The invention relates to the field of plasma processing equipment, and discloses a flat electrode structure and a plasma deposition device applying the flat electrode structure. The flat electrode structure includes at least one cathode and one anode, which are arranged alternately between the cathodes and the anodes, in which at least one anode is formed with a first air supply channel and the anode faces the cathode. There is a first outlet in the middle of one side and a first inlet at the edge of the anode. The gas enters the first inlet and discharges from the first outlet to form a plasma. The invention can improve the thickness uniformity of plasma deposited film.
【技术实现步骤摘要】
平板电极结构和等离子体沉积设备
本专利技术涉及等离子处理设备领域，特别涉及一种平板电极结构和应用了该种平板电极结构的等离子体沉积设备。
技术介绍
化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，CVD)，是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，常用于制造薄膜(如多晶硅、非晶硅、氧化硅等)。化学反应的本质是原子或原子团的重新组合，为使重新组合得以进行，必须提供反应所需的活化能，一些需要较大活化能的反应在技术上很难实现。但是，在等离子体中，物质由气态变为等离子态，富集了电子、离子、激发态原子、分子及自由基，它们是极活泼的反应性物种，许多难以进行的反应体系在等离子体条件下变得易于进行。人们在化学合成、薄膜制备、表面处理和精细化学加工等领域，在原有工艺技术基础上，有效地引入等离子体，促进一系列革新和巨大的技术进步。PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)，中文名称为等离子体增强化学气相沉积法，是借助于辉光放电等方法产生等离子体，使含有薄膜组成的气态物...
【技术保护点】
1.一种平板电极结构，用于等离子体沉积设备，包括：至少一个阴极(2)和一个阳极(1)，且这些阴极(2)和阳极(1)之间依次交替设置；其特征在于：至少有一个阳极(1)内形成有第一送气通道，且在所述阳极(1)朝向阴极(2)的一面的中部开有第一出气口(12)，在所述阳极(1)的边缘开有第一进气口(11)；气体从所述第一进气口(11)进入所述第一送气通道，从所述第一出气口(12)排出，形成等离子体。
【技术特征摘要】
1.一种平板电极结构，用于等离子体沉积设备，包括：至少一个阴极(2)和一个阳极(1)，且这些阴极(2)和阳极(1)之间依次交替设置；其特征在于：至少有一个阳极(1)内形成有第一送气通道，且在所述阳极(1)朝向阴极(2)的一面的中部开有第一出气口(12)，在所述阳极(1)的边缘开有第一进气口(11)；气体从所述第一进气口(11)进入所述第一送气通道，从所述第一出气口(12)排出，形成等离子体。2.根据权利要求1所述的平板电极结构，其特征在于：所述第一出气口(12)包括：若干个第一出气孔(121)，且这些第一出气孔(121)呈阵列分布。3.根据权利要求2所述的平板电极结构，其特征在于：在所述阳极(1)中，至少有一个阳极(1)位于两个阴极(2)之间，且这些位于两个阴极(2)之间的阳极(1)的朝向阴极(2)的两面都开有第一出气口(12)；其中，位于同一个阳极(1)上不同的两个面上的第一出气孔(121)之间相互交错设置。4.根据权利要求1所述的平板电极结构，其特征在于：至少有一个所述阴极(2)内形成有第二送气通道，且在所述阴极(2)朝向阳极(1)的一面的中部开有第二出气口(22)，在所述阴极(2)的边缘开有第二进气口(21)。5.根据权利要求4所述的平板电极结构，其特征在于：所述第二出气口(22)...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐玄玄，王俊，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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