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本实用新型涉及一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：其包括基底、有序排列在所述基底上的Ni纳米线层以及涂覆在所述Ni纳米线层上的保护层。所述Ni纳米线阵列层包括相互正交的若干Ni纳米线阵列层。各所述Ni纳米线阵列层均包括多组平行间隔排...
该专利属于郑州大学;中国石油大学（北京）所有，仅供学习研究参考，未经过郑州大学;中国石油大学（北京）授权不得商用。

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