一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法技术

本发明专利技术提供了一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的处理方法，包括以下步骤：将掺镁氧化锌薄膜进行真空热处理；所述真空热处理在保护气体气氛下进行；所述真空热处理的气压为0.1～100Pa，温度为400～1000℃，时间为5～120min。本发明专利技术将掺镁氧化锌薄膜在低真空保护气氛下进行真空热处理，可以大幅度提高薄膜内的载流子浓度，使得薄膜的电阻率显著降低。同时具有较高的透光率。

【技术实现步骤摘要】
一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法
本专利技术属于半导体光电材料
，尤其涉及一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法。
技术介绍
近年来，宽禁带半导体材料因为它在高功率和高频率器件、紫外探测器、短波长发光二极管、激光器及其相关器件方面的潜在应用引起了人们的关注。其中，掺镁氧化锌(MgxZn1-xO)薄膜是一种有很大应用前景的宽禁带半导体。氧化锌(ZnO)室温下禁带宽度为3.37eV，在紫外区具有优异的光电特性，氧化镁(MgO)的禁带宽度是7.8eV，在紫外区有较大的光透过率。因而，在ZnO中掺入Mg组分后，形成的MgxZn1-xO化合物半导体薄膜可实现禁带宽度在3.3-7.8eV之间连续可调，这使得它成为蓝紫光发光器件和低阀值紫外激光器的理想候选材料。此外，MgxZn1-xO半导体薄膜还具有制备温度低，抗辐射性能好，原材料丰富，无污染，化学性质稳定，制备技术较简单等优势。MgxZn1-xO半导体薄膜在实际使用时，需要的电阻率各不相同，一般需要较低的电阻率以减少不必要的能量损耗。目前MgxZn1-xO半导体薄膜的制备方法多为磁控溅射法、物理气相沉积、化学气相沉积法等。在制备大面积薄膜时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的处理方法，包括以下步骤：将掺镁氧化锌薄膜进行真空热处理；所述真空热处理在保护气体气氛下进行；所述真空热处理的气压为0.1～100Pa，温度为400～1000℃，时间为5～120min。

【技术特征摘要】
1.一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的处理方法，包括以下步骤：将掺镁氧化锌薄膜进行真空热处理；所述真空热处理在保护气体气氛下进行；所述真空热处理的气压为0.1～100Pa，温度为400～1000℃，时间为5～120min。2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述真空热处理具体包括：先抽真空，再通保护气体，随后以1～30℃/s的升温速率升温至400～1000℃。3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述掺镁氧化锌薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德亮，王东明，王光伟，蔡彦博，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34