【技术实现步骤摘要】
一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器
本技术涉及一种太赫兹衰减器，特别是涉及一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器。
技术介绍
太赫兹(terahertz，简称THz，1THz＝1012Hz)波是指频率在0.1-10THz范围，对应波长在3000-30μm范围内的电磁波。由于其在电磁波频谱中具有的独特的位置，也有着诸多较为特殊的性质：(1)由于非金属、非极性材料对THz波的吸收较小，因而THz波在诸如木材、纸张、塑料凳材料中具有高透性，在军事侦察、探测领域具有很好的应用前景；(2)由于THz波的频率比GHz更高，单个THz脉冲频段可以加载10-10000个GHz频段，所以太赫兹波具有宽带特性，同时由于波长更短，方向性更好，因而THz波非常适用于短距离高速无线宽带通信；(3)THz波具有非电离特性，频率为1THz的光子能量约为4meV，这个能量过小使得不能产生对于大部分的分子、晶格结构有害的电离，因此在生物学以及安全检查等方面具有较大的优势；(4)由于大部分凝聚态物质和生物组织中分子的振动、转动能级以及分子间的弱相互作用能级对应的特征吸收谱线都处在THz波段范围内，因而利用物质在...
【技术保护点】
1.一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：其包括基底、有序排列在所述基底上的Ni纳米线层以及涂覆在所述Ni纳米线层上的保护层。
【技术特征摘要】
1.一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：其包括基底、有序排列在所述基底上的Ni纳米线层以及涂覆在所述Ni纳米线层上的保护层。2.如权利要求1所述的一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：所述Ni纳米线阵列层包括相互正交的若干层Ni纳米线阵列层。3.如权利要求2所述的一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：各所述Ni纳米线阵列层均包括多组平行间隔排列的Ni纳米线阵列单元，且上层所述Ni纳米线阵列层中的各组Ni纳米线阵列单元均与下层所述Ni纳米线阵列层中的各组Ni纳米线阵列单...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭海中，姚江峰，相文峰，
申请(专利权)人：郑州大学，中国石油大学北京，
类型：新型
国别省市：河南,41
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