基板及显示面板制造技术

本申请提供一种基板及显示面板，所述基板，包括：一共同电极层；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，刻蚀所述钝化层，形成一凹口，暴露出部分所述栅极绝缘层；以及一画素电极层，设置于所述钝化层上；其中所述共同电极层为左右相连，上下断开不相连设计；所述共同电极层为非封闭分段设计；所述画素电极层与所述共同电极层为部份重叠。

【技术实现步骤摘要】
基板及显示面板
本申请涉及显示领域，特别是涉及一种基板及显示面板。
技术介绍
液晶显示设备利用液晶的电气性质及光学性质显示影像。液晶具有各向异性，例如，在分子的主轴与次轴之间折射率及介电常数存在差异。液晶的分子排列与光学性质是可轻易调节的。液晶显示设备藉由根据电场的量级改变液晶分子的排列方向以调节透过偏光板的光的透射比，来显示影像。液晶显示面板通常是由一彩膜基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。按照液晶的取向方式不同，目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型：垂直配向(VerticalAlignment，VA)型、扭曲向列(TwistedNematic，TN)或超扭曲向列(SuperTwistedNematic，STN)型、平面转换(In-PlaneSwitching，IPS)型及边缘场开关(FringeFieldSwitching，FFS)型。所述垂直配向型(VerticalAlignment，VA)模式的液晶显示，例如图形垂直配向型(patternedverticalalignment，PVA)液晶显示器或多区域垂直配向型(Multi-domainVerticalAlignment，MVA)液晶显示装置，其中PVA型利用边缘场效应与补偿板达到广视角的效果。MVA型将一个画素分成多个区域，并使用突起物(Protrusion)或特定图案结构，使位于不同区域的液晶分子朝向不同同向倾倒，以达到广视角且提升穿透率的作用。而面板显示器之设计近年发展朝向高画值、高解析度之产品面，其中，各家面板厂皆有其新设计可应用在高规格产品上，在VA系列的面板市场，利用采用画素不同畴之设计，改善视角，但核心技术皆以如何有效控制液晶分子倾倒来达到最佳光学显示效果为目标。液晶分子受到外加电场驱动下，可以产生光学相位差异，其中，若液晶分子排列不均，则相位差差异导致光学下暗纹。显示器画素内存在许多讯号，包含扫描线讯号、资料线讯号、共电极讯号等，各讯号产生之电场分布都可能对液晶分子造成排列、倾倒异常，且当不同畴讯号不同时，容易在不同畴之间液晶分子倾倒不佳而形成暗纹，另外，因画素内存在多层结构，各层膜厚皆有差异，则画素本身存在不同地形高度差异，此地形差异也会对液晶分子排列分布造成差异，影响画素正常显示，产生不良显示。常见之改善方式如增加平坦层结构，使得液晶分子不易受到地形起伏而产生不规则暗纹，另外，也可利用不同电极设计来使得液晶分子有效排列，如本申请所揭露之结构设计，可有效改善暗纹发生，提高画素穿透度。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本申请的目的在于，提供一种基板，包括：一共同电极层；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，刻蚀所述钝化层，形成一凹口，暴露出部分所述栅极绝缘层；以及一画素电极层，设置于所述钝化层上；其中所述共同电极层为左右相连，上下断开不相连设计。本申请的另一目的为一种基板，包括：一共同电极层；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，刻蚀所述钝化层，形成一凹口，暴露出部分所述栅极绝缘层；以及一画素电极层，设置于所述钝化层上；其中所述共同电极层为左右相连，上下断开不相连设计；所述共同电极层为非封闭分段设计；所述画素电极层与所述共同电极层为部份重叠。本申请的又一目的为一种显示面板，包括：一基板，包括：一共同电极层，设置于所述基板上；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，刻蚀所述钝化层，形成一凹口，暴露出部分所述栅极绝缘层；以及一画素电极层，设置于所述钝化层上；一对向基板，其与所述基板对向设置；以及一液晶层，设置于所述基板及所述对向基板之间，并填满所述液晶间隔空间；其中所述画素电极层与所述共同电极层为部份重叠。本申请的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。在本申请的一实施例中，所述画素电极层为铟锡氧化物。在本申请的一实施例中，所述画素电极层与所述共同电极层为部份重叠。在本申请的一实施例中，所述钝化层膜厚为2000埃-2500埃。在本申请的一实施例中，所述栅极绝缘层膜厚为3000埃-5000埃。在本申请的一实施例中，所述共同电极层膜厚为3400埃-5400埃。在本申请的一实施例中，所述共同电极层为左右相连，上下断开不相连设计。在本申请的一实施例中，所述共同电极层为非封闭分段设计。本申请改善液晶分子排列，改善画素暗纹形成。附图说明图1a为范例性的画素结构示意图。图1b为范例性的具有暗纹的画素结构示意图。图2a为本申请一实施例的画素结构示意图。图2b为本申请一实施例的不具有暗纹的画素结构示意图。图3a为本申请另一实施例的画素结构示意图。图3b为本申请一实施例的共同电极层设计示意图。图3c为本申请另一实施例的显示面板上的画素结构剖面示意图。图4a为本申请又一实施例的画素结构示意图。图4b为本申请又一实施例的显示面板上的画素结构剖面示意图。图5a为本申请再一实施例的画素结构示意图。图5b为本申请再一实施例的显示面板上的画素结构剖面示意图。图6为本申请一实施例的显示面板的制造方法流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。附图和说明被认为在本质上是示出性的，而不是限制性的。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。另外，为了理解和便于描述，附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出的，但是本申请不限于此。在附图中，为了清晰起见，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中，为了理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。将理解的是，当例如层、膜、区域或基底的组件被称作“在”另一组件“上”时，所述组件可以直接在所述另一组件上，或者也可以存在中间组件。另外，在说明书中，除非明确地描述为相反的，否则词语“包括”将被理解为意指包括所述组件，但是不排除任何其它组件。此外，在说明书中，“在......上”意指位于目标组件上方或者下方，而不意指必须位于基于重力方向的顶部上。为更进一步阐述本申请为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及具体的实施例，对依据本申请提出的一种基板及显示面板，其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。图1a为范例性的画素结构示意图及图1b为范例性的具有暗纹的画素结构示意图。请参考图1a及图1b，一种画素结构10,包括一共同电极层110、一画素电极层(透明的铟锡氧化物)100及一金属层120；其中所述共同电极层110的地形高度不同差异因而造成液晶倾倒产生一暗纹区域112。图2a为本申请一实施例的画素结构示意图及图2b为本申请一实施例的不具有暗纹的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板，其特征在于，包括：一共同电极层；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，刻蚀所述钝化层，形成一凹口，暴露出部分所述栅极绝缘层；以及一画素电极层，设置于所述钝化层上；其中所述共同电极层为左右相连，上下断开不相连设计。

【技术特征摘要】
1.一种基板，其特征在于，包括：一共同电极层；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘层上，刻蚀所述钝化层，形成一凹口，暴露出部分所述栅极绝缘层；以及一画素电极层，设置于所述钝化层上；其中所述共同电极层为左右相连，上下断开不相连设计。2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述画素电极层为铟锡氧化物。3.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述画素电极层与所述共同电极层为部份重叠。4.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述钝化层膜厚为2000埃-2500埃。5.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述栅极绝缘层膜厚为3000埃-5000埃。6.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述共同电极层膜厚为3400埃-5400埃。7.一种基板，其特征在于，包括：一共同电极层，设置于所述基板上；一栅极绝缘层，设置于所述共同电极层上；一钝化层，设置于所述栅极绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：何怀亮，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44