阵列基板、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种阵列基板、显示面板和显示装置，该阵列基板包括第一衬底基板，位于第一衬底基板上的薄膜晶体管的源漏电极层，以及位于薄膜晶体管源漏电极层背离第一衬底基板一侧的多个像素电极；其中，第一衬底基板具有多个像素区和围绕多个像素区的遮光区，多个像素电极一一对应设置于多个像素区，该像素电极与薄膜晶体管的源极或漏极电连接，并将像素电极与薄膜晶体管的源极或漏极的电连接处内嵌于像素电极内，能够增加像素区的长度，减小遮光区的长度，从而增加像素区的面积，减小遮光区的面积，进而提高显示面板的开口率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。
技术介绍
随着显示技术的发展，功能先进的显示面板渐成为现今消费电子产品的重要特色，其中液晶显示面板己经逐渐成为各种电子设备如行动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本计算机屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示面板。目前，采用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)驱动的液晶显示面板为最常见的液晶显示面板。TFT驱动的液晶显示面板通常包括起开关作用的TFT阵列基板和具有滤光作用的彩膜基板，以及位于TFT阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。其中，TFT阵列基板通过各层膜的沉积、刻蚀以后，形成TFT的栅极层和源漏极层、以及像素电极层和公共电极层，且像素电极层的像素电极通过过孔与TFT的源漏极连接。然而，用于连接像素电极与TFT的源漏极的过孔会使得显示面板出现漏光。现有技术中，通过将连接像素电极与TFT的源漏极的过孔，以及扫描线和数据线等设置于像素单元周围的遮光区，以防止非正常的漏光现象。但是，现有技术中将连接像素电极与TFT源漏极的过孔同扫描线和数据线本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一衬底基板，所述第一衬底基板包括多个像素区和围绕多个所述像素区的遮光区；位于所述第一衬底基板上的薄膜晶体管源漏电极层；位于所述薄膜晶体管源漏电极层背离所述第一衬底基板一侧的多个像素电极，且多个所述像素电极一一对应设置于多个所述像素区；所述像素电极与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极电连接；所述像素电极与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极的电连接处内嵌于所述像素电极内。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一衬底基板，所述第一衬底基板包括多个像素区和围绕多个所述像素区的遮光区；位于所述第一衬底基板上的薄膜晶体管源漏电极层；位于所述薄膜晶体管源漏电极层背离所述第一衬底基板一侧的多个像素电极，且多个所述像素电极一一对应设置于多个所述像素区；所述像素电极与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极电连接；所述像素电极与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极的电连接处内嵌于所述像素电极内。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管源漏电极层与所述多个像素电极所在膜层之间还设置有绝缘层；所述绝缘层设置有过孔；所述过孔露出所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极；所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极电连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括多个像素电极分支、第一连接部和第二连接部，相邻的所述像素电极分支之间具有间隙；多个所述像素电极分支的第一端均通过所述第一连接部连接；至少部分所述像素电极分支的第二端均通过所述第二连接部连接，所述第二连接部通过所述过孔与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极电连接。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括多个像素电极分支、第一连接部和第二连接部，相邻的所述像素电极分支之间具有间隙；多个所述像素电极分支的第一端均通过所述第一连接部连接；多个所述像素电极分支的第二端均通过所述第二连接部连接；所述第二连接部包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述第二连接部通过所述过孔与所述薄膜晶体管源漏电极层中的源极或漏极电连接；沿所述像素电极分支延伸方向，所述第一区域的长度大于所述第二区域的长度。5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极分支...

【专利技术属性】
技术研发人员：余艳平，吴玲，马扬昭，沈柏平，凌安恺，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35