光检测装置制造方法及图纸

光检测装置包括：半导体基板；具有配置于半导体基板的第一主面侧的受光区域且在半导体基板二维排列的多个雪崩光电二极管；以及与对应的受光区域电连接的贯通电极。贯通电极配置于在多个雪崩光电二极管被二维排列的区域内贯通半导体基板的贯通孔。在半导体基板的第一主面侧，包围贯通孔的槽形成于贯通孔和与贯通孔相邻的受光区域之间的区域。槽的边缘与被槽包围的贯通孔的边缘的第一距离比槽的边缘与和被槽包围的贯通孔相邻的受光区域的边缘的第二距离长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测装置
本专利技术涉及光检测装置。
技术介绍
已知有一种具有包括彼此相对的第一主面以及第二主面的半导体基板的光检测装置(例如，参照专利文献1)。专利文献1所记载的光检测装置具备：在盖格模式下工作的多个雪崩光电二极管；以及与对应的雪崩光电二极管电连接的贯通电极。多个雪崩光电二极管二维排列在半导体基板。各个雪崩光电二极管具有配置于半导体基板的第一主面侧的受光区域。贯通电极配置于在厚度方向上贯通半导体基板的贯通孔。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-61041号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的一个方式的目的在于，提供一种光检测装置，其确保开口率并且减少表面漏电流向雪崩光电二极管的流入，且难以在半导体基板中的贯通孔的周围产生构造缺陷。解决课题的技术手段本专利技术人们通过调查研究，结果发现了以下新的事实。在光检测装置具备多个雪崩光电二极管的情况下，例如，为了缩短距雪崩光电二极管的配线距离，贯通电极被配置在多个雪崩光电二极管被二维排列的第一区域内。在贯通电极配置于第一区域外的情况下，与贯通电极配置于第一区域内的情况相比，从雪崩光电二极管至贯通电极的配线距离长，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测装置，其特征在于：包括：具有彼此相对的第一主面以及第二主面的半导体基板；具有配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的受光区域且在所述半导体基板二维排列，并且在盖格模式下工作的多个雪崩光电二极管；以及与对应的所述受光区域电连接的贯通电极，所述贯通电极配置于在所述多个雪崩光电二极管被二维排列的区域内沿着厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔，在所述半导体基板的所述第一主面侧，包围所述贯通孔的槽形成于所述贯通孔和与所述贯通孔相邻的所述受光区域之间的区域，所述槽的边缘与被所述槽所包围的所述贯通孔的边缘的第一距离比所述槽的边缘与和被所述槽所包围的所述贯通孔相邻的所述受光区域的边缘的第二距离长。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.27 JP 2016-1473781.一种光检测装置，其特征在于：包括：具有彼此相对的第一主面以及第二主面的半导体基板；具有配置于所述半导体基板的所述第一主面侧的受光区域且在所述半导体基板二维排列，并且在盖格模式下工作的多个雪崩光电二极管；以及与对应的所述受光区域电连接的贯通电极，所述贯通电极配置于在所述多个雪崩光电二极管被二维排列的区域内沿着厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔，在所述半导体基板的所述第一主面侧，包围所述贯通孔的槽形成于所述贯通孔和与所述贯通孔相邻的所述受光区域之间的区域，所述槽的边缘与被所述槽所包围的所述贯通孔的边缘的第一距离比所述槽的边缘与和被所述槽所包围的所述贯通孔相邻的所述受光区域的边缘的第二距离长。2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：各个所述雪崩光电二极管具有：位于所述半导体基板的所述第一主面侧的第一导电类型的第一半导体区域；位于所述半导体基板的所述第二主面侧的第二导电类型的第二半导体区域；位于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间，且杂质浓度比所述第二半导体区域低的第二导电类型的第三半导体区域；以及形成于所述第一半导体区域内且杂质浓度比所述第一半导体区域高的第一导电类型的第四半导体区域，所述第四半导体区域是所述受光区域，所述槽的底面由所述第二半导体区域构成。3.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于：各个所述雪崩光电二极管具有：位于所述半导体基板的所述第一主面侧的第一导电类型的第一半导体区域；位于所述半导体基板的所述第二主面侧，且杂质浓度比所述第一半导体区域高的第一导电类型的第二半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田笃司，细川畅郎，永野辉昌，马场隆，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP