基于图形补偿的光刻版及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种基于图形补偿的光刻版及其制作方法，所述制作方法包括：S1、在光刻版上形成第一版图；S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺，获取光刻后的实际图形；S3、根据第一版图和光刻后的实际图形，得到基于横向刻蚀的图形差异；S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿，得到第二版图；S5、在光刻版上形成第二版图。本发明专利技术通过原始版图和实际图形的图形差异对原始版图进行补偿修正，将刻蚀工艺中横向刻蚀的图形尺寸补偿到光刻版版图中，能够有效地刻蚀形成理想的目标图形，适用于各种电子器件的工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
基于图形补偿的光刻版及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种基于图形补偿的光刻版及其制作方法。
技术介绍
反应离子刻蚀技术目前在半导体制造领域中被广泛应用，反应离子刻蚀一般是通过在被刻蚀物表面进行图形化工艺之后，通过刻蚀工艺以实现图形的转移。在整个刻蚀工艺中，由于横向刻蚀的存在，很难避免因横向侵蚀刻蚀掉了不该被刻蚀的区域，导致刻蚀后的图形与目标图形相差较大。现有技术中通常是调整反应离子刻蚀中各种工艺参数，尽可能的降低横向刻蚀的影响，但这种方法需要经过大量的实验来确定实验参数。因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于图形补偿的光刻版及其制作方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基于图形补偿的光刻版及其制作方法。为了实现上述目的，本专利技术一实施例提供的技术方案如下：一种基于图形补偿的光刻版制作方法，所述制作方法包括：S1、在光刻版上形成第一版图；S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺，获取光刻后的实际图形；S3、根据第一版图和光刻后的实际图形，得到基于横向刻蚀的图形差异；S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿，得到第二版图；S5、在光刻版上形成第二版图。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S1中的第一版图为原始光刻版图。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S3具体为：以第一版图和实际图形的中心为基准，得到基于横向刻蚀的图形差异。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S3中的图形差异包括实际图形的外围相对于第一版图的外围的偏移尺寸。作为本专利技术的进一步改进，所述步骤S4具体为：将第一版图的外围按照偏移尺寸向内偏移进行图形补偿，得到偏移后的第二版图。作为本专利技术的进一步改进，所述第一版图和光刻后的实际图形通过显微镜获取而得。本专利技术另一实施例提供的技术方案如下：一种基于图形补偿的光刻版，所述光刻版通过上述的制作方法制作而得。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过原始版图和实际图形的图形差异对原始版图进行补偿修正，将刻蚀工艺中横向刻蚀的图形尺寸补偿到光刻版版图中，能够有效地刻蚀形成理想的目标图形，适用于各种电子器件的工艺流程。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术基于图形补偿的光刻版制作方法的工艺流程图；图2a为本专利技术一具体实施例中第一版图的平面示意图；图2b为本专利技术一具体实施例中第一版图和实际图形的平面示意图；图2c为本专利技术一具体实施例中第二版图和实际图形的平面示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。参图1所示，本专利技术公开了一种基于图形补偿的光刻版制作方法，包括：S1、在光刻版上形成第一版图；S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺，获取光刻后的实际图形；S3、根据第一版图和光刻后的实际图形，得到基于横向刻蚀的图形差异；S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿，得到第二版图；S5、在光刻版上形成第二版图。本专利技术还公开了一种基于图形补偿的光刻版，该光刻版通过上述的制作方法制作而得。以下结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。本专利技术一具体实施例中基于图形补偿的光刻版制作方法，包括以下步骤：S1、在光刻版11上形成第一版图21。参图2a所示，本实施例中的光刻版11上的第一版图21以“十”字型为例进行说明，第一版图21为按刻蚀目的设计的原始光刻版图，在其他实施例中也可以为方形、圆形等形状。S2、采用具有第一版图21的光刻版进行光刻工艺，获取光刻后的实际图形22。采用图2a所示的光刻版进行光刻工艺，光刻过程中由于横向刻蚀的存在，刻蚀后的实际图形22如图2b所示，实际图形和第一版图会存在较大的差异。S3、根据第一版图21和光刻后的实际图形22，得到基于横向刻蚀的图形差异。在高倍显微镜下观察第一版图21和实际图形22，以第一版图21和实际图形22的中心为基准，得到基于横向刻蚀的图形差异，图形差异即图2b中第一版图21和实际图形22之间的区域。优选地，本实施例中的图形差异包括实际图形22的外围相对于第一版图21的外围的偏移尺寸。S4、根据图形差异对第一版图21进行图形补偿，得到第二版图23。本实施例中将第一版图21的外围按照图形差异中的偏移尺寸向内偏移进行图形补偿，得到图形补偿后的第二版图23。当然，在其他实施例中也可以按照图形差异中的偏移尺寸的一定比例进行图形补偿，如图形补偿为图形差异中的偏移尺寸的2/3等，此处不再详细赘述。S5、如图2c所示，在光刻版12上形成第二版图23。经测试，采用具有第二版图23的光刻版12进行光刻工艺后，得到的图形与原始光刻版图相差较小。应当理解的是，本实施例中仅以一个“十”字型的图形为例进行说明，在其他实施例中，光刻版上的版图上可以包括若干个图形，图形也不限于“十”字型，针对每个图形需按照上述方法进行图形补偿，以在光刻版上形成图形补偿后的第二版图，此处不再一一举例进行详细说明。由以上技术方案可以看出，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术通过原始版图和实际图形的图形差异对原始版图进行补偿修正，将刻蚀工艺中横向刻蚀的图形尺寸补偿到光刻版版图中，能够有效地刻蚀形成理想的目标图形，适用于各种电子器件的工艺流程。对于本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于图形补偿的光刻版制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：S1、在光刻版上形成第一版图；S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺，获取光刻后的实际图形；S3、根据第一版图和光刻后的实际图形，得到基于横向刻蚀的图形差异；S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿，得到第二版图；S5、在光刻版上形成第二版图。

【技术特征摘要】
1.一种基于图形补偿的光刻版制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：S1、在光刻版上形成第一版图；S2、采用具有第一版图的光刻版进行光刻工艺，获取光刻后的实际图形；S3、根据第一版图和光刻后的实际图形，得到基于横向刻蚀的图形差异；S4、根据图形差异对第一版图进行图形补偿，得到第二版图；S5、在光刻版上形成第二版图。2.根据权利要求1所述的基于图形补偿的光刻版制作方法，其特征在于，所述步骤S1中的第一版图为原始光刻版图。3.根据权利要求1所述的基于图形补偿的光刻版制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：以第一版图和实际图形的中心为基准，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄寓洋，
申请(专利权)人：苏州苏纳光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32