化学机械平坦化膜制造技术

在一些实施例中，本发明专利技术在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明专利技术的实施例还涉及化学机械平坦化膜。

【技术实现步骤摘要】
化学机械平坦化膜
本专利技术的实施例涉及化学机械平坦化膜。
技术介绍
集成芯片使用在彼此顶部上形成多个不同层的复杂制造工艺来构建。许多不同层使用光刻来图案化，光刻是将感光材料选择性地暴露于电磁辐射的工艺。例如，可以使用光刻来限定形成在彼此顶部上的后段制程(BEOL)金属互连层。为了确保金属互连层形成有良好结构清晰度，电磁辐射必须适当聚焦。为了正确地聚焦电磁辐射，工件必须基本上是平面的以避免聚焦深度问题。化学机械平坦化(CMP)是一种广泛使用的工艺，通过该工艺，使用化学力和机械力来全面平坦化半导体工件。平坦化将准备好用于随后层的形成的工件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种形成化学机械平坦化(CMP)膜的方法，包括：在膜模具中的腔内提供可延展材料，其中，所述腔包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域；固化所述可延展材料以形成膜，其中，固化所述可延展材料包括：将所述膜模具的中心区域内的所述可延展材料加热至第一温度；以及将所述膜模具的外围区域内的所述可延展材料加热至大于所述第一温度的第二温度。本专利技术的另一实施例提供了一种形成化学机械平坦化膜的方法，包括：在由膜模具的内表面限定的腔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成化学机械平坦化(CMP)膜的方法，包括：在膜模具中的腔内提供可延展材料，其中，所述腔包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域；固化所述可延展材料以形成膜，其中，固化所述可延展材料包括：将所述膜模具的中心区域内的所述可延展材料加热至第一温度；以及将所述膜模具的外围区域内的所述可延展材料加热至大于所述第一温度的第二温度。

【技术特征摘要】
2017.09.27 US 62/563,701;2018.05.31 US 15/994,0881.一种形成化学机械平坦化(CMP)膜的方法，包括：在膜模具中的腔内提供可延展材料，其中，所述腔包括中心区域和围绕所述中心区域的外围区域；固化所述可延展材料以形成膜，其中，固化所述可延展材料包括：将所述膜模具的中心区域内的所述可延展材料加热至第一温度；以及将所述膜模具的外围区域内的所述可延展材料加热至大于所述第一温度的第二温度。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二温度比所述第一温度大2°开尔文(K)的量以上。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外围区域从所述中心区域延伸至所述腔的最外边缘。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外围区域在所述中心区域周围延伸为连续环。5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过多个加热灯实施将所述中心区域内的所述可延展材料加热至所述第一温度并且将所述外围区域内的所述可延展材料加热至所述第二温度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过嵌入在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政炳，李仁铎，彭升泰，赖宗龙，谢子逸，张建玮，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71