一种以SiC-CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种以SiC‑CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料及其制备方法，该复合材料包括核壳结构的SiC‑CDCs@TiC增强相和铜基体，所述SiC‑CDCs@TiC增强相占比为0.5‑7％。本发明专利技术的铜基复合材料产品和制备工艺新颖独特，该铜基复合材料具有较强的机械性能，增强了铜基材料的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种以SiC-CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料及其制备方法
本专利技术涉及金属材料
，尤其涉及一种铜基复合材料及其制备方法，具体是采用核壳结构的SiC-CDCs@TiC作为增强相制备铜基复合材料及其制备方法。
技术介绍
铜及铜合金是常用的导电材料，纯铜虽然具有优良的导电性和导热性，但是其硬度、拉伸强度等较低，不能满足特殊工艺要求。常用的增强铜材料的方法是在铜基中引入增强相，从而提高材料的机械强度和硬度等，但是实际生产中往往难以实现增强相和铜基体的有效复合，从而使得复合材料力学性能满足不了要求。在专利CN1310243A中公开了一种高强度高导电铜合金，它是由钛碳化硅弥散强化相和铜组成，且钛碳化硅体积分数在0.005-0.05，该铜合金的强度相对于原来的铜明显得到了提高。在专利CN107699825A中公开了一种高强度高导电铜基复合材料的制备方法，在多孔碳化硅晶须的表面和微孔中附着聚多巴胺薄膜，并利用该薄膜将铜离子螯合固着在碳化硅晶须的表面和内部微孔中，然后将薄膜分解，并将铜离子还原成铜单质，从而增加了碳化硅晶须和铜基体间的相容性并通过涡流状相互喷射碰撞而使内部钛和碳化硅发生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种以SiC‑CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料，其特征在于，该复合材料包括核壳结构的SiC‑CDCs@TiC增强相和铜基体，所述SiC‑CDCs@TiC增强相占比为0.5‑7％。

【技术特征摘要】
1.一种以SiC-CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料，其特征在于，该复合材料包括核壳结构的SiC-CDCs@TiC增强相和铜基体，所述SiC-CDCs@TiC增强相占比为0.5-7％。2.根据权利要求1所述的以SiC-CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料，其特征在于，所述SiC-CDCs@TiC增强相中的TiC壳层厚度为0.5-1.5μm。3.根据权利要求1所述的以SiC-CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料，其特征在于，所述铜基体为纯度不低于99.5％的电解铜。4.根据权利要求1-3任一项所述的以SiC-CDCs@TiC为增强相的铜基复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将粒径为8-100μm的SiC粉和粒径为0.1-100μm的Ti粉按重量比为0.1-4:1混合均匀，然后高压压制成块，然后将压块混合物在惰性气体保护下于800-1100℃下烧结20-40min，得到烧结块体；(2)将纯度高于99.5％的电解铜置于熔炼炉中，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳青，苗文智，丁海民，范孝良，储开宇，李春燕，
申请(专利权)人：华北电力大学保定，
类型：发明
国别省市：河北,13