The invention discloses a TSV adapter board testing device based on a micro-nanotube array, which comprises a substrate, a conductive layer, the conductive layer arranged on the upper surface of the substrate, and a micro-size probe array, which is electrically connected with the conductive layer.
【技术实现步骤摘要】
一种基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置及方法
本专利技术涉及半导体测试
，尤其涉及一种晶圆无损测试装置及测试方法。
技术介绍
以硅通孔(TSV)为核心的三维集成技术是半导体封装
近年来的研发热点，特别是2.5DTSV转接板技术的出现，为实现低成本、小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(SoC)提供了解决方案。TSV转接板作为中介层，实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连，降低了系统芯片制作成本和功耗。基于TSV转接板的先进封装结构对TSV转接板本身的可靠性要求也较高，因此需要对TSV转接板进行测试，以确保TSV导电通孔以及重新布线层的良率。目前TSV转接板的测试非常困难，主要有以下几个原因：1)TSV转接板通常是通过正面通孔、背面露头等工艺形成的，工艺完成后TSV转接板的厚度非常薄，一般只有几十到一两百微米，机械强度很低，比较难以拿持，容易碎片；2)TSV转接板包括平面方向重新布线线路和垂直方向通孔线路。平面内RDL线路可以通过常规探针方法实现，但是测试垂直方向时，无法在上下表面同时使用探针进行测试，否则转接板很容易发生破碎；3)TSV转接板表面...
【技术保护点】
1.一种基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，包括：衬底；导电层，所述导电层设置在所述衬底的上表面；以及微尺寸探针阵列，所述微尺寸探针阵列设置成与所述导电层电连接。
【技术特征摘要】
1.一种基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，包括：衬底；导电层，所述导电层设置在所述衬底的上表面；以及微尺寸探针阵列，所述微尺寸探针阵列设置成与所述导电层电连接。2.如权利要求1所述的基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，其特征在于，所述衬底的材料为硅、玻璃、SiC、陶瓷、金属。3.如权利要求1所述的基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，其特征在于，所述导电层为沉积或帖覆在所述衬底的金属层。4.如权利要求1所述的基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，其特征在于，所述微尺寸探针阵列的探针受力后可以弯曲变形。5.如权利要求1所述的基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，其特征在于，所述微尺寸探针阵列的探针为导电的微纳米管或者半导体的微纳米管。6.如权利要求1所述的基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，其特征在于，所述微尺寸探针阵列的探针为中空的导电的微纳米管或者半导体的微纳米管。7.如权利要求1所述的基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置，其特征在于，所述微尺寸探针阵列的探针为半导体或者绝缘的中空的微纳米管，其中中空部分设置有导电液体。8.一种基于微纳米管阵列的TSV转接板测试装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈立军，姚大平，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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