1相连接；所述Q1:B的栅极G也与所述输入端Vin相连接；所述Q1:B的源极S接地；所述Q1:B的漏极与所述电阻R2相连接；所述电阻R2的一端与所述Q1:B的漏极D相连接，另一端与电源Vcc2相连接；所述第二模块的元器件包括：电阻R3、电阻R4、电阻R5，以及两个不同极性的晶体管即Q2:A和Q2:B。其中，所述Q2:A为PNP三极管或PMOS场效应管，用于高端驱动；所述Q2:B相应的为NPN三级管或NMOS场效应管，用于低端驱动；所述Q2:A的基极B与所述电阻R3相连接；所述Q2:A的发射极E与电源Vcc3相连接；所述Q2:A...

【专利技术属性】
技术研发人员：白宇，余健，夏宜铭，吴求玉，
申请(专利权)人：安徽沃巴弗电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34