一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统，所述方法包括如下步骤：步骤S1，对器件进行大信号测试，得到三次谐波曲线；步骤S2，根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型；步骤S3，根据得到的电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；步骤S4，根据比较结果确定当前电压系数作为大信号仿真时的电压系数建立射频应用时的模型或返回步骤S2改变电压系数重复上述仿真，通过本发明专利技术，可获取适用于高频应用下的电阻电压系数。

【技术实现步骤摘要】
一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统
本专利技术涉及半导体器件模型
，特别是涉及一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统。
技术介绍
通常，一个电阻模型在描述时都会有电压系数，该系数表征了电阻阻值随电压变化的大小，也就是说，电阻的电压系数描述了电阻的线性度，而这个线性度与大信号谐波结果息息相关。一般来说，电阻的电压系数是在低频情况下从电流电压曲线(IV)提取得到的，目前，直流(DC)和射频(RF)模型都使用这些在低频情况下获取的参数。以下为现有的由IV曲线得到的直流(DC)电阻模型示例：图1为上述直流(DC)电阻模型的电阻－电压系数关系示意图，菱形块为电阻实测数据，细线为仿真数据，可见，直流(DC)模型下，电流电压曲线(IV)实测数据与仿真数据匹配较好。然而，实际上，这个模型参数在高频应用时未经验证。如图4B所示，可见，对于现有IV曲线提取的直流模型的模型参数，其三次谐波(H3)的仿真值与实测数据差异较大，也就是说，现有IV曲线提取的直流模型的模型参数只适用于直流(DC)仿真，不适用于高频应用，因此，对于电阻模型的电压系数，在低频和高频需要分开提取，因此，实有必要提出一种技术手段，以获取高频应用下的电阻电压系数。
技术实现思路
为克服上述现有技术存在的不足，本专利技术之目的在于提供一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统，以实现获取适用于高频应用下的电阻电压系数的目的。为达上述及其它目的，本专利技术提出一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，包括如下步骤：步骤S1，根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型；步骤S2，根据得到的电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；步骤S3，根据比较结果确定当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型或返回步骤S1改变电压系数重复上述仿真。优选地，于步骤S3中，若比较结果满足要求，则将当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型。优选地，于步骤S3中，若比较结果不满足要求时，则改变当前电压系数并返回步骤S1，重复仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较直至得到满足谐波要求的实测与仿真的匹配度，将对应的电压系数值作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型。优选地，所述电压系数为电压系数vc2。优选地，所述电压系数vc2在低频直流模型和高频应用模型下分开提取。优选地，于步骤S1之前还包括如下步骤：对器件进行大信号测试，得到实测的三次谐波曲线。为达到上述目的，本专利技术还提供一种获取高频应用电阻模型电压系数的系统，包括：参数设置计算单元，用于根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型；仿真比较单元，用于根据得到的电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；比较处理单元，用于根据比较结果确定当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型或返回所述参数设置计算单元改变电压系数重复上述仿真。优选地，若比较结果满足要求，所述比较处理单元将当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立高频应用时的模型。优选地，若比较结果不满足要求，所述比较处理单元则改变电压系数值并返回参数设置计算单元，重复仿真得到三次谐波曲线，并将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较直至得到满足谐波要求的实测与仿真的匹配度，将对应的电压系数值作为高频仿真时的电压系数建立高频应用时的模型。优选地，所述系统还包括测试单元，用于对器件进行高频大信号测试，得到实测的三次谐波曲线。与现有技术相比，本专利技术提供一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法及系统，通过改变电阻模型中电压系数vc2而调整模型的适用性，，然后根据新的电阻模型仿真得到三次谐波值，将仿真得到的三次谐波值与实测三次谐波值进行比较，在不满足要求继续改变vc2值，重复仿真比较直至得到满足谐波要求的实测与仿真的匹配度，并将最后的电压系数vc2值作为大信号仿真时的电压系数建立高频应用时的模型，，实现了获取高频应用电阻电压系数的目的，使得其建立的模型更适用于高频应用。附图说明图1为现有直流(DC)电阻模型的电阻－电压系数关系示意图；图2为本专利技术一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法的步骤流程图；图3为本专利技术一种获取高频应用电阻模型电压系数的系统的系统架构图；图4A为本专利技术具体实施例中实测数据、现有模型仿真结果以及专利技术仿真结果对比图；图4B为图4A对应的三次谐波比较结果图。具体实施方式以下通过特定的具体实例并结合附图说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。图2为本专利技术一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法的步骤流程图。如图2所示，本专利技术一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，包括如下步骤：步骤S1，对器件进行大信号测试，得到实测的三次谐波曲线。步骤S2，于进行高频应用时的大信号测试时，根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型。在本专利技术具体实施例中，模型参数设置如下：rsh＝1000dl＝0dw＝7.2×10-8tc1＝-0.000901tc2＝1.8×10-6对直流模型：vc1＝-1×10-10，vc2＝-7.25×10-14对射频模型，改变电压系数vc2：vc1＝-1×10-10vc2＝-0.41×10-14并按下列公式计算电阻：leff＝l-dl公式1weff＝w-dw公式2pt＝temper-25公式3tfac＝1+tc1×pt+tc2×pt2公式4步骤S3，根据得到电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；步骤S4，根据比较结果确定当前电压系数vc2作为高频大信号仿真时的电压系数建立高频应用时的模型或返回步骤S2改变电压系数vc2重复上述仿真步骤。具体地，步骤S4进一步包括：若比较结果满足要求，则将当前电压系数vc2作为高频大信号仿真时的电压系数建立高频应用时的模型；若比较结果不满足要求时，则继续改变电压系数vc2值并返回步骤S2，重复仿真得到三次谐波曲线，并将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较直至得到满足谐波要求的电阻值，将对应的电压系数值vc2作为高频大信号仿真时的电压系数建立高频应用时的模型。具体地，最后所建立的模型的格式如下：图3为本专利技术一种获取高频应用电阻模型电压系数的系统的系统架构图。如图3所示，本专利技术一种获取高频应用电阻模型电压系数的系统，包括：测试单元301，用于对器件进行大信号测试，得到实测的三次谐波曲线。参数设置计算单元302，用于于进行高频应用时的大信号测试时，根据经验值设置模型及初始模型参数，仿真得到初始电阻模型。在本专利技术具体实施例中，模型参数设置如下：rsh＝1000dl＝0dw＝7.2×10-8tc1＝-0.000901tc2＝1.8×10-6对直流模型，根据经验值设置电压系数vc2：vc1＝-1×10-10，vc2＝-7.25×10-14对射频模型，根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，包括如下步骤：步骤S1，根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型；步骤S2，根据得到的电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；步骤S3，根据比较结果确定当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型或返回步骤S1改变电压系数重复上述仿真。

【技术特征摘要】
1.一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，包括如下步骤：步骤S1，根据经验值设置模型及初始模型参数，得到初始电阻模型；步骤S2，根据得到的电阻模型进行高频大信号仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较；步骤S3，根据比较结果确定当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型或返回步骤S1改变电压系数重复上述仿真。2.如权利要求1所述的一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，其特征在于：于步骤S3中，若比较结果满足要求，则将当前电压系数作为高频仿真时的电压系数建立射频应用时的模型。3.如权利要求1所述的一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，其特征在于：于步骤S3中，若比较结果不满足要求时，则改变当前电压系数并返回步骤S1，重复仿真得到三次谐波曲线，将仿真得到的三次谐波曲线与实测的三次谐波曲线进行比较直至得到满足谐波要求的实测与仿真的匹配度，将对应的电压系数值作为高频仿真时的电压系数建立高频应用时的模型。4.如权利要求1所述的一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，其特征在于：所述电压系数为电压系数vc2。5.如权利要求4所述的一种获取高频应用电阻模型电压系数的方法，其特征在于：所述电压系数vc2在低频直流模型和高频应用模型下分开提取。6.如权利要求1所述的一种获取高频应用电阻模型电压系数...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昊，范象泉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31