一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用技术

本发明专利技术揭示了一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，首先将二维MXene粉末和二甲基亚砜溶液超声混合均匀得到混合分散液，然后再利用甩胶的方法在具有疏水性的硅片生长了一层均匀致密的MXene薄膜，极大地扩展了MXene这种二维材料在硅基半导体器件上的应用前景。最后成功用这种方法制备出了以MXene为介变层的忆阻器单一器件，推动了忆阻器新型二维材料的介变层的研究进展。本发明专利技术制备出的均匀MXene薄膜，具有良好的稳定性、较高的导电性、稳定性、机械性能，所述方法简单、成本低廉、适合大规模应用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用
本专利技术涉及一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法及其在忆阻器的应用，属于膜制备以及忆阻器器件

技术介绍
忆阻器是除电阻、电容、电感之外的第四类无源元件，是一个与磁通量和电荷相关的无源电路元件。早在1971年，国际非线性电路和细胞神经网络理论先驱：蔡少棠基于电路理论，从理论上预言了忆阻器的存在。2008年，惠普实验室首次在实验上构筑了忆阻器原型器件，证实了蔡少棠有关忆阻器的学说。忆阻器具有新颖的非线性电学性质，并兼具密度高、尺寸小、功耗低、非易失性等特点，被认为是发展下一代新型非易失性内存器的理想方案。忆阻器的第一个实物是一种三明治结构，顶电极和底电极是惰性金属，阻变机理是基于掺杂氧空穴的二氧化钛。基于这种结构制作的忆阻器价格昂贵，难以得到很好商业应用。近些年来，忆阻器的阻变层正在被一个个性能卓越的二维材料所替代。最近，一种二维材料材料MXene被成功开发出来，其具有较高的电子导电性，亲水性好，易制备等特点。由于它制备过程导致表面挂各种不同官能团，导致会呈现出类半导体的性质，被广泛地应用于电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：S1：向10ml离心管中加入MXene粉末和二甲基亚砜溶液；S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，得到均匀MXene薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：S1：向10ml离心管中加入MXene粉末和二甲基亚砜溶液；S2：将S1步骤得到的混合溶液进行超声混合，超声混合时间为30min，然后打开甩胶机将硅片放置于甩胶机上，转速设为200转，用胶头滴管将混合溶液的上清液匀速滴到硅片上；S3：加大甩胶机转速，60s后关闭甩胶机，然后取出硅片进行加热烘干，得到均匀MXene薄膜。2.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：在S1步骤中，所述MXene粉末和二甲基亚砜溶液的体积比为1％～10％。3.根据权利要求1所述的一种基于硅基半导体器件均匀MXene薄膜的制备方法，其特征在于：所述MXene粉末是采用氢氟酸溶液处理MAX原料，反应完全后加入去离子水洗涤至中性，溶液剥离后得到的；其中MAX原料成分是Mn+1AXn，其中M为过渡金属，A为IIIA和IVA族元素，X为C或...

【专利技术属性】
技术研发人员：张缪城，王宇，沈心怡，何南，童祎，连晓娟，万相，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32