一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法，将株高2.5cm的菊花试管苗接种于MS培养基中进行继代培养，选取继代培养25d后的菊花试管苗顶部已完全展开的幼嫩叶片作为外植体，且叶片的形状、大小和色泽基本一致，每片叶片横切4刀后剪成0.5cm×0.5cm的正方形小块，接种于AgNO3 0.5～2.0mg/L的MS培养基+6‑BA 2.0mg/L+NAA 0.6mg/L的复合培养基上，叶片接种后先在黑暗条件下培养10d，再转入光照条件下培养，最终诱导菊花叶片产生不定芽。本发明专利技术能够有效减少组培步骤，缩短组培时间，降低运行成本，同时能够抑制原生质体褐变，保证品种稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法
本专利技术属于植物栽培繁育
，具体涉及一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法。
技术介绍
AgNO3作为一种乙烯抑制剂，能够减少原生质体的的褐变，减少愈伤组织的行程并促进其转化为胚状体，提高植物细胞中抗氧化物酶的活性，并提前诱导不定芽的产生。关于AgNO3对植物离体叶片再生不定芽已有报道，但将植物处于黑暗-光照组合状态下不同浓度AgNO3对菊花叶片不定芽产生的效果少有研究。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供了一种能够有效减少组培步骤、缩短组培时间并降低运行成本的利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法。本专利技术为实现上述目的采用如下技术方案，一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法，其特征在于具体步骤为：将株高2.5cm的菊花试管苗接种于MS培养基中进行继代培养，选取继代培养25d后的菊花试管苗顶部已完全展开的幼嫩叶片作为外植体，且叶片的形状、大小和色泽基本一致，每片叶片横切4刀后剪成0.5cm×0.5cm的正方形小块，接种于AgNO30.5～2.0mg/L的MS培养基+6-BA2.0mg/L+NAA0.6mg/L的复合培养基上，以远轴面接触复合培养基，叶片接种后先在黑暗条件下培养10d，再转入光照条件下培养，光照培养的光照强度为50μmol·m-2·s-1，光照时间为10h/d，整个培养过程的培养温度为24±1℃，最终诱导菊花叶片产生不定芽。进一步优选，所述复合培养基的组成为AgNO31.0mg/L的MS培养基+6-BA2.0mg/L+NAA0.6mg/L，该处理条件下菊花叶片不定芽诱导率、平均诱导芽数和一级芽率分别高达97.95％、9.94和16.67％。本专利技术通过黑暗-光照和全光照两种不同的路径筛选适宜诱导菊花叶片产生不定芽的方法，经过实验对比可知黑暗-光照条件下的处理优于全光照条件下的处理，能够有效减少组培步骤，缩短组培时间，降低运行成本，同时能够抑制原生质体褐变，保证品种稳定性。具体实施方式以下通过实施例对本专利技术的上述内容做进一步详细说明，但不应该将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本专利技术上述内容实现的技术均属于本专利技术的范围。实施例将株高约2.5cm的菊花试管苗接种于MS培养基中进行继代培养，选取继代培养25d后的菊花试管苗顶部已完全展开的幼嫩叶片作为外植体，且叶片的形状、大小和色泽基本一致，每片叶片横切4刀后剪成0.5cm×0.5cm的正方形小块，接种于AgNO3(0、0.5、1.0、1.5、2.0、4.0、6.0mg/L)的MS培养基+6-BA2.0mg/L+NAA0.6mg/L的复合培养基上，以远轴面接触复合培养基，每个处理接种45个叶片，重复3次，40d后统计菊花叶片诱导情况，分别测定菊花叶片不定芽诱导率、平均诱导芽数和一级芽率。试验分为黑暗-光照和全光照两个条件，每种条件下的处理完全相同，且同时进行。黑暗-光照条件下叶片接种后，先在黑暗条件下培养10d，再转入光照条件下培养，光照培养的光照强度为50μmol·m-2·s-1，光照时间为10h/d，整个培养过程的培养温度为24±1℃。数据分析如下表1和表2。表1黑暗-光照条件下不同AgNO3质量浓度对菊花叶片不定芽诱导的影响注：一级芽指株高大于1cm的不定芽表2全光照条件下不同AgNO3质量浓度对菊花叶片不定芽诱导的影响注：一级芽指株高大于1cm的不定芽对比表1和表2发现，不同质量浓度和处理条件下AgNO3处理菊花叶片的诱导能力差异明显，黑暗-光照条件下处理的菊花叶片不定芽诱导率、平均诱导芽数和一级芽率分别高达97.95％、9.94和16.67％，优于全光照条件下的处理。菊花叶片1.0mg/LAgNO3诱导不定芽表现为明显的促进作用，但随着AgNO3浓度的增加，不仅不能促进菊花叶片不定芽的发生，反而表现出抑制作用，因此黑暗10d后转光照条件培养，AgNO3浓度为1.0mg/L时更有助于菊花叶片诱导不定芽再生。以上实施例描述了本专利技术的基本原理、主要特征及优点，本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术原理的范围下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进均落入本专利技术保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法，其特征在于具体步骤为：将株高2.5cm的菊花试管苗接种于MS培养基中进行继代培养，选取继代培养25d后的菊花试管苗顶部已完全展开的幼嫩叶片作为外植体，且叶片的形状、大小和色泽基本一致，每片叶片横切4刀后剪成0.5cm×0.5cm的正方形小块，接种于AgNO3 0.5～2.0mg/L的MS培养基+6‑BA 2.0mg/L+NAA 0.6mg/L的复合培养基上，以远轴面接触复合培养基，叶片接种后先在黑暗条件下培养10d，再转入光照条件下培养，光照培养的光照强度为50μmol·m‑2·s‑1，光照时间为10h/d，整个培养过程的培养温度为24±1℃，最终诱导菊花叶片产生不定芽。

【技术特征摘要】
1.一种利用AgNO3诱导菊花叶片不定芽再生的方法，其特征在于具体步骤为：将株高2.5cm的菊花试管苗接种于MS培养基中进行继代培养，选取继代培养25d后的菊花试管苗顶部已完全展开的幼嫩叶片作为外植体，且叶片的形状、大小和色泽基本一致，每片叶片横切4刀后剪成0.5cm×0.5cm的正方形小块，接种于AgNO30.5～2.0mg/L的MS培养基+6-BA2.0mg/L+NAA0.6mg/L的复合培养基上，以远轴面接触复合培养基，叶片接种后先在黑暗条件下培...

【专利技术属性】
技术研发人员：任冰洁，刘伟超，马小茜，陈超，曹绍森，申亮，崔景辉，侯凯悦，
申请(专利权)人：山水环境科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41