等离子处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种等离子处理装置，构成为对具有导电性的平板状的工件进行等离子处理，具备：导电性的真空容器，具有凹陷部和从凹陷部连续地设置在凹陷部的外侧的周缘部，该凹陷部构成为供平板状的工件的至少单侧的处理对象部分配置；保持构件，构成为以使所述工件相对于周缘部分离且绝缘的方式保持所述工件；电压施加部，构成为对工件与真空容器之间施加电压；及绝缘层，构成为覆盖周缘部中与工件对向的部位。

【技术实现步骤摘要】
等离子处理装置
本公开涉及对导电性的工件进行等离子处理的等离子处理装置。
技术介绍
作为对工件进行等离子处理的装置，日本特开2009-62579记载有通过上下分割成两部分的成膜容器夹持工件，使成膜容器内产生等离子体而进行成膜的装置。
技术实现思路
在通过成膜容器夹持工件并使成膜容器内产生等离子体的情况下，在成膜容器内有时会产生异常放电。本公开可以作为以下的方式实现。本公开的方式的等离子处理装置构成为对具有导电性的平板状的工件进行等离子处理。所述等离子处理装置具备：导电性的真空容器，具有凹陷部和从所述凹陷部连续地设置在所述凹陷部的外侧的周缘部，所述凹陷部构成为供所述平板状的工件的至少单侧的处理对象部分配置；保持构件，构成为以使所述工件相对于所述周缘部分离且绝缘的方式保持所述工件；电压施加部，构成为对所述工件与所述真空容器之间施加电压；及绝缘层，构成为覆盖所述周缘部中与所述工件对向的部位。根据本公开的方式的等离子处理装置，周缘部中与工件对向的部位由绝缘层覆盖，因此能够对工件与真空容器之间施加电压而对工件进行等离子处理，并抑制在工件与周缘部之间产生异常放电。在本公开的方式中，所述凹陷部可以包括底部和将所述底部与所述周缘部连接的侧部。所述绝缘层可以构成为除了覆盖所述周缘部中与所述工件对向的部位之外，还覆盖所述侧部。根据本公开的方式，能够抑制在周缘部的接下来与工件接近的电极部分即侧部与工件之间产生异常放电。在本公开的方式中，所述绝缘层可以构成为能够从所述真空容器卸下。根据本公开的方式，即使在等离子处理时产生的异物等附着于绝缘层的表面的情况下，也能够将绝缘层从真空容器卸下而进行更换、清扫。因此，能够抑制在绝缘层的表面堆积异物引起的异常放电的产生。在本公开的方式中，所述凹陷部包括与所述工件的表面侧和背面侧对应设置的第一凹陷部和第二凹陷部。根据本公开的方式，能够对工件的表面侧及背面侧进行等离子处理，并抑制在工件与周缘部之间产生异常放电。本公开也能够以上述的等离子处理装置以外的各种方式实现。例如，能够以对于工件的一部分进行等离子处理的方法等方式实现。附图说明前述及后述的本专利技术的特征及优点通过下面的具体实施方式的说明并参照附图而明确，其中，相同的标号表示相同的部件。图1是表示第一实施方式的等离子处理装置的结构的概略剖视图。图2是等离子处理装置的分解立体图。图3是等离子处理装置的局部放大剖视图。图4是等离子处理装置的局部放大剖视图。图5是表示等离子处理装置对工件的等离子处理方法的工序图。图6是表示第二实施方式的等离子处理装置的图。图7是表示第三实施方式的等离子处理装置的图。图8是表示第四实施方式的等离子处理装置的图。图9是表示第五实施方式的等离子处理装置的图。具体实施方式·第一实施方式图1是表示第一实施方式的等离子处理装置200的结构的概略剖视图。图2是等离子处理装置200的分解立体图。图1及图2图示出相互大致正交的XYZ轴。大致正交包括90°±20°的范围。在第一实施方式中，Y方向为大致铅垂方向，X方向为大致水平方向。Z方向为与大致铅垂方向及大致水平方向垂直的方向。上述的情况在以后的图中也同样。等离子处理装置200是对具有导电性的平板状的工件W的一部分进行等离子处理的装置。等离子处理是使用等离子体对工件W进行成膜或蚀刻的处理。在第一实施方式中，工件W包括处理对象物10和掩模构件21、22。在第一实施方式中，处理对象物10是作为燃料电池的隔板的基材而使用的平板状的金属，例如由钛或钛合金形成。等离子处理装置200对处理对象物10的处理对象部分10A通过例如等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition)法形成导电性的碳系薄膜。等离子处理装置200具备真空容器(腔室)100、绝缘构件30、托盘130、密封构件61、62、绝缘层41、42以及电压施加部70。等离子处理装置200还具备开闭装置50、运送装置55、气体供给装置80、排气装置90以及控制部95。在图2中，绝缘层41、42、开闭装置50、运送装置55、电压施加部70及导入部71、气体供给装置80及供给口81、排气装置90及排气口91、控制部95省略图示。在第一实施方式中，真空容器100是具备对向配置的第一模110及第二模120的导电性的容器。在第一实施方式中，真空容器100被分割成+Y方向及-Y方向。真空容器100由例如不锈钢、铝、钛等金属形成。第一模110具备：供工件W的单侧的处理对象部分10A配置的第一凹陷部114；和在第一凹陷部114的外侧从第一凹陷部114连续地设置的第一周缘部111。第一凹陷部114与工件W的表面侧对应地设置。在真空容器100内配置有工件W的状态下，第一凹陷部114向从工件W分离的方向凹陷，在第一实施方式中，从工件W的上表面侧的处理对象部分10A观察时向上方(+Y方向)凹陷。第一凹陷部114具备底部113和将底部113和第一周缘部111连接的侧部112。第一周缘部111与工件W的处理对象部分10A以外的至少一部分以分离的状态对向。在第一实施方式中，第一周缘部111与掩模构件21、22的一部分以分离的状态对向。在第一实施方式中，侧部112与第一周缘部111连接的连接部位位于与处理对象物10的端部相同的YZ平面上。第二模120具备第二凹陷部124和在第二凹陷部124的外侧从第二凹陷部124连续地设置的第二周缘部121。第二凹陷部124与工件W的背面侧对应而设置。在真空容器100内配置有工件W的状态下，第二凹陷部124在从工件W的下表面侧的处理对象部分10A观察时向下方(-Y方向)凹陷。第二凹陷部124具备底部123和将底部123与第二周缘部121连接的侧部122。第二周缘部121与工件W的处理对象部分10A以外的至少一部分以分离的状态对向。在第一实施方式下，第二周缘部121与下侧掩模构件22的一部分以分离的状态对向。第二周缘部121配置在与第一模110的第一周缘部111对应的部分。在第一实施方式中，侧部122与第二周缘部121连接的连接部位位于与处理对象物10的端部相同的YZ平面上。在第一实施方式中，第一周缘部111及第二周缘部121与XZ平面平行。第一模110及第二模120具备：用于从气体供给装置80向真空容器100内供给气体的供给口81；对真空容器100内通过排气装置90进行排气用的排气口91。在供给口81及排气口91设有能够开闭的阀。第二模120具备用于向工件W与真空容器100之间施加电压的导入部71。第二模120与导入部71之间由绝缘构件35电绝缘。在第一实施方式中，真空容器100具有接地电位。图3是等离子处理装置200的局部放大剖视图。图3示出图1的III部分。如图3所示，第一周缘部111中的与工件W对向的部位由绝缘层41覆盖。在第一实施方式中，绝缘层41连续地覆盖第一周缘部111中的与掩模构件21、22对向的部位和与绝缘构件30对向的部位。在第一实施方式中，第二周缘部121中的与工件W对向的部位由绝缘层42覆盖。在第一实施方式中，绝缘层42连续地覆盖第二周缘部121中的与掩模构件21、22对向的部位、与绝缘构件30对向的部位、及与托盘130的一部分对向的部位。绝缘层41由对于第一周缘部111的表面的绝缘物的涂层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子处理装置，所述等离子处理装置构成为对具有导电性的平板状的工件进行等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，包括：导电性的真空容器，具有凹陷部和从所述凹陷部连续地设置在所述凹陷部的外侧的周缘部，所述凹陷部构成为供所述平板状的工件的至少单侧的处理对象部分配置；保持构件，构成为以使所述工件相对于所述周缘部分离且绝缘的方式保持所述工件；电压施加部，构成为对所述工件与所述真空容器之间施加电压；及绝缘层，构成为覆盖所述周缘部中与所述工件对向的部位。

【技术特征摘要】
2017.09.25 JP 2017-1833561.一种等离子处理装置，所述等离子处理装置构成为对具有导电性的平板状的工件进行等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，包括：导电性的真空容器，具有凹陷部和从所述凹陷部连续地设置在所述凹陷部的外侧的周缘部，所述凹陷部构成为供所述平板状的工件的至少单侧的处理对象部分配置；保持构件，构成为以使所述工件相对于所述周缘部分离且绝缘的方式保持所述工件；电压施加部，构成为对所述工件与所述真空容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤典之，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP