用于0V电池充电的逻辑控制电路制造技术

本实用新型专利技术实施例涉及一种用于0V电池充电的逻辑控制电路，包括：耐压保护模块、充电控制电位锁定和电位平移模块；通过耐压保护模块将充放电检测信号输入端CS的电位提高到所需电位，通过耐压保护模块输出端CS1提供给充电控制电位锁定和电位平移模块；充电控制电位锁定和电位平移模块中的充电控制电位锁定模块在0V电池接入充电器后，将电池保护电路中的充电控制用晶体管的栅极控制端子OC的电位固定在电源正输入端子VDD的电位；电位平移模块将高/低电平为VDD/0V的输入信号转变成高/低电平为VDD/CS1的输出信号，用以控制充电控制用晶体管的导通和关断。

【技术实现步骤摘要】
用于0V电池充电的逻辑控制电路
本技术涉及电池充电
，尤其涉及一种用于0V电池充电的逻辑控制电路。
技术介绍
在锂电池保护等应用领域如何实现0V充电功能已成为当前设计的关键之一。0V充电是指在锂电池许可的情况下对已经自放电到0V的电池进行再充电。业内对于0V充电的技术进行了大量的研究，目前提出的实现方法包括如下两种：一是利用耗尽型器件和厚栅氧器件来实现，二是利用厚栅氧器件来实现。图1为利用耗尽型器件和厚栅氧器件实现0V充电的一个电路示意图。图中N1为耗尽型器件，其中VDD为电源正输入端，CS为充放电电流检测端，COUT为内部充电控制信号，OC为充电控制用晶体管(FET)的栅极控制端，电路中的各金属氧化物半导体场效应(MOS)管均为厚栅氧器件。电池由于自身放电到0V且未接入充电器时，有VDD＝0V，COUT＝0V，CS＝0V，此时P1截止，由于N1是耗尽型器件且栅源相连，故N1导通并处于线性区，该支路中无电流存在，P2和N2的栅极电位等于CS电位，而此时CS电位和VDD电位相同均为0电位，故N2和P2均截止，同样，P3、N3、P4、N4同样处于截止状态，输出端OC为零电位。接入充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于0V电池充电的逻辑控制电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：耐压保护模块、充电控制电位锁定和电位平移模块；所述耐压保护模块的输入端为充放电检测信号输入端CS，输出端为CS1，电阻R6串接于所述充放电检测信号输入端CS与耐压保护模块输出端CS1之间；当充放电检测信号输入端CS的电压为正时，耐压保护模块输出端CS1的电压与充放电检测信号输入端CS的电压相同；当充放电检测信号输入端CS的电压为负时，耐压保护模块输出端CS1的电压相对于充放电检测信号输入端CS的电压具有δV的正压差；δV的大小与耐压保护模块输出端CS1的电压具有函数关系；所述充电控制电位锁定和电位平移模块包括:充电控制电...

【技术特征摘要】
1.一种用于0V电池充电的逻辑控制电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：耐压保护模块、充电控制电位锁定和电位平移模块；所述耐压保护模块的输入端为充放电检测信号输入端CS，输出端为CS1，电阻R6串接于所述充放电检测信号输入端CS与耐压保护模块输出端CS1之间；当充放电检测信号输入端CS的电压为正时，耐压保护模块输出端CS1的电压与充放电检测信号输入端CS的电压相同；当充放电检测信号输入端CS的电压为负时，耐压保护模块输出端CS1的电压相对于充放电检测信号输入端CS的电压具有δV的正压差；δV的大小与耐压保护模块输出端CS1的电压具有函数关系；所述充电控制电位锁定和电位平移模块包括:充电控制电位锁定模块和电位平移模块；所述充电控制电位锁定和电位平移模块的输入端为充放电检测信号输入端CS、耐压保护模块输出端CS1和电池保护电路内部充电控制信号的倒相信号COUTB，输出端为电池保护电路中的充电控制用晶体管的栅极控制端子OC；其中，所述充电控制电位锁定模块包括第一PMOS晶体管P8、第二PMOS晶体管P9、第一NMOS晶体管N7和电阻R4；其中，第一PMOS晶体管P8和第一NMOS晶体管N7的栅极均与电源负输入端子VSS连接，电阻R4串联连接于第一PMOS晶体管P8和第一NMOS晶体管的漏极之间；第一NMOS晶体管的源极与耐压保护模块输出端CS1相连；第一PMOS晶体管P8和第二PMOS晶体管P9的源极均与电源正输入端子VDD连接，第一PMOS晶体管P8的漏极与第二PMOS晶体管P9的栅极相连接；第二PMOS晶体管P9的漏极与栅极控制端子OC相接；在电源负输入端子VSS的电压与耐压保护模块输出端CS1的电压之间的压差大于设定阈值时，所述栅极控制端子OC的电压等于电源正输入端子VDD的电压；所述电位平移模块包括第三PMOS晶体管P10和电阻R5；其中，第三PMOS晶体管P10的栅极接所述信号COUTB，源极与电源正输入端子VDD连接，第三PMOS晶体管P10的漏极与所述栅极控制端子OC相接，电阻R5串接在充放电检测信号输入端CS与所述栅极控制端子OC之间，对栅极控制端子OC的电位进行提升，将高/低电平为VDD/0V的输入信号转变成高/低电平为VDD/CS1的输出信号，用以控制所述充电控制用晶体管的导通和关断。2.根据权利要求1所述的逻辑控制电路，其特征在于，所述耐压保护模块具体包括：第二NMOS晶体管N8、第三NMOS晶体管N9、第四PMOS晶体管P11、第五PMOS晶体管P12、第六PMOS晶体管P13、三极管T1和所述电阻R6；第六PMOS晶体管P13、第二NMOS晶体管N8和三极管T1串联连接于电源正输入端子VDD与电源负输入端子VSS之间；其中，第六PMOS晶体管P13的栅极接电流源偏置信号，由电池保护电路中的电流偏置模块给出，用以确定第六PMOS晶体管P13所在支路的电流大小，第六PMOS晶体管P13的源极与电源正输入端子VDD连接，漏极接第二NMOS晶体管N8的栅极与漏极，三极管T1的发射极与第二NMOS晶体管N8的源极连接，基极和集电极接电源负输入端子VSS；第三NMOS晶体管N9、第四PMOS晶体管P11和第五PMOS晶体管P12串联连接于电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵少峰，邵清，
申请(专利权)人：安徽省东科半导体无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32