一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，属于功能器件技术领域。本发明专利技术的存储器包括底电极、设于底电极上表面的Bi基钙钛矿阻变层、设于阻变层上表面的顶电极，其中：所述阻变层材料为MA3Bi2I9薄膜。本发明专利技术的存储器制备方法如下：在预处理过的底电极表面旋涂MA3Bi2I9薄膜层；在所述MA3Bi2I9薄膜层表面蒸镀或溅射镀金属电极。本发明专利技术采用一步低温溶液法在底电极表面制备MA3Bi2I9薄膜，制备出的MA3Bi2I9薄膜表面致密，且制备工艺流程简单、可控性强、产品可重复率高。另外，本发明专利技术的阻变存储器结构简单，阻变性能优异，应用范围广。

【技术实现步骤摘要】
一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器及其制备方法
本专利技术涉及功能器件
，具体涉及一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
随着信息技术的快速发展，人们对数据存储的要求越来越高。传统的闪存技术具有擦写速度慢，功耗高，且面临着尺寸微缩的极限等缺点，难以满足人们的需求，因此开发新的性能优异的非挥发性存储器成为半导体行业的研究热点。阻变存储器具有擦写速度快，存储密度高，功耗低和多值存储等众多优异的性能，成为下一代非挥发技术的候选之一，具有广阔的应用前景。目前，用作阻变层的材料很多，如金属氧化物，钙钛矿材料等。金属氧化物薄膜常采用磁控溅射技术制备，该方法对仪器精度要求高，制备成本高。钙钛矿材料，如CH3NH3PbI3，被广泛应用于太阳能电池、光电探测器、发光二极管等领域，同时该材料在电压的作用下表现出明显的高低阻态变化，被应用于阻变存储器中。但是，CH3NH3PbI3材料含有有毒物质Pb，制约了它的广泛应用。基于上述理由，提出本申请。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有阻变存储器技术存在的上述缺陷，提供一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器及其制备方法，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述存储器包括底电极、设于底电极上表面的Bi基钙钛矿阻变层、设于阻变层上表面的顶电极，其中：所述阻变层材料为MA3Bi2I9薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述存储器包括底电极、设于底电极上表面的Bi基钙钛矿阻变层、设于阻变层上表面的顶电极，其中：所述阻变层材料为MA3Bi2I9薄膜。2.根据权利要求1所述的环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述底电极材料为FTO、ITO、ZTO、TaN或TiN中的任一种。3.根据权利要求1所述的环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述底电极厚度为100～300nm，形状为矩形，边长为1～2cm。4.根据权利要求1所述的环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述Bi基钙钛矿阻变层厚度为200～600nm。5.根据权利要求4所述的环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述Bi基钙钛矿阻变层形状为矩形，边长为1～2cm。6.根据权利要求1所述的环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述顶电极材料为Pt、Au、或W中的任一种。7.根据权利要求1所述的环境友好型Bi基钙钛矿阻变存储器，其特征在于：所述顶电极厚度为60～100nm，形状为圆形或者矩形，直径或边...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，蔡恒梅，马国坤，赵青尧，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42