具有高功率密度的封装射频功率放大器制造技术

本发明专利技术涉及一种封装射频功率放大器。本发明专利技术还涉及一种包括该封装射频功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。根据本发明专利技术的封装RF功率放大器包括被耦接到射频功率晶体管的输出端的输出网络，其中，该输出网络包括在晶体管的输出端和封装的输出引线之间沿第一方向延伸的多个第一键合线、在射频功率晶体管的输出端和地之间串联连接的第二电感器和第一电容器、以及串联连接在地与第二电感器和第一电容器之间的结点之间的第三电感器和第二电容器。根据本发明专利技术，第一和第二电容器被集成在单个无源管芯上，并且第三电感器包括串联连接的第一部件和第二部件，其中，第一部件至少部分地沿第一方向延伸，并且第二部件至少部分地沿与第一方向相反的方向延伸。替代地，第三电感器基本上垂直于第一方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高功率密度的封装射频功率放大器
本专利技术涉及一种封装射频(RadioFrequency，RF)功率放大器。本专利技术还涉及一种包括该封装RF功率放大器的用于移动通信的蜂窝基站。
技术介绍
图1示出了已知的RF功率放大器。图2示出了对应的等效电路图。已知的放大器1包括具有输出引线2、输入引线3和法兰4的封装。布置有RF功率晶体管6的有源管芯5被安装在法兰4上。RF功率晶体管6的输入端(诸如栅极)连接到键合焊垫条7，并且RF功率晶体管6的输出端(诸如漏极)连接到键合焊垫条8。封装RF功率放大器1还包括第一无源管芯9、第二无源管芯10和第三无源管芯11。在每个管芯上，布置有集成电容器C1、C2、C4，该集成电容器具有两个端子，其中一个端子接地。在本专利技术的上下文中，接地端子是指电连接到法兰4的端子。另一端子连接到包括键合焊垫条12、13、14的键合焊垫条组件。管芯9、10、11中的每一个以及连接键合线被布置在封装内。在本专利技术的上下文中，有源管芯是其上布置有RF功率晶体管的半导体管芯，并且无源管芯是优选地但不一定由半导体材料制成的管芯，该管芯上实现有一个或多个无源元件。第一电感器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装射频(RF)功率放大器，所述封装射频功率放大器包括：封装，所述封装具有输出引线；有源管芯，所述有源管芯被布置在所述封装内并且在所述有源管芯上布置有RF功率晶体管，所述RF功率晶体管具有输出端和相关联的输出电容；无源半导体管芯，所述无源半导体管芯被布置在所述输出引线和所述有源管芯之间；以及输出网络，所述输出网络被布置在所述封装内并且包括：第一电容器，所述第一电容器具有第一电容并且设置有第一端子和接地第二端子，所述第一电容器被集成在所述无源半导体管芯上；第二电容器，所述第二电容器具有第二电容并且设置有第三端子和接地第四端子，其中，所述第二电容显著大于所述第一电容；第一电感器，所述第一电...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.23 NL 20173491.一种封装射频(RF)功率放大器，所述封装射频功率放大器包括：封装，所述封装具有输出引线；有源管芯，所述有源管芯被布置在所述封装内并且在所述有源管芯上布置有RF功率晶体管，所述RF功率晶体管具有输出端和相关联的输出电容；无源半导体管芯，所述无源半导体管芯被布置在所述输出引线和所述有源管芯之间；以及输出网络，所述输出网络被布置在所述封装内并且包括：第一电容器，所述第一电容器具有第一电容并且设置有第一端子和接地第二端子，所述第一电容器被集成在所述无源半导体管芯上；第二电容器，所述第二电容器具有第二电容并且设置有第三端子和接地第四端子，其中，所述第二电容显著大于所述第一电容；第一电感器，所述第一电感器包括一个或多个第一键合线，所述一个或多个第一键合线沿第一方向从所述RF功率晶体管的输出端延伸到所述输出引线；第二电感器，所述第二电感器包括一个或多个第二键合线，所述一个或多个第二键合线从所述RF功率晶体管的输出端延伸到所述第一端子；以及第三电感器，所述第三电感器连接在所述第一端子和所述第三端子之间；其中，由所述第二电感器、所述第三电感器、所述第一电容器和所述第二电容器形成的网络被配置成在所述RF功率放大器的工作频率处或所述RF功率放大器的工作频率附近与所述相关联的输出电容谐振；其特征在于，所述第二电容器被集成在所述无源半导体管芯上，并且所述第三电感器包括串联连接的第一部分和第二部分，其中，所述第一部分至少部分地沿所述第一方向延伸，并且所述第二部分至少部分地沿与所述第一方向相反的方向延伸。2.根据权利要求1所述的封装RF功率放大器，其中，所述第三电感器的第一部分和第二部分各自整体在所述无源半导体管芯上或所述无源半导体管芯上方延伸。3.根据权利要求1或2所述的封装RF功率放大器，其中，所述第一电容器包括金属-绝缘体-金属电容器，并且所述第二电容器包括深沟槽电容器。4.根据前述权利要求中任一项所述的封装RF功率放大器，其中，所述第三电感器包括多个第三键合线，其中，所述第三键合线中的至少一个形成所述第一部分，并且其他的第三键合线形成所述第二部分。5.根据权利要求4所述的封装RF功率放大器，其中，所述无源半导体管芯包括一个或多个辅助键合焊垫，其中，属于所述第一部分的第三键合线在所述第一端子和所述辅助键合焊垫之间延伸，并且属于所述第二部分的第三键合线在所述辅助键合焊垫和所述第三端子之间延伸。6.根据权利要求5所述的封装RF功率放大器，其中，所述辅助键合焊垫被布置在所述第一端子和所述输出引线之间。7.根据权利要求4至6中任一项所述的封装RF功率放大器，其中，所述第三键合线被布置成平行于所述一个或多个第一键合线。8.根据权利要求4至6中任一项所述的封装RF功率放大器，其中，属于所述第一部分的所述第三键合线被布置成相对于所述一个或多个第一键合线呈第一角度﹢α，并且属于所述第二部分的所述第三键合线被布置成相对于所述一个或多个第一键合线呈第二角度﹣β，其中，α和β各自为优选地介于20度至70度之间的范围内的正数。9.根据权利要求4至8中任一项所述的封装RF功率放大器，其中，所述第一端子包括用于安装所述一个或多个第二键合线和属于所述第一部分的所述第三键合线的第一键合焊垫组件，并且所述第三端子包括用于安装属于所述第二部分的所述一个或多个第三键合线的第二键合焊垫组件，其中，所述第一键合焊垫组件被布置在输出焊垫和所述第二键合焊垫组件之间，并且所述第二键合焊垫组件被布置在所述第一键合焊垫组件和所述一个或多个辅助键合焊垫之间。10...

【专利技术属性】
技术研发人员：约翰内斯·A·M·德波特，诸毅，尤里·沃洛凯恩，维特里奥·库柯，阿尔贝图斯·G·W·P·范佐耶伦，约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫，约瑟夫斯·H·B·范德赞登，
申请(专利权)人：安普林荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL