多线切割装置、多线切割方法及其用途制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种多线切割装置、多线切割方法及其用途，涉及多线切割领域，该多线切割装置包括：至少一对平行线轴，以及，缠绕于所述线轴上的多根平行线锯组成的线网；其中，所述线锯与所述平行线轴的垂线倾斜设置。利用该多线切割装置能够缓解现有衬底晶片切割精度低，角度偏差超标的技术问题，达到提高切割精度的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
多线切割装置、多线切割方法及其用途
本专利技术涉及多线切割领域，尤其是涉及一种多线切割装置、多线切割方法及其用途。
技术介绍
第三代半导体技术应用近年来迅速渗透到照明，电力器件，微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，应用领域不断延伸，在液晶显示器背光源、汽车用灯、装饰灯、通用照明、电动车、5G应用等领域有着广泛的应用市场，成为未来新能源发展的方向之一。其中，碳化硅，氮化镓更成为行业发展的重点。以单晶碳化硅为例，单晶碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料，具有一些优越的性能，如高电子饱和迁移率和优良的热学特性，在制造耐高温和抗辐射的高频大功率器件方面具有广阔的应用前景，已成为国际关注的焦点。在下一代功率器件的制造和外延生长中，对单晶碳化硅材料最终的表面质量有严格的要求。通常，在生长阶段得到的SiC晶棒，其实际晶面与理论晶面常存在一定的偏差，因此，需要在切片过程中对晶片的角度进行修整，以使SiC衬底晶片的实际表面晶面更接近于理论晶面，从而提高后续的外延晶片质量。目前常用多线切割方法对单晶碳化硅晶棒进行切割，在切割前先用X射线衍射仪定向碳化硅晶棒切割时的偏置角度，根据测量结果定向碳化硅晶棒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多线切割装置，其特征在于，包括：至少一对平行线轴，以及，缠绕于所述线轴上的多根平行线锯组成的线网；其中，所述线锯与所述平行线轴的垂线倾斜设置。

【技术特征摘要】
1.一种多线切割装置，其特征在于，包括：至少一对平行线轴，以及，缠绕于所述线轴上的多根平行线锯组成的线网；其中，所述线锯与所述平行线轴的垂线倾斜设置。2.根据权利要求1所述的多线切割装置，其特征在于，所述线锯与所述平行线轴的垂线之间的夹角为切割晶棒或晶锭的水平偏置角。3.根据权利要求1所述的多线切割装置，其特征在于，所述线轴表面设有线槽，所述线槽的开槽角度为55-65°。4.根据权利要求3所述的多线切割装置，其特征在于，所述线槽的槽距0.5-0.8mm。5.根据权利要求4所述的多线切割装置，其特征在于，所述线槽的槽深0.5-0.8mm。6.根据权利要求1-5任一项所述的多线切割装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林武庆，张洁，苏双图，赖柏帆，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35