阵列基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法和显示装置。该阵列基板包括：衬底基板；第三金属层(触控线层)，位于衬底基板上；第一钝化层，位于衬底基板上，并覆盖触控线层；位于第一钝化层上的多个薄膜晶体管；像素电极，位于第一钝化层上，并与薄膜晶体管相连接；第二钝化层，位于薄膜晶体管上，并覆盖薄膜晶体管和像素电极；以及公共电极层，位于第二钝化层上，其中，阵列基板的储存电容包括像素电极、公共电极层以及二者之间的第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的第一钝化层、第二钝化层。本发明专利技术实施例公开的阵列基板，触控电容与储存电容包括不同的钝化层，能够同时实现触控电容小、储存电容大的性能要求。

Array Substrate and Its Manufacturing Method and Display Device

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method and a display device thereof. The array substrate includes: a substrate substrate; a third metal layer (touch line layer) located on the substrate; a first passivation layer located on the substrate and covered with the touch line layer; a plurality of thin film transistors located on the first passivation layer; a pixel electrode located on the first passivation layer and connected with the thin film transistor; and a second passivation layer located on the thin film transistor and covered with the thin film transistor. The transistor and the pixel electrode; and the common electrode layer are located on the second passivation layer, in which the storage capacitance of the array substrate includes the pixel electrode, the common electrode layer and the first passivation layer between the two, and the touch capacitance includes the touch line layer, the common electrode layer and the first passivation layer and the second passivation layer between the two. The array substrate disclosed in the embodiment of the present invention includes different passivation layers for touch capacitance and storage capacitance, which can simultaneously meet the performance requirements of small touch capacitance and large storage capacitance.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及阵列基板及其制造方法和显示装置。
技术介绍
目前，市面上的触控显示面板包括外挂式和内嵌式两种。内嵌式显示面板是将触控感应器制作于面板结构内，直接把触控感应器置于薄膜晶体管液晶显示器面板模组中，触控功能整合于显示器内。图1示出了现有技术中的内嵌式触控面板的阵列基板的剖面示意图，在现有技术中，内嵌式显示面板中阵列基板的架构如图1所示。在衬底基板10上依次堆叠第一金属层11和第一绝缘层12。第一绝缘层12上的不同位置上分别设置有像素电极13、半导体层14以及第二金属层15；其上设置有第一钝化层16。在第一钝化层16上依次堆叠第三金属层17、第二钝化层18以及公共电极层19。第三金属层(触控线层)17作为触控线，触控线与公共电极层19以及二者之间的介质形成触控电容。像素电极13与公共电极层19以及二者之间的介质形成储存电容。在现有技术的架构中，触控线与公共电极层19之间仅由第二钝化层18隔开，具有较大的触控电容；像素电极13与公共电极层19之间由第一钝化层16、第一绝缘层12以及第二钝化层18隔开，具有较小的储存电容。且由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第三金属层，位于所述衬底基板上，用于传递触控信号；第一钝化层，位于所述衬底基板上，并覆盖所述触控线层；位于所述第一钝化层上的多个薄膜晶体管；像素电极，位于所述第一钝化层上，并与所述薄膜晶体管相连接；第二钝化层，位于所述薄膜晶体管上，并覆盖所述薄膜晶体管和所述像素电极；以及公共电极层，位于所述第二钝化层上，其中，所述阵列基板的储存电容包括所述像素电极、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层、所述第二钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板；第三金属层，位于所述衬底基板上，用于传递触控信号；第一钝化层，位于所述衬底基板上，并覆盖所述触控线层；位于所述第一钝化层上的多个薄膜晶体管；像素电极，位于所述第一钝化层上，并与所述薄膜晶体管相连接；第二钝化层，位于所述薄膜晶体管上，并覆盖所述薄膜晶体管和所述像素电极；以及公共电极层，位于所述第二钝化层上，其中，所述阵列基板的储存电容包括所述像素电极、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层、所述第二钝化层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述薄膜晶体管排列成晶体管阵列，分别包括用于提供源区和漏区的半导体层、用于形成源极和漏极的第二金属层、位于所述半导体层下方的栅极、以及夹在所述半导体层和所述栅极之间的第一绝缘层；所述第二金属层位于所述第一绝缘层上，所述源极和所述漏极分别与所述源区和所述漏区相连接；所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连接。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层为平整的片状，位于有效显示区域之上；所述储存电容为平行板电容器，包括所述像素电极、所述像素电极正上方的所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层；所述触控电容为平行板电容器，包括所述触控线层、所述触控线层正上方的所述公共电极层以及二者之间的所述第一钝化层、所述第二钝化层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极与所述公共电极层之间仅包括所述第二钝化层；所述触控线层与所述公共电极层之间仅包括所述第一钝化层、所述第一绝缘层以及所述第二钝化层。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层包括：多条彼此平行的金属触控线，多条所述金属触控线分别与不...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐芸，刘厚锋，李家琪，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32