一种基站用功率补偿器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基站用功率补偿器，包括主控单片机电路、采样计量电路、电源电路、通信接口电路、调整电路和市电掉电检测电路，电源电路为功率补偿器供电，采样计量电路的检测信号输入输出端与主控单片机电路的检测信号输入输出端连接，通信接口电路与主控单片机电路的数据输入输出端连接，调整电路的限流控制端与主控单片机电路的限流控制端连接，市电掉电检测电路的低电源检测端与主控单片机电路的低电源检测端连接。功率补偿器设置采样计量电路精确检测线路的电压、电流数据，将输入偏低的市电电压通过调整电路进行稳压，当不确定因素导致负载电流过大导致线路电流过大时，限制线路电流进而限制用电设备的输入功率。

【技术实现步骤摘要】
一种基站用功率补偿器
本技术属于功率调节设备
，具体地说，涉及一种基站用功率补偿器。
技术介绍
对于电源线路长、负载功率大且不确定的应用场合，由于线路过长导致的线路损耗严重。再加上负载功率的变化或过大导致线路压降增大，从而引起电源供电不足，表现为电压降低，因此而导致后端用电设备工作异常甚至不工作。在现有的使用领域，若负载功率过大或线路过长，其解决的办法为升高输入市电电压、加大供电线径等物理手段。如果提升市电供电电压，则会导致整个电网系统电压升高，对于距离变压器较近的用电设备将面临高压的考验，甚至导致设备烧毁。在电池充电领域，由于电池电压的充放过程，电池存在快充、浮充等过程，对于快充阶段，由于电池容量一般较大，此时的充电电流一般非常大，因此对市电的输入功率要求也非常大。根据线路电压降：U＝I*R，当负载功率升高时(快充过程)，导致线路压降也升高，则到达负载的市电电压就降低，甚至负载无法正常工作。
技术实现思路
针对现有技术中上述的不足，本技术提供一种基站用功率补偿器，功率补偿器设置调整电路，实现负载功率调节，设置采样计量电路，精确检测线路的电压、电流数据，为调整电路提供调整参考，将输入偏低的市电电压通过调整电路进行稳压，当不确定因素导致负载电流过大导致线路电流过大时，通过调整电路调节，从而限制线路电流而限制了用电设备的输入功率。为了达到上述目的，本技术采用的解决方案是：一种基站用功率补偿器，包括主控单片机电路、采样计量电路、电源电路和通信接口电路，还包括调整电路和市电掉电检测电路，所述的电源电路为功率补偿器供电，所述的采样计量电路的检测信号输入输出端与主控单片机电路的检测信号输入输出端连接，所述的通信接口电路与主控单片机电路的数据输入输出端连接，所述的调整电路的限流控制端与主控单片机电路的限流控制端连接，所述的市电掉电检测电路的低电源检测端与主控单片机电路的低电源检测端连接。所述的通信接口电路包括两路485通信接口电路，第一路485通信接口电路的输入输出端与主控单片机电路的第一数据输入输出端连接，第二路485通信接口电路的输入输出端与主控单片机电路的第二数据输入输出端连接。所述的调整电路包括电流检测放大器、低电压比较器、IGBT驱动光电耦合器、DC-DC电源和外围电路，主控单片机电路的限流控制端与第一电阻连接，第一电阻的另一端与低电压比较器的负输入端和第一电容连接，第一电容的另一端接地，低电压比较器的正输入端分别与第二电容、第二电阻、第三电阻连接，第二电阻的另一端与第四电阻以及电流检测放大器的输出端连接，第四电阻的另一端与第三电容和主控单片机电路的电流测量端连接，第三电阻的另一端、第二电容的另一端以及第三电容的另一端接地；低电压比较器的输出端分别与第五电阻、第一MOS场效应管的栅极、第四电容以及主控单片机电路的脉冲中断信号端连接，第五电阻的另一端与电压源连接，第一MOS场效应管的源极以及第四电容的另一端接地，第一MOS场效应管的漏极分别与第六电阻、第七电阻和第二MOS场效应管的漏极连接，第六电阻的另一端与电压源连接，第二MOS场效应管的栅极分别与第八电阻、第五电容和主控单片机电路的充电使能端连接，第二MOS场效应管的源极、第五电容的另一端接地，第八电阻的另一端与电压源连接；第七电阻的另一端与第六电容和第三MOS场效应管的栅极连接，第六电容的另一端以及第三MOS场效应管的源极接地，第三MOS场效应管的漏极与第九电阻连接，第九电阻的另一端分别与第一二极管的正极和IGBT驱动光电耦合器的阴极连接，第一二极管的负极以及IGBT驱动光电耦合器的阳极与电压源连接；IGBT驱动光电耦合器的正电源端与15V电源连接，15V电源还分别与第一有极性电容的正极、第七电容以及DC-DC电源的正输出端连接，DC-DC电源的片选信号端与第八电容连接，第八电容的另一端、DC-DC电源的负电源端、第一有极性电容的负极、第七电容的另一端与负电源连接，DC-DC电源的输入电压端与10V电源连接，10V电源还与第二有极性电容的正极连接，第二有极性电容的负极接地；IGBT驱动光电耦合器的两路输出电压端共同与第二二极管的正极和第十电阻连接，第二二极管的负极以及第十电阻的另一端共同与第十一电阻、第三二极管的负极、第十二电阻、第十三电阻连接，第十一电阻的另一端、第三二极管的正极、IGBT驱动光电耦合器的负电源端以及保险丝与负电源连接，保险丝的另一端与第四二极管的正极、第四MOS场效应管的源极、第五MOS场效应管的源极、第一充电输出端子以及第五二极管的负极连接，第五二极管的正极接地，第二充电输出端子与第六二极管的负极、第三有极性电容的正极、第九电容以及第十四电阻连接，第六二极管的正极、第三有极性电容的负极、第九电容的另一端接地，第十四电阻的另一端与第十五电阻、第十电容、第七二极管的负极、第十六电阻连接，第十五电阻的另一端、第十电容的另一端以及第七二极管的正极接地，第十六电阻的另一端与主控单片机电路的输出电压测量端连接；第二稳压二极管的负极与第一毫欧电阻的负极、第二毫欧电阻的负极、第四MOS场效应管的漏极、第五MOS场效应管的漏极以及电流检测放大器的负输入端连接，第十二电阻的另一端与第四MOS场效应管的栅极连接，第十三电阻的另一端与第五MOS场效应管的栅极连接，电流检测放大器的正输入端与第一毫欧电阻的正极、第二毫欧电阻的正极以及48V电源连接，48V电源还与输入端子和第十七电阻连接，第十七电阻的另一端与第十八电阻、第八二极管的负极、第十九电阻连接，第十九电阻的另一端与第十一电容以及主控单片机电路的输入电压测量端连接，第十一电容的另一端、第八二极管的正极以及第十八电阻的另一端接地。所述的第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管、第八二极管为稳压二极管。该功率补偿器还包括指示灯电路，所述的指示灯电路的运行端口与主控单片机电路的指示灯运行端口连接。本技术的有益效果是：(1)功率补偿器设置调整电路，实现负载功率调节，设置采样计量电路，精确检测线路的电压、电流数据，为调整电路提供调整参考，将输入偏低的市电电压通过调整电路进行稳压，当不确定因素导致负载电流过大导致线路电流过大时，通过调整电路调节，从而限制线路电流而限制了用电设备的输入功率；(2)在不进行市电扩容、更换线路的前提下挖掘供电潜力，满足了大负载变化应用领域的应用要求。从而避免由于负载电流的大规模变化而导致输入电压剧烈下降，造成设备停机甚至损坏。附图说明图1为本技术的功率补偿器结构框图；图2为本技术功率补偿器的调整电路；图3为本技术的第一实施例示意图；图4为本技术的第二实施例示意图；附图中：R1-第一电阻，R2-第二电阻，R3-第三电阻，R4-第四电阻，R5-第五电阻，R6-第六电阻，R7-第七电阻，R8-第八电阻，R9-第九电阻，R10-第十电阻，R11-第十一电阻，R12-第十二电阻，R13-第十三电阻，R14-第十四电阻，R15-第十五电阻，R16-第十六电阻，R17-第十七电阻，R18-第十八电阻，R19-第十九电阻，C1-第一电容，C2-第二电容，C3-第三电容，C4-第四电容，C5-第五电容，C6-第六电容，C7-第七电容，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基站用功率补偿器，包括主控单片机电路、采样计量电路、电源电路和通信接口电路，其特征在于：还包括调整电路和市电掉电检测电路，所述的电源电路为功率补偿器供电，所述的采样计量电路的检测信号输入输出端与主控单片机电路的检测信号输入输出端连接，所述的通信接口电路与主控单片机电路的数据输入输出端连接，所述的调整电路的限流控制端与主控单片机电路的限流控制端连接，所述的市电掉电检测电路的低电源检测端与主控单片机电路的低电源检测端连接。

【技术特征摘要】
1.一种基站用功率补偿器，包括主控单片机电路、采样计量电路、电源电路和通信接口电路，其特征在于：还包括调整电路和市电掉电检测电路，所述的电源电路为功率补偿器供电，所述的采样计量电路的检测信号输入输出端与主控单片机电路的检测信号输入输出端连接，所述的通信接口电路与主控单片机电路的数据输入输出端连接，所述的调整电路的限流控制端与主控单片机电路的限流控制端连接，所述的市电掉电检测电路的低电源检测端与主控单片机电路的低电源检测端连接。2.根据权利要求1所述的一种基站用功率补偿器，其特征在于：所述的通信接口电路包括两路485通信接口电路，第一路485通信接口电路的输入输出端与主控单片机电路的第一数据输入输出端连接，第二路485通信接口电路的输入输出端与主控单片机电路的第二数据输入输出端连接。3.根据权利要求1所述的一种基站用功率补偿器，其特征在于：所述的调整电路包括电流检测放大器、低电压比较器、IGBT驱动光电耦合器、DC-DC电源和外围电路，主控单片机电路的限流控制端与第一电阻连接，第一电阻的另一端与低电压比较器的负输入端和第一电容连接，第一电容的另一端接地，低电压比较器的正输入端分别与第二电容、第二电阻、第三电阻连接，第二电阻的另一端与第四电阻以及电流检测放大器的输出端连接，第四电阻的另一端与第三电容和主控单片机电路的电流测量端连接，第三电阻的另一端、第二电容的另一端以及第三电容的另一端接地；低电压比较器的输出端分别与第五电阻、第一MOS场效应管的栅极、第四电容以及主控单片机电路的脉冲中断信号端连接，第五电阻的另一端与电压源连接，第一MOS场效应管的源极以及第四电容的另一端接地，第一MOS场效应管的漏极分别与第六电阻、第七电阻和第二MOS场效应管的漏极连接，第六电阻的另一端与电压源连接，第二MOS场效应管的栅极分别与第八电阻、第五电容和主控单片机电路的充电使能端连接，第二MOS场效应管的源极、第五电容的另一端接地，第八电阻的另一端与电压源连接；第七电阻的另一端与第六电容和第三MOS场效应管的栅极连接，第六电容的另一端以及第三MOS场效应管的源极接地，第三MOS场效应管的漏极与第九电阻连接，第九电阻的另一端分别与第一二极管的正极和IGBT驱动光电耦合器的阴极连接，第一二极管的负极以及IGBT驱动光电耦合器的阳极与电压源连接；IGBT驱动光电耦合器的正电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东海，
申请(专利权)人：云南兆富科技有限公司，
类型：新型
国别省市：云南,53