一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法技术

本发明专利技术揭示了一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，所述方法包括以下步骤：S1：在长有石墨烯的铜箔表面旋涂一层苯甲醚聚或PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，作为石墨烯支撑层，然后刻蚀铜箔；S2：将得到的石墨烯薄膜转移到目标基底上进行标准化清洗后烘干；S3：在石墨烯基片表面制备一层碱性氧化物膜；将清洗烘干后的石墨烯基片转入真空室内蒸镀一层铜膜，并放置于紫外灯下照射5~10 min，得到性能改善的石墨烯阳极。该方法提出了在石墨烯界面上形成碱性氧化物薄膜层，能对器件光电性能产生影响，为光电、电子元器件性能提升提供了有效的技术手段。

A Method of Modifying Graphene with Alkaline Oxides

The invention discloses a method for modifying graphene with alkaline oxide, which comprises the following steps: S1: spinning a layer of anisole poly or PMMA polymethyl methacrylate on the surface of copper foil with graphene as a graphene support layer, then etching copper foil; S2: transferring the obtained graphene film to the target substrate for standardized cleaning and drying; S3: drying graphene; A layer of alkaline oxide film was prepared on the surface of the substrate, and graphene anode with improved performance was obtained by transferring the washed and dried graphene substrate into a vacuum chamber to evaporate a layer of copper film and irradiating it under ultraviolet lamp for 5 to 10 minutes. The method proposed that the formation of alkaline oxide film on graphene interface can affect the photoelectric performance of devices, and provide an effective technical means for improving the performance of photoelectric and electronic components.

【技术实现步骤摘要】
一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法
本专利技术涉及一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，可用于电子元器件、光电器件的电极，属于半导体器件领域。
技术介绍
有机半导体材料具有质量轻、柔韧性好、成本低等优点，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域应用广泛。当前的限制在于上述半导体器件所用的传统氧化铟锡（ITO）电极资源短缺，价格昂贵，且易碎、对酸敏感，以至于不易制备性能稳定的器件。近年来，学者们正在努力寻求一种透过率高、柔韧性好、能够大面积制备的材料来替代现有的ITO电极材料。石墨烯是单层的sp2-杂化碳原子以六边形“蜂窝”状晶格结合在一起的薄膜。它的透过率高、机械性能好、功函数可调节，因此自发现以来便得到科学家们的广泛关注与研究。但是将石墨烯广泛应用于太阳能电池、发光二极管、激光等领域当中还有一定的难度。首先它的方阻大，功函数与相邻材料传输层能级不匹配；其次，石墨烯是一种疏水性材料，在旋涂相邻材料传输层时，水系材料很难在石墨烯表面形成均匀膜层，这都会对电荷在器件内部的传输产生不利影响，从而使电流偏低，器件性能变差。目前研究的重点就是对石墨烯进行掺杂以降低石墨烯的方阻，调节石墨烯的功函数和提升石墨烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1：在长有石墨烯的铜箔表面旋涂一层苯甲醚聚或PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，作为石墨烯支撑层，然后刻蚀铜箔；S2：将得到的石墨烯薄膜转移到目标基底上进行标准化清洗后烘干；S3：在石墨烯基片表面制备一层碱性氧化物膜；将清洗烘干后的石墨烯基片转入真空室内蒸镀一层铜膜，并放置于紫外灯下照射5~10 min，得到性能改善的石墨烯阳极。

【技术特征摘要】
1.一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：S1：在长有石墨烯的铜箔表面旋涂一层苯甲醚聚或PMMA聚甲基丙烯酸甲酯，作为石墨烯支撑层，然后刻蚀铜箔；S2：将得到的石墨烯薄膜转移到目标基底上进行标准化清洗后烘干；S3：在石墨烯基片表面制备一层碱性氧化物膜；将清洗烘干后的石墨烯基片转入真空室内蒸镀一层铜膜，并放置于紫外灯下照射5~10min，得到性能改善的石墨烯阳极。2.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，其特征在于：所述石墨烯为机械剥离的石墨烯，通过外延生长法或气相沉积法制备得到单层或多层石墨烯，所述石墨基片层通过氧化还原法制备得到。3.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，其特征在于：所述S1步骤中，在铜箔表面旋涂的PMMA的膜厚度为300-1000nm，PMMA的旋涂条件为10-4000rpm。4.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，其特征在于：所述S1步骤中，所述铜箔的刻蚀液为过硫酸铵或氯化铁。5.根据权利要求1所述的一种碱性氧化物修饰石墨烯的方法，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淑芬，王明昊，王敏，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32