当前位置: 首页 > 专利查询>天津大学专利>正文

基于柔性衬底的柔性施密特电路制造技术

技术编号:20748672 阅读:30 留言:0更新日期:2019-04-03 10:59
本发明专利技术涉及的柔性施密特电路适用于柔性集成电路,为提出可弯曲折叠,抗机械冲击能力强的施密特电路,本发明专利技术,基于柔性衬底的柔性施密特电路,在聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料上表面有一层基于环氧SU8树脂的光刻胶材料层,作为PET基板与逻辑门电路之间的粘合层,逻辑门电路的主体部分包括2个柔性薄膜晶体管和4个柔性电阻,一个柔性薄膜晶体管制作在N型Si薄膜上,由两个P掺杂区和栅氧层组成,另外一个柔性薄膜晶体管制作在P型Si薄膜上,由两个N掺杂区和栅氧层组成,柔性电阻通过对硅薄膜掺杂制作而成。本发明专利技术主要应用于柔性器件的设计制造场合。

【技术实现步骤摘要】
基于柔性衬底的柔性施密特电路
本专利技术涉及的柔性施密特电路适用于柔性集成电路,主要包含柔性薄膜晶体管和柔性电阻。
技术介绍
柔性电子是将有机、无机材料电子器件制作在柔性、可延性塑料或薄金属基板上的新兴电子科技,在信息、能源、医疗、国防等领域都具有广泛应用。如印刷射频识别标签RFID、电子用表面粘贴、有机发光二极管OLED、柔性电子显示器等。同传统的半导体工艺技术一样,柔性电子技术也可以应用于集成电路的制造。并且通过柔性电子技术制作出的柔性集成电路具有可弯曲折叠,空间适应能力强等传统集成电路难以匹及的优点,具有巨大的发展潜力。然而当前研究人员只将目光投向柔性衬底材料,柔性器件材料和柔性器件尺寸上,并未在柔性施密特电路这样基础集成电路的设计制造上有所精进。
技术实现思路
为克服现有技术的不足,本专利技术旨在提出施密特电路,该电路中的柔性器件具有结构轻薄、可弯曲折叠,抗机械冲击能力强等优点,便于在空间受限情况下的使用。为此,本专利技术采用的技术方案是,基于柔性衬底的柔性施密特电路,在聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料上表面有一层基于环氧SU8树脂的光刻胶材料层,作为PET基板与逻辑门电路之间的粘合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于柔性衬底的柔性施密特电路,其特征是,在聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料上表面有一层基于环氧SU8树脂的光刻胶材料层,作为PET基板与逻辑门电路之间的粘合层,逻辑门电路的主体部分包括2个柔性薄膜晶体管和4个柔性电阻,一个柔性薄膜晶体管制作在N型Si薄膜上,由:两个P掺杂区和栅氧层组成,另外一个柔性薄膜晶体管制作在P型Si薄膜上,由:两个N掺杂区和栅氧层组成,柔性电阻通过对硅薄膜掺杂制作而成,其中器件的连接方式为:使用N型硅薄膜制作的薄膜晶体管,其源端连接电源端,漏端通过一个柔性电阻接地,栅端通过一个柔性电阻接输入信号;使用P型硅薄膜制作的薄膜晶体管,其源端直接连接信号输出端,并通过一个柔...

【技术特征摘要】
1.一种基于柔性衬底的柔性施密特电路,其特征是,在聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料上表面有一层基于环氧SU8树脂的光刻胶材料层,作为PET基板与逻辑门电路之间的粘合层,逻辑门电路的主体部分包括2个柔性薄膜晶体管和4个柔性电阻,一个柔性薄膜晶体管制作在N型Si薄膜上,由:两个P掺杂区和栅氧层组成,另外一个柔性薄膜晶体管制作在P型Si薄膜上,由:两个N掺杂区和栅氧层组成,柔性电阻通过对硅薄膜掺杂制作而成,其中器件的连接方式为:使...

【专利技术属性】
技术研发人员:秦国轩赵政张一波
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:天津,12

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1