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一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料的制备方法及其应用技术

技术编号:20878843 阅读:34 留言:0更新日期:2019-04-17 12:18
本发明专利技术涉及光电化学领域,公开了一种TiO2/g‑C3N4光阳极纳米复合材料,制备方法为:将三聚氰胺和钛酸四丁酯混合于乙醇中,搅拌,使混合物料分散均匀,采用水热法,离心过滤,烘干后,将粉体高温退火处理,冷却至室温,研磨,得TiO2/g‑C3N4光阳极纳米复合材料。还公开了该光阳极纳米复合材料在制备TiO2/g‑C3N4光电极薄膜上的应用。该TiO2/g‑C3N4光阳极纳米复合材料和光电极薄膜均具有良好的光化学特性,且制备方法具有低能耗,条件简易,易规模化等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料的制备方法及其应用
本专利技术属于光电化学
,具体涉及一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料的制备方法及其应用。
技术介绍
光电化学(PEC)水分解技术是当前十分活跃的研究领域,其利用太阳光分解水制氢获得可再生能源,是目前解决环境和能源问题的主要手段。光阳极材料的开发是光电化学分解水大规模应用的重中之重。具有有效的载流子传输、合适的带隙、导带价带能级、稳定性好和成本低等条件的半导体材料被视为是理想的光阳极半导体材料。为了获得满足上述条件的光电极材料,改善现有半导体材料的性能,同时发展新的具有应用前景的光阳极新材料势在必行。TiO2禁带宽度较宽(3.0~3.2eV),只吸收可见光。g-C3N4光生电子空穴复合率高,量子效率低,导电能力差。研究表明,通过对两种半导体材料的复合,可以提高TiO2的光电化学性能。目前,有研究采用复合TiO2/g-C3N4半导体材料的方法,但操作过程相对复杂,不易进行大规模制备。因此,有必要对其制作方法及性能进行研究。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料的制备方法及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TiO2/g‑C3N4光阳极纳米复合材料,其特征在于,制备方法为:将三聚氰胺和钛酸四丁酯混合于乙醇中,搅拌,使混合物料分散均匀,采用水热法,离心过滤,烘干后,将粉体高温退火处理,冷却至室温,研磨,得TiO2/g‑C3N4光阳极纳米复合材料。

【技术特征摘要】
1.一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料,其特征在于,制备方法为:将三聚氰胺和钛酸四丁酯混合于乙醇中,搅拌,使混合物料分散均匀,采用水热法,离心过滤,烘干后,将粉体高温退火处理,冷却至室温,研磨,得TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料。2.如权利要求1所述的一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料,其特征在于,所述三聚氰胺和钛酸四丁酯的摩尔比为3:1。3.如权利要求1所述的一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料,其特征在于,所述水热法的条件为:水热温度为180℃-200℃,时间为18h-24h。4.如权利要求1所述的一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料,其特征在于,所述高温退火处理条件为:温度500-550℃,时间3-5h。5.如权利要求1所述的一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料,其特征在于,所述产物TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料是N型半导体材料。6.如权利要求1-5任一项所述一种TiO2/g-C3N4光阳极纳米复合材料在制...

【专利技术属性】
技术研发人员:范晓星王晓娜蔡鹤成祥祥刘京韩宇王绩伟
申请(专利权)人:辽宁大学
类型:发明
国别省市:辽宁,21

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